庞晋山
,
张海燕
,
李丽萍
,
吴其光
,
林锦
新型炭材料
采用氩电弧等离子体法制备不同粒径的炭包铜纳米粒子,研究其抗氧化性能、在水介质中的分散性能和导热性能.结果表明:炭层的保护作用赋予铜晶体更高的抗氧化性能;非晶炭层的特殊结构可通过双氧水化学处理使其表面产生羧基和羟基,提高其在水介质中的分散性能;炭包铜粒径越小,纳米流体导热性能越好.
关键词:
炭包铜纳米粒子
,
纳米流体
,
导热性能
吴其光
,
张海燕
,
张琇滨
高分子材料科学与工程
选用实验室自制的碳包覆纳米铜颗粒(Cu@C)为导热填料,以α,ω-二羟基聚二甲基硅氧烷为基体,采用机械共混法制备了碳包覆纳米铜颗粒/室温硫化(Cu@C/RTV)硅橡胶导热复合材料.通过透射电子显微镜、BET法、热导率测试仪、热重分析仪、万能材料试验机及邵氏硬度计等方法和手段,完成Cu@C纳米颗粒填料的微观形貌分析和比表面积测定,并研究了Cu@C填料在低填充量下(<30%)(质量分数,下同)对于Cu@C/RTV硅橡胶导复合材料热导率、热稳定性及力学性能的影响.结果表明,Cu@C纳米颗粒为球形、包覆型核壳结构,平均粒径在50 nm左右,其比表面积为69.66 m2/g.Cu@C/RTV硅橡胶导热复合材料的热导率随着Cu@C纳米颗粒填充量的增加而增大;填充量为30%时,复合材料的热导率可达2.41 W/mK;加入Cu@C纳米颗粒填料能够将RTV硅橡胶的热分解起始温度提高到422℃,并延缓其最终分解温度至625℃;随着Cu@C/RTV硅橡胶导热复合材料中Cu@C纳米颗粒填充量的增加,复合材料的拉伸强度和断裂伸长率呈下降趋势,而100%定伸应力和硬度则呈增大趋势.
关键词:
碳包覆纳米铜颗粒
,
室温硫化硅橡胶
,
导热复合材料
,
热导率
,
力学性能
庞晋山
,
张海燕
,
吴其光
,
林锦
,
徐卓文
,
涂文英
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2011.03.007
氩电弧等离子体法制备碳包铜纳米粒子,采用双氧水化学处理和添加十二烷基苯磺酸钠两种方法制备碳包铜-水纳米流体,探讨了不同分散方法对碳包铜纳米流体导热性能的影响.结果表明,双氧水化学处理碳包铜纳米粒子制备水介质分散体系具有比添加分散剂制备分散体系更高的导热性能.采用化学处理法,添加质量分数为2.0%的碳包铜-水纳米流体导热率可提高60%.
关键词:
碳包铜纳米粒子
,
纳米流体
,
导热性能
章靖国
,
韩庆康
,
张杰昆
金属学报
应用正交表试验设计法研究了MnBi薄膜制备工艺对其磁光优值的影响,锰对铋的比值、热处理温度以及两者的交互作用对磁光优值有显著的影响,其中交互作用的影响特别显著,其余三个工艺因素(热处理时间、离子轰击和冷阱种类)在被考察的范围内对磁光优值没有明显的影响。还提出一种测量光吸收系数的方法,可用来测量光密度较大的薄膜,只要在测量Faraday旋光的设备上稍加改装即能实现。
关键词:
工程热物理学报
根据《吴仲华奖励基金章程》(吴奖[2008]01号),经各高等院校、中国工程热物理学会和中国科学院工程热物理研究所认真评选和推荐,吴仲华奖励基金理事会评审并确定授予青年学者戴巍、罗坤、唐桂华“吴仲华优秀青年学者奖”,授予程雪涛等10位同学“吴仲华优秀学生奖”。
关键词:
基金
,
奖励
,
评选
,
获奖者
,
中国科学院
,
青年学者
,
物理研究所
,
高等院校
工程热物理学报
根据《吴仲华奖励基金章程》(吴奖[2010]01号),经各高校、中国工程热物理学会和中国科学院工程热物理研究所遴选和推荐,以及吴仲华奖励基金理事会评审,决定授子钟文琪、张鹏、张明明、徐纲4位青年学者“吴仲华优秀青年学者奖”,授予顾超等13位同学“吴仲华优秀学生奖”。
关键词:
基金
,
奖励
,
获奖者
,
中国科学院
,
评选
,
青年学者
,
物理研究所
,
物理学会
徐承明
,
王永明
,
肖宇
,
张宇
,
陈义庆
,
徐小连
,
钟彬
,
侯选东
涂料工业
doi:10.3969/j.issn.0253-4312.2011.09.016
针对某些家电彩涂板经过一定时间的放置或在加工使用过程中发生的局部表面光泽明显降低(即失光)现象,利用扫描电镜和电化学方法对高光泽家电彩涂板涂层表面与脱漆后基板表面的表面形貌及化学成分的分析,确定了家电彩涂板表面失光缺陷是由涂前的基板表面形成镀层氧化物造成的,通过盐雾试验对比,确定了该缺陷对彩涂板的耐腐蚀性能具有严重影响,并提出了改进措施,减少家电彩板表面失光缺陷的发生除了要加强涂前工序控制外,还要避免将彩涂板存放在高温高湿的环境中.
关键词:
家电彩涂板
,
光泽
,
失光
,
耐腐蚀
,
盐雾试验
周咏东
,
金亿鑫
无机材料学报
用扫描电镜继续对发光多孔硅的阴极射线发光进行了系统的研究,得到了其阴极荧光发射部位、强度分布显微照片,发现在样品的表面层脱落处(暴露着多孔层大量微孔)无阴极射线发光产生,只有表面层未脱落处才有阴极射线发光;对样品的截面实验研究同样清楚地表明多孔硅样品的阴极射线发光只来源于其表面层,多孔层、硅单晶衬底区域不发生阴极射线发光.实验还提供了阴极射线发光强度在截面上随深度变化情况显微照片.阴极射线发光光谱表明其光谱峰值位置在680nm处,相似于多孔硅的光致发光.实验结果再次表明多孔硅的可见光来源于其表面层中的荧光物质.
关键词:
多孔硅
,
photoluminescence
,
cathodoluminescence
,
SEM