叶丽清
,
闫莉莉
,
向明武
,
高云涛
,
贝玉祥
贵金属
采用循环伏安法(CV)和差分脉冲伏安法(DPV),研究了甲啶铂在多壁碳纳米管-离子液体怱饰玻碳电极(MWNTs-[ODMIM]PF6/GCE)上的电化学行为,建立了甲啶铂的测定方法;以紫外-可见光谱法和电化学方法相结合,研究了甲啶铂与 DNA 的嵌插结合作用。结果表明:甲啶铂在MWNTs-[ODMIM]PF6/GCE上有一对氧化还原峰,氧化峰电位Epa与还原峰电位Epc分别为-0.07 V、-0.36 V,峰电位之差为?E=0.29 V,Ipa/Ipc=1.11。在优化条件下,甲啶铂的氧化峰电流与其浓度在2.66~532μmol/L范围内成良好的线性关系(r=0.9994),检出限为1.33μmol/L。方法操作简便,准确可靠、灵敏度高,可用于甲啶铂含量的直接测定。
关键词:
分析化学
,
甲啶铂
,
多壁碳纳米管
,
离子液体
,
玻碳电极
,
电化学行为
,
伏安法
罗鹏
,
金鑫
,
徐承伟
,
薛致远
,
高强
,
张永盛
腐蚀与防护
采用GPS卫星同步断电法对忠武管道进行了断电电位测量,对结果进行了分析,评价了忠武管道阴极保护系统的有效性,并提出了改进建议.结果表明,三层PE管道相比于环氧粉末涂层管道更容易出现过保护现象,而且还容易受到干扰;电位是反应管道所处状态的主要指标,阴极保护系统的通电电位呈规律分布,但断电电位影响因素复杂,无明显规律.
关键词:
阴极保护
,
通电电位
,
断电电位
密文天
,
张雪松
,
辛杰
,
穆军青
黄金
doi:10.11792/hj20161004
孔沙湾金矿床位于老挝中辽地区的西部巴莱县,矿床金平均品位达3.65×10-6。在下二叠统的剪切构造带中发现厚度大于300 m的透镜状、细脉状金矿(化)体,判断该地层为矿区主要含矿层位。金矿体的产出受NNE向为主的宽缓复式褶皱、断裂和纵向、NNW向的断裂、次级褶皱以及横向次级断裂控制,同时矿区大量节理裂隙、面理构造以及众多小型次级断裂构造发育。矿区单元素异常总体呈NE向,与矿区大断裂构造方向一致;硅质岩及角岩中的Au元素异常平均值较高,达0.021×10-6及0.022×10-6;二叠系玄武岩和硅质岩中Au元素异常值最高,达0.69×10-6,具备良好的成矿远景。推断孔沙湾金矿床类型属于为受构造和次级构造破碎带控制的热液蚀变岩型金矿床。
关键词:
孔沙湾金矿床
,
元素异常
,
成矿远景
,
金矿床类型
张伟
,
李隆盛
,
程骥
金属学报
Ni9铸钢晶界裂纹的形成主要与晶界偏聚杂质元素H,S,P有关;添加稀土后,消除了杂质元素H,S,P在晶界的偏聚,加强了晶界结合力,使晶界裂纹倾向明显降低。
关键词:
Ni9铸钢
,
grain boundary cracking
,
rare earth
曾广胜
,
瞿金平
材料科学与工艺
doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2008.02.022
为了改善聚合物材料的挤出胀大现象,将振动力场引入聚合物的挤出过程.采用动态毛细管流变仪对不同振动参数下的挤出胀大进行研究,建立了相应的物理模型和数学模型,并借鉴前人的工作成果,运用数学推导得到了挤出胀大与振动参数间关系的解析武.研究表明:随着振动频率和振幅的增加,挤出胀大呈非线性减少,并最后趋于稳定.
关键词:
毛细管
,
挤出胀大
,
聚合物
,
电磁动态
陈志英
,
许树勤
,
董湘怀
,
阮雪榆
材料科学与工艺
本构关系是影响模拟结果准确性的重要因素之一,本文采用一种数值模拟和压缩实验相结合的方法鼓度法,即由鼓度θ估算摩擦因子,然后通过主应力法公武去除压缩实验中摩擦因素的影响,得到6063铝合金的真实应力-应变曲线,并回归出本构方程.
关键词:
本构方程
,
鼓度
,
压缩实验
,
数学模型
金属学报
第1期1 6 12 17 21 25 3138科49 53 60 64 6871B B B B B B B B B B B B B BB物料加热过程的最优准则及优化理论的研究················································……李宗瑞陆钟武Fe(III卜HZs仇一NaZS仇水溶液体系的离子平衡····,·····································……伍志春于淑秋LIF一KCI熔盐溶液的径向分布函数··....
关键词:
杭联茂
,
姚熹
,
魏晓勇
功能材料
研究了掺杂Nb2O5或La2O3的Ba(Ti0.9Sn0.1)O3基陶瓷的介电性能.结果表明:掺入0.5%(摩尔比)Nb或La后Ba(Ti0.9Sn0.1)O3基陶瓷的居里温度向低温方向明显移动,而且介电常数显著增大,室温介电常数达30000,峰值介电常数达35000左右,同时介电损耗也明显增加.
关键词:
钛锡酸钡
,
介电常数
,
介电性能