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上海金吴乙烯管线的腐蚀检测

樊洪 , 蒋霞星 , 刘志刚

腐蚀与防护 doi:10.3969/j.issn.1005-748X.2006.04.014

金吴乙烯管线在运行十几年后需对全线的腐蚀情况作评估,调查了管道的涂层、厚度、腐蚀情况及阴极保护系统的效果,结果表明涂层防护仍是有效的,阴极保护的外加电流装置运行正常,保护系统的维护是非常重要的.

关键词: 涂层 , 阴极保护 , 评估

一种新型的超导磁场单晶炉的研制

吴金良 , 钟兴儒 , 陈诺夫 , 田金法 , 林兰英

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.039

磁场对于半导体晶体生长过程中的熔体流动模式有着明显的影响,因而可以改善晶体的组分和杂质的分布.在半导体单晶生长过程当中利用超导磁场来抑制熔体的对流,采用这种方式既可以生长出优质的单晶又可以研究熔体的对流与扩散对生长半导体单晶的质量影响.本文报道了新近自行设计、制造的一种新型超导磁场直拉单晶炉.

关键词: 磁场 , 单晶炉

半导体材料的微重力生长

尹志岗 , 张兴旺 , 吴金良

中国材料进展 doi:10.7502/j.issn.1674-3962.2017.04.01

空间微重力环境提供了一个独特平台,以改进地面材料性能、深入理解被地面重力掩盖的晶体生长现象.半导体空间材料科学的主要进展有:①基于对组分均匀的完美半导体的追求,人们对于晶体生长机理,特别是对流、溶质传输及组分分凝的相互作用,有了更加深入的理解;②基于空间实验结果,人们澄清了非接触 Bridgman生长的内在机理,并将之用于指导空间及地面实验;③提出了新的微重力晶体生长技术并成功用于组分均匀半导体合金材料的制备.回顾了以上方面的研究进展,并对半导体空间材料科学的未来挑战进行了展望.

关键词: 微重力 , 浮力对流 , Marangoni对流 , Bridgman生长 , 非接触生长

吴家塬金矿选矿工艺研究及生产实践

张大铸 , 贾振武

黄金 doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2001.02.011

根据吴家塬金矿矿石为含砷微细粒金矿石这一性质,针对该矿原选矿工艺存在的问题进行了小型试验研究.依据小型试验结果,将原流程的一段磨矿改为二段磨矿;将浮选单一用药改为多种混合用药.流程改造后,金回收率提高了26.11%,年增效益154.21万元.

关键词: 含砷微细粒金矿石 , 二段磨矿 , 工艺流程 , 金回收率

第四届“吴仲华奖励基金”评选出获奖者

工程热物理学报

根据《吴仲华奖励基金章程》（吴奖[2008]01号），经各高等院校、中国工程热物理学会和中国科学院工程热物理研究所认真评选和推荐，吴仲华奖励基金理事会评审并确定授予青年学者戴巍、罗坤、唐桂华“吴仲华优秀青年学者奖”，授予程雪涛等10位同学“吴仲华优秀学生奖”。

关键词: 基金 , 奖励 , 评选 , 获奖者 , 中国科学院 , 青年学者 , 物理研究所 , 高等院校

第五届“吴仲华奖励基金”评选出获奖者

工程热物理学报

根据《吴仲华奖励基金章程》（吴奖[2010]01号），经各高校、中国工程热物理学会和中国科学院工程热物理研究所遴选和推荐，以及吴仲华奖励基金理事会评审，决定授子钟文琪、张鹏、张明明、徐纲4位青年学者“吴仲华优秀青年学者奖”，授予顾超等13位同学“吴仲华优秀学生奖”。

关键词: 基金 , 奖励 , 获奖者 , 中国科学院 , 评选 , 青年学者 , 物理研究所 , 物理学会

良渚文化玉器的稀土元素特征及其考古学意义

程军 , 杨学明 , 杨晓勇 , 王昌燧 , 王巨宽

稀土 doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2000.04.001

本文利用ICP-MS对新石器时代良渚文化瑶山遗址出土的古玉器进行了稀土元素分析,并与产于新疆和阗玉石矿的软玉进行了对比.结果表明,瑶山古玉器的稀土元素配分型式、特征比值均明显不同于和阗玉,说明良渚文化玉器的玉石应选自当地,这与李约瑟[1]教授认为中国古玉器都源于新疆和阗的论点不同.

关键词: 良渚玉器 , ICP-MS , 稀土元素(REE) , 产地分析

吴航钢铁公司热轧不锈窄带钢生产线

褚元强

上海金属 doi:10.3969/j.issn.1001-7208.2002.06.004

介绍福州吴航钢铁公司热轧不锈窄带钢生产线的设计和工艺、设备情况,投产后的实践表明,该生产线的设计基本是成功的.此外还讨论了工艺实践中尚存在的问题和改进建议.

关键词: 不锈窄带钢 , 热轧生产线 , 工艺设计 , 半连轧机

磁控溅射成膜温度对纯铝薄膜小丘生长以及薄膜晶体管阵列工艺良率的影响

刘晓伟 , 郭会斌 , 李梁梁 , 郭总杰 , 郝昭慧

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20142904.0548

纯铝薄膜被广泛用作TFT LCD的金属电极,但纯铝薄膜在热工艺中容易产生小丘,对TFT的阵列工艺的良率有较大影响.本文用磁控溅射的方法在不同温度下沉积纯铝薄膜作为薄膜晶体管的栅极,并通过电学检测、扫描电子显微镜和应力测试等方法对不同温度下沉积的纯铝薄膜的小丘生长情况进行了研究.实验结果表明:纯铝成膜温度提高,薄膜的晶粒尺寸增大,退火后产生小丘的密度和尺寸明显降低,温度应力曲线中屈服点温度也相应提高.量产中适当提高成膜温度,可以有效抑制小丘的发生,提高TFT阵列工艺的量产良率.

关键词: 薄膜晶体管阵列工艺 , 磁控溅射 , 纯铝薄膜 , 小丘 , 量产良率

吴式枢先生简历

原子核物理评论

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