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偶氮侧链聚合物液晶薄膜光致双折射及其光存储实验

王沛 , 明海 , 梁忠诚 , 章江英 , 鲁拥华 , 孙世宇 , 谢建平 , 张其锦 , , , 李增昌

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2002.04.017

本文实验研究了偶氮侧链聚合物液晶薄膜(P-CN)的光致双折射和光存储性质.在连续532 nm激光作用下,该液晶薄膜(P-CN)表现出显著的光致双折射(△n~10-2).基于光致双折射效应,实验中获得了长久的、高对比度的光信息记录.

关键词: 偶氮聚合物液晶 , 光致双折射 , 光存储

偶氮侧链液晶聚合物薄膜中基于光致双折射效应长久光存储的机理探讨

王沛 , 明海 , 章江英 , 鲁拥华 , 谢建平 , , 卢勇 , 张其锦

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2003.01.020

本文比较了连续矾酸钇倍频激光(输出波长532 nm),脉冲Nd:YAG倍频激光(输出波长532 nm、脉宽8 ns、重复频率10 Hz)作用下,偶氮侧链液晶聚合物薄膜的光致双折射效应和光记录特性.根据实验结果和数值模拟情况[8],引入温度效应,提出分子团积和主链链段取向效应,给出了基于光致双折射效应长久光信息记录的解释.

关键词: 偶氮液晶聚合物 , 光致双折射 , 长久光存储

工业用PET纤维的模量-应变曲线

陈重酉 , , 肖育军 , 孙家昌 ,

高分子材料科学与工程

由于工业用PET纤维对力学性能的特殊要求,用应力-应变曲线的一阶导数模量-应变曲线代替应力-应变曲线可更清晰反映纤维的力学行为.在一般的Instron拉力试验机上获得的应力-应变曲线,由于平滑程度差,直接求导失败时,可用三次样条函数拟合方法获得模量-应变曲线.

关键词: PET纤维 , 力学性能 , 模量-应变曲线

Ni/Au、Pd/Au与p-AlGaN材料的接触特性

白云 , 麻芃 , 朱杰 , , 新宇

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.01.015

在AlGaN pin型日盲紫外探测器结构中的p-AIGaN层上生长了Ni/Au和Pd/Au,并在600-850℃温度下进行快速热退火,测量其退火前后传输线模型中各金属接触间的电学性质.实验发现,Ni/Au与Pd/Au在p-AlGaN上表现出了不同的接触性能.为了更好的说明金属与p-AlGaN材料接触之间在退火后电流的变化,还测量了p-AlGaN材料裸片两点之间I-V曲线在退火前后的变化.实验表明,比起Ni/Au来,Pd/Au在p-AlGaN材料上制备欧姆接触具有一定的优势,并在文中进行了分析.

关键词: p-AlGaN , 高Al组分 , 欧姆接触

磷在钢回火脆性发展时的非平衡偏聚及钼的影响

张灶利 , , 林清英 , 余宗森 , 登科

钢铁研究学报

用俄歇能谱仪和扫描电镜研究了中碳钢和含钼中碳钢在回火脆性发展过程中P在晶界上的偏聚.发现在480℃回火时,两种钢均在晶界出现P的浓度峰值.含钼中碳钢中的Mo减小了晶界断裂比例,但并不改变P的浓度峰值.同时还观察了S、C、Mo等组元在晶界的偏聚.P在晶界的浓度峰值可以用磷-空位复合体的非平衡偏聚机制加以解释.

关键词: 中碳钢 , 回火脆性 , 磷的非平衡偏聚 , 磷-空位复合体 ,

贝塞尔高斯径向偏振光束在衍射光学元件调制下多球的产生

刘海港 , 杨艳芳 , 何英 , 常强 ,

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2013.04.001

基于Richards-Wolf的矢量衍射积分公式,研究了贝塞尔高斯径向偏振光束在衍射光学元件(Diffractive optical elements,DOE)的调制下入射到由两个相同高数值孔径透镜组成的4pi聚焦光学系统中的聚焦特性.由于DOE不同环之间的相互干涉,出现不同于原贝塞尔高斯径向偏振矢量光束的新聚焦特性.Matlab数值模拟结果显示贝塞尔高斯径向偏振光束经过此光学系统后,在焦点附近产生沿光传播方向的多个光球,其光球的个数与DOE的环数以及不同环的大小有关.若调节4pi聚焦系统两侧入射光束的整体相对相位还可以实现多个光球整体沿纵向方向的移动,实现了亮光链的作用,这对于矢量光束应用在光学显微镜、光存储和粒子操控等方面具有十分重要的意义.

关键词: 激光物理 , 光球 , 强聚焦 , 衍射光学元件

中子辐照GaAs缺陷的退火行为研究

, 王佩璇 , 张灶利

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1999.05.004

采用霍尔测量、沟道卢瑟福背散射 (沟道RBS) 以及低温光荧光方法对中子辐照GaAs缺陷的快速退火行为进行了研究. 嬗变杂质锗未能全部激活的原因之一是部分锗原子占据砷位形成受主. 在快速退火过程中可形成反位缺陷GaAs(Ev+200 meV) 以及复合缺陷IGa-VAs.

关键词: 中子辐照 , GaAs , 缺陷

宗昌等《贝氏体铁素体的形核》一文

徐祖耀

材料热处理学报

文中,关于贝氏体形成机制,包括形核过程的文献很少被引述。作者(等)的主要论点为贝氏体铁素体以无扩散、非切变机制在奥氏体内贫碳区形核,并未引述形成贫碳区的必要条件。本文作者强调,在钢及铜合金中,不可能由Spinodal分解和位错偏聚形成贫溶质区。等的理念未得到先进理论观点和精细实验结果的支持。在文中,据此对临界核心大小和形核能的计算并无显著意义,期望青年学者对贝氏体相变机制作进一步研究。

关键词: 贝氏体形核 , 扩散机制 , 切变机制 , 贫碳区

汝官瓷、张公巷窑青瓷和家门窑青瓷的判别分析研究

蔡敏敏 , 李国霞 , 赵维娟 , 李融武 , 赵文军 , 承焕生 , 郭敏

硅酸盐通报

利用质子激发X射线荧光分析(PIXE)测试分析汝官瓷、张公巷窑青瓷和家门窑青瓷样品的主要化学组成,用多元统计判别分析方法对数据进行分析,以确定它们的分类和起源关系.结果表明:汝官瓷、张公巷窑青瓷和家门窑青瓷釉基本能很好的区分;但是胎区分得不是很理想,张公巷窑青瓷的胎可以和汝官瓷、家门窑青瓷胎很好的区分,汝官瓷胎和家门窑青瓷胎有个别样品不能分开.

关键词: 汝官瓷 , 张公巷窑青瓷 , 家门窑青瓷 , 判别分析

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