游士虎
,
胡南
,
吴章文
,
刘岩海
,
吴骏翔
,
侯氢
,
勾成俊
原子核物理评论
doi:10.11804/NuclPhysRev.32.03.363
为了研究磁共振引导放射治疗对剂量分布的影响,采用蒙特卡罗方法研究了横向均匀磁场对6 MV光子束在4种不同人体组织材料与空气界面处因电子回转效应导致剂量分布的改变.模拟显示,对于电离能相近的几种材料,磁场对剂量分布扰动的差别较小,而且电离能较大的材料,这种扰动明显变小.结果表明,磁场的引入会影响光子束原有的剂量分布,且这种影响与材料的电离能有关.这意味着虽然磁共振引导放射治疗可以增强靶向精度,提高治疗效果,但磁场会导致光子束剂量分布的改变,且不同的组织这种改变也不相同,这将为相应的剂量算法研究带来了新的挑战.
关键词:
放射治疗
,
光子束
,
磁场
,
蒙特卡罗
李敏
,
勾成俊
,
吴章文
,
侯氢
原子核物理评论
在弧形调强放射治疗的治疗计划设计中,由于包含有很多照射方向,调强最优化的射束元矩阵计算需要很大的计算量和存储量,为提高计算效率常使用简化剂量计算模型计算射束元矩阵,因此有必要研究简化模型对治疗计划质量产生影响.对一个模拟例子和一个临床实例,使用没考虑散射效应的原射线剂量计算模型计算射束元矩阵,由此进行最优化计算.在得到最优化强度分布后,通过比较原射线剂量计算模型和微分卷积剂量计算模型得到的剂量分布,研究了不同射束数目条件下,使用简化剂量计算模型计算射束元剂量矩阵对最终的剂量分布质量的影响.结果表明,在射线束很多的情况下(对应弧形调强照射),用简化的剂量计算模型,即不考虑散射来计算射束元剂量矩阵,会导致靶区剂量分布的质量大大低于预期的剂量分布质量,因此,弧形调强放射治疗的最优化计算中,有效考虑散射的影响是必要的.
关键词:
调强放射治疗
,
最优化
,
剂量计算模型
崔振国
,
勾成俊
,
侯氢
,
龙兴贵
,
周晓松
原子核物理评论
doi:10.11804/NuclPhysRev.30.04.464
以金属Zr的一种嵌入原子形式(EAM)的势函数为基础，通过引入一个调制函数的办法，在不同范围内修改了EAM势函数的对势部分和原子电子密度分布部分，然后采用分子动力学方法计算点缺陷(间隙原子(SIA)和空位)形成能和初级离位原子(PKA)的阈值能，从而探讨这些物理量对势函数的不同部分的敏感程度。计算结果表明：势函数的对势部分长程范围内的形式对缺陷的形成影响较小，其短程范围的形式对SIA的形成比对空位的形成影响程度更大；对于PKA的阈值能，其敏感区域来自于势函数的对势部分和原子电子密度分布的短程范围部分，但在不同晶向上的PKA的阈值能对势函数的敏感程度有所不同。这些研究结果对于在研究Zr金属的辐照损伤中势函数的选择或构建有指导意义。
关键词:
势函数
,
分子动力学
,
缺陷形成能
,
离位阈值
安涛
,
高勇
,
张创
人工晶体学报
本文提出了一种低功耗的新勾形磁场结构,来解决现有勾形磁场功耗过大的问题.并以8英寸单晶炉勾形磁场为研究对象,利用有限元法对线圈匝数、电流大小、线圈间距等参数对磁场强度及其分布的影响进行了模拟分析和优化设计.结果表明:在坩埚壁处产生横向磁场强度均为492 GS时,线圈内径820 mm、线圈间距200 mm等结构相同,而线圈匝数分别为2400匝的新结构与96匝的现有结构磁场相比,总功率从现有结构的38.9 kW降低到9.8 kW(降低了74.7％).该研究为勾形磁场得以广泛应用提供了一种新的设计思路及设计方法.
关键词:
单晶炉
,
勾形磁场
,
磁场强度
,
低功耗
安涛
,
高勇
人工晶体学报
以单晶炉低功耗勾形磁场为研究对象,采用有限元法对主要结构参数进行了模拟分析与优化设计.并对磁场优化设计参数进行了实验验证.结果表明:磁场分布、磁场纵、横向分量强度,以及线圈电压、线圈电流、线圈功率等关键参数的实验结果均满足设计要求;实验结果与模拟结果相吻合,其平均误差小于5％;这说明模拟方法是正确的,结果符合实际、可运用于实际设计.该研究为低功耗勾形磁场设计以及广泛应用提供了一种可靠的模拟方法和经验数据.
关键词:
单晶炉
,
勾形磁场
,
磁场强度
,
低功耗
安涛
,
高勇
,
马剑平
,
李守智
,
李留臣
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.02.021
本文采用有限元法对勾形磁场的分布进行了模拟分析,结果表明磁场强度径向分量Bx随径向距离r增大可视为线性增大,并且在线圈中心面上下20mm靠近坩埚内壁的窄小区域内最强.通过对磁场强度的影响因素的分析表明,磁场Bx随电流增大呈线性增加,并随匝数增加呈非线性增大.最后依据模拟结果及其分析,取得了磁场的设计参数.
关键词:
有限元
,
勾形磁场
,
单晶炉
,
磁场强度
安涛
,
高勇
人工晶体学报
本文在勾形磁场现有磁屏蔽体的基础上,提出一种新的磁屏蔽体结构,并以8寸单晶炉新型磁屏蔽体结构的勾形磁场为研究对象,对其进行了模拟分析及优化设计.结果表明:安匝数一定的情况下(33600),采用新型磁屏蔽体的勾形磁场较现有勾形磁场的磁场强度Br,提高了约27.03％;当坩埚侧处产生横向磁场强度均为491Gs时,其功耗下降了约35.97％;该研究为进一步降低功耗提供了一种设计思路及设计方法.
关键词:
单晶炉
,
勾形磁场
,
磁屏蔽体
宇慧平
,
隋允康
,
张峰翊
,
王学锋
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.02.021
本文给出了提拉单晶硅时,勾形磁场强度的计算公式,并对单晶硅在有无勾形磁场情况下熔体内流场和氧的浓度分布进行了数值模拟,计算出磁场作用下磁场强度和洛伦兹力及有无磁场时流函数、垂直截面处的速度场和氧的浓度分布.通过分析表明,勾形磁场能使流动更为平稳,能有效地降低熔体内及生长界面氧的浓度,并对产生这一现象的机理作了理论分析.
关键词:
提拉法
,
勾形磁场
,
单晶硅
彭岚
,
龚欢
,
李友荣
,
屠竞毅
,
于鑫
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2014.01.011
为了更好地了解勾形磁场对分离结晶法制备 CdZnTe 晶体过程中熔体热毛细对流的影响,采用有限差分法对熔体内的热量和动量传递进行数值模拟.假定熔体为不可压缩牛顿流体,熔体的高径比为1,狭缝自由表面无因次宽度为0．1,研究了不同 Ma 数下,Ha 数分别为0、45、90、135时的 CdZnTe 晶体生长过程.结果表明,勾形磁场能够有效地抑制熔体内部的对流,并且随着磁场强度的增加,抑制作用增强,熔体内部流动减弱.
关键词:
分离结晶
,
勾形磁场
,
CdZnTe晶体
,
热毛细对流
,
数值模拟
高勇
,
李波
,
安涛
,
李守智
,
刘飞航
人工晶体学报
采用有限元法对203.2 mm单晶炉(406.4 mm坩埚)勾形磁场线圈匝数和线圈纵横向层数(纵横向层数比值)以及上下两线圈间距、磁屏蔽体的厚度以及几何结构和尺寸等结构参数对磁场强度Br的影响进行了模拟分析和优化选取.为203.2 mm单晶炉勾形磁场装置结构设计提供了一种可靠的模拟新方法和具有指导意义的经验数据.
关键词:
单晶炉
,
勾形磁场装置
,
结构参数
,
磁感应强度
