孟佳
,
罗文博
,
吴传贵
,
孙翔宇
,
张平
,
俞玉澄
,
帅垚
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.07.010
以铌铁矿预产物法合成的铌镁酸铅-钛酸铅(PMN-PT)陶瓷粉体和聚二氟乙烯-三氟乙烯共聚物 P (VDF-TrFE)为原料,采用流延法在 ITO 衬底上制备了不同质量配比的 PMN-PT/P (VDF-TrFE)复合厚膜.采用 XRD 及 SEM 分别分析了 PMN-PT 粉体的物相结构和复合材料的...
关键词:
PMN-PT/P(VDF-TrFE)
,
0-3 型复合材料
,
极化温度
,
热释电性
刘祚麟
,
吴传贵
,
张万里
,
李言荣
功能材料
采用倒筒式射频溅射方法,在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了Ba0.65Sr0.35TiO3(简称BST)薄膜.研究了自偏压对BST薄膜结构及电学性能的影响.在较高自偏压下制备的BST薄膜具有高度的(100)择优取向,且结晶性好,表面平整,耐压能力强.在25℃时薄膜的热释电系数高达6.73×10...
关键词:
BST
,
倒筒式
,
射频溅射
,
热释电系数
,
探测率
卢肖
,
吴传贵
,
张万里
,
李言荣
功能材料
采用射频溅射制备Ba0.8Sr0.2TiO3(BST)薄膜,研究了测试温度(295～375K)对BST薄膜J-V(电流密度-电压)特性的影响.实验发现:J∝Vm在低场下(V＜1.8V)m≈1,高场下(V＞1.8V)m≈8.随着测试温度升高,在低场下电流密度增大,指数m值保持不变;而在高场下电流密度减...
关键词:
BST薄膜
,
漏电流
,
温度特性
,
空间电荷限制电流
吴传贵
,
刘兴钊
,
张万里
,
李言荣
功能材料
利用传统陶瓷工艺制备出BST(65/35)倒筒靶,采用射频溅射法沉积薄膜.开展了对Pt/Ti/SiO2/Si基底热处理工艺与BST同质缓冲层研究,总结出了可以确保基底界面性能良好、BST薄膜结构致密的工艺方法.介电性能测试表明:BST薄膜的介电常数约为60～70,介电损耗为1.5%～2.5%,居里温...
关键词:
BST薄膜
,
射频溅射
,
低温沉积
,
红外探测器
蔡光强
,
罗文博
,
吴传贵
,
陈冲
,
钱东培
功能材料
采用流延工艺，在ITO玻璃衬底上制备了不同质量分数的锆钛酸铅（PZT）／聚偏氟乙烯（PVDF）热释电复合材料。采用X射线衍射方法对复合材料极化前后的物相变化进行了对比分析，通过扫描电子显微镜分析了不同PZT质量分数复合材料的界面特征。从热释电探测器件的实际要求出发，利用介电阻抗测试仪、动态法热释电系...
关键词:
0-3型复合材料
,
PZT/PVDF
,
热释电性
何小祥
,
吴传贵
,
张万里
功能材料
利用射频(RF)溅射在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上沉积(Ba0.65Sr0.35)TiO3(BST)薄膜,制成Pt/BST/Pt平板电容,研究在正反偏压下BST薄膜漏电流的J-V和J-T特性.反偏压时,上电极Pt和BST薄膜形成肖特基接触,漏电流遵循肖特基发射机制.正偏压时,BST薄膜和下电极P...
关键词:
PTCR
,
BST薄膜
,
陷阱填充限制电流
,
空间电荷限制电流
包崇军
,
蒋文龙
,
李晓阳
,
吴红林
,
邹利明
,
罗凌艳
,
柯浪
,
许娜
,
田林
贵金属
从理论上分析了采用真空蒸馏法分离贵铅中铅、银、铜、铋、锑的可行性，研究了蒸馏时间、蒸馏温度对贵铅中金属分离效果的影响规律。实验结果表明，当系统压力在10~20 Pa，温度在80...
关键词:
有色金属冶金
,
真空蒸馏法
,
贵铅
,
金属分离
