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脉冲离子束辐照对TiH2膜表面微观结构的影响

刘洋 , , 王博宇

金属学报 doi:10.3724/SP.J.1037.2013.00122

在TEMP-6型强流脉冲离子束装置上,利用能量密度0.1-0.5 J/cm2,脉宽100 ns,能量100 keV的C+和H+混合离子束对TiH2膜进行逐次轰击以研究其在脉冲能量下的稳定性.采用扫描电镜和表面轮廓仪对TiH2膜辐照前后表面形貌进行研究;利用X射线衍射和慢正电子湮没技术对脉冲离子束辐照前后TiH2膜的物相和缺陷结构进行分析.结果表明:0.1-0.3 J/cm2的脉冲束流辐照热-力效应不足以导致膜明显熔化和开裂;0.5 J/cm2的脉冲束流辐照致使膜明显熔化并伴随产生大量的网状裂纹.0.1-0.3 J/cm2的脉冲辐照条件下TiH2的物相结构未发生明显变化,而0.5 J/cm2条件下δ-TiH2开始发生体心四方(bct)结构的非平衡相变,并且随着辐照次数的继续增加膜内开始析出纯Ti的物相.脉冲束流辐照下的热-力学效应导致膜内缺陷的分布发生显著改变,导致膜的慢正电子Doppler展宽谱的S参数在0.5 J/cm2 5次轰击时达最小,而在0.3 J/cm2 1次轰击时最大.

关键词: TiH2 , 脉冲离子束 , 表面形貌 , 慢正电子湮没技术

D+离子束和自成型钛靶的作用特性研究

王博宇 , , 戴晶怡 , 谈效华 , 程亮 , 陈磊 , 徐进章 , 陈熙萌 , 姚泽恩 , 郭志强

稀有金属材料与工程

利用ZF-300 keV中子发生器,采用伴随粒子法研究D<'+>离子束和自成型钛靶的中子产额随束流轰击时间的变化特性;利用X射线衍射分析和扫描电镜分别研究束流对靶物相结构和表面形貌的影响.结果表明,随D<'+>离子束的轰击和注入,中子产额随轰击时间的变化逐渐变大,中子产额达到最大值后又随轰击时间的变化逐渐变小;束流轰击前后靶表面无熔坑出现,随D<'+>离子束流的增大,靶表面的条纹状痕迹逐渐消失;D<'+>离子束的轰击未改变自成型钛靶的物相结构.基于离子与固体相互作用的数值模拟,分析讨论了D<'+>离子束和自成型钛靶的作用机制.

关键词: 中子发生器 , 自成型钛靶 , 中子产额 , 伴随粒子法

中低能质子致金属氘化物二次电子发射系数研究

陈佳林 , 黎明 , 王诗尧 , 邵剑雄 , 谈效华 , 金大志 , , 崔莹 , 陈熙萌

稀有金属

测量了中低能质子致氘化钛和氘化锆二次电子发射系数.结果表明,20 nA/cm2束流下各二次电子发射系数与其电子能损近似成正比,比例因子∧较Sternglass理论值偏大约50%,表面吸附层影响二次电子发射系数.束流密度为7μA/cm2的100 keV质子束长时间测量时,二次电子发射系数γ和正比例因子∧在前100 s内快速下降并逐渐稳定至理论值.

关键词: 中低能质子 , 金属氘化物 , 二次电子发射系数

弯曲电极结构对真空中氧化铝陶瓷沿面闪络耐压的影响

程焰林 , , 雷杨俊 , 罗永刚

绝缘材料 doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2008.01.015

氧化铝陶瓷以其良好的绝缘性能广泛应用于高压真空器件,起到绝缘和支撑作用,但氧化铝陶瓷的沿面闪络现象严重制约了其耐压性能.分析了阴极金属一陶瓷一真空三结合处电场局部增强的原因,对阴极金属电极结构对柱状氧化铝陶瓷三结合处电场分布影响进行了仿真和单次脉冲耐压试验研究,给出了不同电极情况下,氧化铝陶瓷的耐压结果.结果表明,弯曲电极结构能有效减弱氧化铝陶瓷三结合处的电场强度,并且随着金属电极弯曲长度的增加而明显减小;相对于平板电极,弯曲电极的平均最高耐压提高了45%.

关键词: 真空 , 氧化铝陶瓷 , 弯曲电极 , 脉冲耐压

D+离子束辐照对Ti膜的影响

王博宇 , , 谈效华 , 戴晶怡 , 程亮 , 秦秀波

金属学报 doi:10.3724/SP.J.1037.2010.00017

在加速器上,利用不同能量的D+离子束对Ti膜进行连续辐照,利用慢正电子湮没技术和SEM对束流辐照前后Ti膜进行表征.结果表明,D+离子束对Ti膜造成辐照损伤,随D+离子束能量增大,辐照损伤的程度加重;辐照损伤最大值在0.3μm处;D+离子束对Ti膜表面造成不同程度的烧蚀,随D+离子束能量增加,膜表面烧蚀程度增加,膜表面几何不均匀性导致膜表面出现选择性烧蚀.数值计算表明,随能量增加,D+离子在Ti膜中的能量沉积增大,这与SEM观测结果相符.

关键词: D+ , Ti膜 , 慢正电子湮没技术

含缺陷金属Ti力学性能的模拟研究

梁力 , 马明旺 , 谈效华 , , 王远 , 程焰林

金属学报 doi:10.11900/0412.1961.2014.00336

利用分子动力学模拟方法分别研究了空位、自间隙杂质原子、杂质He原子等缺陷对金属Ti样品的力学性能的影响.对完整晶格的金属Ti在不同拉伸应变速率下的应力-应变曲线进行计算,发现拉伸过程可分为弹性形变、塑性形变及断裂3个阶段.分别研究了含有不同浓度的空位、自间隙杂质原子、杂质He原子缺陷的金属Ti样品在2×109s-1拉伸应变速率下的应力-应变曲线,并对不同情况下的Young's模量进行了统计.还分别对含有自间隙杂质原子和杂质He原子的金属Ti的拉伸断裂过程进行了观察与分析.

关键词: 缺陷 , 力学性能 , 分子动力学模拟

小直径石油测井中子发生器研制

肖坤祥 , 艾军 , 史桂娟 , , 梁川 , 梅林

原子核物理评论

为满足国内油田石油测井的迫切需要,对小直径测井中子发生器进行了研发。该发生器离子源采用微型化冷阴极Penning离子源,离子光学采用结构简单的单极加速系统。经实验室测试和用户现场刻度及测井表明,研制的中子发生器具有耐高温、产额高、稳定性好等特点,是目前国内研制的最小直径的工业测井中子发生器。所测数据与其它测井方法相比较,地质资料符合性好,满足了用户测井要求,现已用于油田生产测井。

关键词: 石油测井 , 离子源 , 中子发生器

维生素B12在多壁碳纳米管修饰玻碳电极上的电化学行为及其分析测定

, 李将渊 , 马曾燕

应用化学 doi:10.3969/j.issn.1000-0518.2007.08.014

制备了多壁碳纳米管修饰玻碳电极(MWNT/GCE),研究了该电极对维生素B12(VB12)的电催化作用并测定VB12的分析条件.结果表明,在以0.1 mol/L KCl为支持电解质,pH=7.0的磷酸缓冲溶液中,VB12在MWNT/GCE电极上出现2组氧化还原峰,式量电位分别为-0.10和-0.85 V.VB12在-0.85 V附近的还原峰电流的一次导数值与其浓度在1×10-8~4×10-7 mol/L范围内具有良好的线性关系,其关系式为i'p=5.958×10-7+2.885c(R=0.995),检出限为1.5×10-9 mol/L.以该电极对VB12样品进行测定,回收率为97.3%~107.8%.

关键词: 维生素B12 , 多壁碳纳米管 , 循环伏安法 , 修饰电极

多巴胺在聚L-半胱氨酸/多壁碳纳米管修饰电极上的电化学行为及其伏安测定

马曾燕 , 李将渊 ,

应用化学 doi:10.3969/j.issn.1000-0518.2009.02.022

以多壁碳纳米管(MWNT)作为掺杂剂,在玻碳电极上通过电聚合制备了聚L-半胱氨酸/多壁碳纳米管(poly-L-Cys/MWNT) 复合修饰电极. 研究了多巴胺(DA)在该电极上的电化学行为. 实验表明,poly-L-Cys/MWNT修饰电极对DA有良好的电催化作用,DA在电极上的电氧化还原反应是吸附控制的准可逆过程;DA氧化峰电流与其浓度在80~0.08 μmol/L范围内呈良好的线性关系,检出限为0.02 μmol/L. 常见物质对DA检测无干扰,DA注射液样品检测回收率为98%~104%.

关键词: 多巴胺 , L-半胱氨酸 , 多壁碳纳米管 , 修饰电极

列相液晶中错线和错点自由能的计算

王玉生 , 宋纳红

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2008.03.001

利用φ映射方法得出了计算错线自由能公式和错强度为m=±1的错点自由能公式,从而弥补了挖掉奇异区域来估算自由能的不足.研究结果表明,液晶在有错线的结构中指向矢场更多地出现正的错强度状态.随着k24的增大,m=+1的错点的自由能将降低,而m=-1的错点的自由能将增大.

关键词: 指向矢 , 错线 , 自由能

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