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在还原气氛下,烧制出一种主晶相为(Ba,Ca,Sr,)(Zr,Ti)Oa介质陶瓷材料.XRD相成分分析发现:合理的工艺方法可获得不含强铁电相的介质材料.该介质材料具有较高的介电系数(εr为300～400),较低介质损耗(tgδ≤30×10-4),直流偏压下电容量变化小(偏压为2.5kV/mm时变化约0.03%),且介电系数温度特性符合EIA标准之X7R特性的要求等特点,适用于制作低失真贱金属电极MLCC.

关键词: 贱金属电极 , 片式电容器 , 低失真 , 介质陶瓷

甘肃西成铅锌矿集区金矿成矿条件及找矿方向

邓海军 , 朱多录 , 王哲 , 谈应范 , 马东阳

黄金 doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2010.02.005

西成铅锌矿化集中区已发现多处中小型金矿床(点),主要矿化类型有微细浸染型和石英脉型,代表性矿床有安家岔金矿床和小沟里金矿床.综合研究表明,中泥盆统安家岔组和西汉水组是主要矿源层,岩浆活动为成矿提供热动力条件和部分成矿物质,层间破碎带及构造交汇部位矿化富集."攻深找盲"是今后勘查的主攻方向,同时,应注意在铅锌矿床外围有利的构造部位及有岩浆或深源热液活动的部位找矿.

关键词: 地质特征 , 成矿条件 , 找矿方向 , 西成铅锌矿化集中区

机械镀锌成膜机理探讨

王兆华 , 杨瑞嵩 , 张鹏 , 刘元洪

材料保护

分析了目前对机械镀锌原理认识的合理性,提出了机械镀锌的成膜机理是在腐蚀微电池的作用下,镀液中的金属离子在阴极区电沉积,溶液中的金属粉末在阳极区发生溶解,电沉积的金属成膜助剂使金属粉末在基材上沉积.冲击作用在于搅拌溶液以减少浓差极化,使凝聚粉团变形利于成膜,破碎枝晶,方便堆砌.机械镀的成膜是化学电池产生的金属粉末的部分阳极自溶解和镀覆金属阴极电沉积的结果,从而将金属粉末和基体结合在一起.

关键词: 机械镀锌 , 成膜机理 , 腐蚀电池

十八胺高温成膜特性及成膜形态

谢建丽 , 邓佳杰 , 胡家元

材料保护

十八胺（ODA）高温成膜特性可为燃气机组停机保养过程的防护提供科学依据。采用高压釜模拟350-560℃水汽环境，对燃气机组管材受热面ODA成膜进行研究，探讨了各条件对成膜耐蚀性的影响。结果表明：ODA最佳成膜条件：80mg／L ODA，温度480℃，pH值9．5，恒温时间2h；560℃时形成的膜层也具有很好的保护性，表明不降温加入ODA进行停机保养也是可行的；所成膜为含ODA的氧化铁层，ODA中N与Fe发生化学吸附形成保护膜。

关键词: 十八胺(ODA) , 成膜特性 , 成膜形态 , 耐蚀性

乳液涂料成膜过程中成膜助剂的挥发

殷耀兵 , 李国强 , 管文超

涂料工业 doi:10.3969/j.issn.0253-4312.2007.08.006

成膜助剂的水溶性、相对挥发速度影响其在涂膜干燥过程中的挥发.热失质量和激光粒度分析发现,成膜助剂挥发过程分两个阶段.在第一阶段,成膜助剂一方面挥发,另一方面因浓度提高而向聚合物粒子内部渗透,油溶性成膜助剂挥发速度比较快;在第二阶段,成膜助剂的挥发受到成膜助剂分子由聚合物内部向外扩散的控制,油溶性成膜助剂挥发速度比较慢.由于成膜助剂水溶性的这种差异,导致油溶性成膜助剂容易出现缩边现象.这对于成膜助剂的选用和减量增效,以及提高成膜性能具有重要意义.

关键词: 成膜助剂 , 水溶性 , 挥发 , 缩边

电子元件与成膜技术

李青 , 李刚

电镀与精饰 doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2000.01.006

成膜技术在电子技术的发展进程中起着重要的作用,尤其是电子元件与电镀技术的密切关系可称之为源远流长.近年来,随着对电子元件小型、高性能及多功能要求的日趋迫切,成膜技术的重要性显得更为突出.就半导体元件制作中的引线框架及凸台的形成、印刷线路板制作中的导体层的形成及多功能导体层的处理、线圈、电容器及电阻等无源元件中电阻薄膜及外部电极端子制作等各种电子元件制造有关的成膜技术作评述.

关键词: 电子元件 , 成膜技术 , 电镀

低VOC涂料用成膜助剂

涂料工业

随着环保法规的日益严格和人们环境质量意识的增强,研发新型材料,采用新工艺是降低VOC的有效途径.本文介绍了新型油酸类无溶剂型成膜助剂,能有效降低涂料中的VOC含量以及提高涂料相应性能.

关键词: 成膜助剂 , VOC含量 , 油酸 , 环保

转速对KDP晶体成帽影响的数值模拟研究

刘光霞 , 王圣来 , 丁建旭 , 孙云 , 刘文洁 , 朱胜军

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2013.12473

本研究选择有限容积法,采用Fluent软件对KH2PO4(KDP)晶体在不同转速下成帽过程的温度场及速度场分布进行了数值模拟.晶体转速较低(9 r/min)时,晶体附近温度分布比较均匀,相应的晶体只出现一个帽区,但温度较高,成帽较慢；晶体转速较高(55和77 r/min)时,温度分布也比较均匀,所以晶体也只有一个帽区,此时温度较低,成帽较快;晶体转速介于两者之间时,温度分布出现扰动,晶体成帽同时出现两个或多个帽区,成帽速度介于两者之间.在所模拟晶体转速范围内,较高转速77 r/min是晶体帽区恢复的最优转速.

关键词: KDP晶体 , 数值模拟 , 不同转速 , 晶体成帽

成纤过程中PAN纤维聚集态结构的形成

韩曙鹏 , 徐樑华 , 曹维宇 , 姚红 , 白丽芳

新型炭材料 doi:10.3969/j.issn.1007-8827.2006.01.010

采用X射线衍射、声速法研究了成纤过程中PAN纤维晶态结构和取向态结构的变化规律.结合扫描电镜观察纤维的截面形态,研究成纤过程中PAN纤维聚集态结构的形成过程.结果表明,在成纤过程中,纤维晶态结构主要形成于凝固成型阶段,可以用两相模型("准晶"区和无定型区)来描述;而取向态结构主要受两段牵伸控制,其中前牵伸对晶态结构的完善起到相当关键的作用,再牵伸则主要提高纤维的取向度;干燥致密化过程有利于晶区的生长和完善,同时固定了纤维的取向态结构.

关键词: PAN纤维 , 晶态 , 取向态 , X射线衍射