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不同退火温度下金属/4H-SiC Schottky势垒高度的研究

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2005.02.024

采用磁控溅射的方法在4H-SiC样品上分别沉积四种金属薄膜(Ag,Cu,Ni,Cr)形成Schottky接触,研究了不同温度退火对Schottky势垒高度的影响.通过对样品的I-V测试结果的拟合,得到各金属/4H-SiC Schottky接触的势垒高度以及理想因子.在反向偏压100V下,样品的反向漏...

关键词: 光电子学 , 4H-SiC , Schottky势垒高度 , 退火

不同In组分及阱宽的InGaAs/GaAs应变量子阱的表面光伏谱

孔令民 , 蔡加法 , 李明 , 吴正云 , 沈文忠

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2002.02.004

本文采用表面光伏谱方法,对不同组分及阱宽的InGaAs/GaAs应变量子阱进行了变温表面光伏谱测量.利用形变势模型理论计算,对样品的表面光伏谱进行指认,理论与实验符合得很好.

关键词: 表面光伏谱 , 应变量子阱 , 形变势模型

InGaAs量子点的低温光伏谱研究

吴正云 , 黄启圣

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2000.05.047

关键词:

自组织生长单层InAs量子点结构中浸润层与量子点发光的时间分辨谱研究

孔令民 , 蔡加法 , 陈主荣 , 吴正云 , 牛智川

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2003.02.017

在GaAs(100)的衬底上,采用MBE自组织方法生长了单层层厚分别为2和2.5 ML的InAs层.通过原子力显微镜(AFM)观察,证实已在InAs层中形成量子点.采用光致发光谱及时间分辨谱对InAs量子点及浸润层开展研究和对比,分析了单层InAs量子点和浸润层中的载流子迁移过程,较好地解释了实验结...

关键词: InAs量子点 , 浸润层 , 时间分辨谱

金属-半导体-金属(MSM)结构4H-SiC紫外光电探测器的研制

吴正云 , XIN Xiao-bin , YAN Feng , ZHAO Jian-hui

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2004.02.019

MSM结构探测器具有结构与工艺简单、制备成本低、量子效率高等特点而在探测器应用中得到重视.本文制备了采用镍作为肖特基接触形成的MSM 4H-SiC紫外光电探测器,并测量和分析了在不同的偏压下其光电特性.结果表明,该探测器的暗电流非常小,在偏压为15 V的时候,漏电流密度约为70 nA/cm2,光电流...

关键词: 光电子学 , 4H-SiC , MSM结构 , 紫外探测器

4H-SiC雪崩光电探测器中倍增层参数的优化模拟

钟林瑛 , 洪荣墩 , 林伯金 , 蔡加法 , 陈厦平 , 吴正云

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2011.06.017

应用ATLAS模拟软件,设计了吸收层与倍增层分离的(SAM)4H-SiC雪崩光电探测器(APD)结构.分析了不同外延层厚度和掺杂浓度对器件光谱响应的影响,对倍增层参数进行优化模拟,得出倍增层的最优化厚度为0.26 μm,掺杂浓度为9.0×1017 cm-3.模拟分析了该APD的反向IV特性、光增益、...

关键词: 光电子学 , 4H-SiC , APD , 光谱响应 , 探测率

4H-SiC紫外光电探测器光电特性随温度变化的研究

郑云哲 , 林冰金 , 张明昆 , 蔡加法 , 陈厦平 , 吴正云

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2011.06.016

利用光电流谱法研究了300 K到60 K温度范围内的p-i-n结构4H-SiC紫外光电探测器的暗电流及相对光谱响应特性.研究发现随着温度的降低,探测器的暗电流和相对光谱响应都逐渐减小；而且,反向偏压越高,暗电流减小的速率越大.在零偏压下,随着温度的降低,器件的相对光谱响应的峰值波长先向短波方向移动,...

关键词: 光电子学 , 4H-SiC , p-i-n紫外光电探测器 , 温度特性 , 光电特性

4H-SiC基紫外光电探测器研究进展

蔡加法 , 吴正云

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2014.04.014

介绍了4H-SiC材料用于高温、低电平紫外光电检测的优点,回顾总结了近年来4H-SiC基紫外光电探测器的研究进展,分析了改善4H-SiC基紫外光电探测器性能参数如降低暗电流、提高光电响应度等可采用的各种技术手段,探讨了4H-SiC基紫外光电探测器的发展趋势.

关键词: 光电子学 , 4H-SiC , 紫外光电探测器

KrF脉冲激光退火制备锐钛矿TiO2薄膜

张自锋 , 张志威 , 洪荣墩 , 陈厦平 , 吴正云

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2015.06.006

在常温下,用射频磁控溅射在石英衬底上沉积厚度约为200 nm的TiO2薄膜,使用波长为248 nm的KrF脉冲激光器,在不同功率密度下对薄膜样品进行辐照退火处理,并采用X射线衍射(XRD)、拉曼(Raman)、X射线电子能谱(XPS)、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、高分辨率扫描隧...

关键词: 激光技术 , KrF脉冲激光 , 薄膜 , TiO2 , 光学特性

4H-SiC p-i-n紫外光电探测器的电容-电压特性研究

蔡加法 , 陈厦平 , 吴少雄 , 吴正云

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2016.06.018

分析并比较了4H-SiC p-i-n紫外光电探测器的电容-电压(C-V)特性随温度和偏置电压的变化情况,观测到4H-SiC p-i-n结构中的深能级缺陷.结果表明:由于近零偏压时探测器i型层已处于耗尽状态,其高频(1 MHz) C-V特性几乎不随反向偏压变化.随着温度升高,被热离化的自由载流子数量增...

关键词: 光电子学 , 4H-SiC , p-i-n紫外光电探测器 , 电容-电压 , 深能级缺陷

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