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界面涂层对气相渗硅Cf/SiC复合材料力学性能的影响

, 董绍明 , 丁玉生 , 张翔宇 , 王震 , 黄政仁 , 江东亮

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2007.01142

在1650℃气相渗硅(Vapor Silicon Infiltration-VSI)制备了3D碳纤维增强SiC基复合材料(Cf/SiC), 其密度约为1.85g/cm3. 当C/SiC界面涂层存在时, 气相渗硅Cf/SiC强度为239.5MPa; 而无界面涂层存在时, Cf/SiC弯曲强度大幅下降, 约为67.4MPa. 无界面涂层保护时, 气相渗硅过程中纤维与硅蒸气发生反应, 使得纤维硅化, 造成材料性能下降. 纤维表面沉积的C/SiC涂层, 不仅保护纤维, 避免被硅侵蚀, 而且具有弱化界面、偏转裂纹等作用, 复合材料的断裂功得到显著提高. 将气相渗硅温度提高到1700℃后, 有界面涂层存在情况下Cf/SiC复合材料密度显著提高, 达到2.25g/cm3, 强度基本与1650℃时相当.

关键词: Cf/SiC , vapor silicon infiltration , interphase

界面对浆料浸渍裂解Cf/SiC复合材料性能的影响

, 董绍明 , 丁玉生 , 张翔宇 , 王震 , 黄政仁 , 江东亮

稀有金属材料与工程

利用强制脉冲CVI工艺在2.5D纤维编织体上沉积C-SiC双层界面,然后通过浆料浸渍裂解方法得到了Cf/SiC复合材料,并考察界面中C层、SiC层厚度变化对Cf/SiC复合材料性能的影响.界面中C层、SiC层厚度变化对浸渍过程影响不大,得到的Cf/SiC复合材料密度基本相当,约2.0 g/cm3.但随C层厚度的增加,强度减小;随着SiC层厚度的增加,强度增加,到达一定厚度后,其强度几乎不变,为290.0 MPa.在C层厚度为50 nm,SiC层厚度为600 nm时,表现出强的非脆性断裂.

关键词: 浸渍裂解 , 纤维拔出 , 界面 , 非脆性

MBE生长GaAs(001)薄膜表面的Ostwald熟化过程研究

王继红 , 罗子江 , , 郭祥 , , 刘珂 , 丁召

功能材料

采用带有RHEED的MBE技术,利用RHEED图像演变实时监控薄膜生长状况,通过RHEED强度振荡测算薄膜生长速率,在GaAs (001)基片上同质外延GaAs薄膜.利用STM对MBE生长的GaAs薄膜表面的熟化过程进行了深入研究.研究发现,随着退火时间的延长,刚完成生长的GaAs表面从具有大量岛和坑的粗糙表面逐渐熟化,在熟化过程中岛不断合并扩大并与平台结合,而坑却逐渐消失.指出当熟化过程完成后GaAs表面将进入原子级平坦状态,并详细解释了熟化过程GaAs表面各种形貌特征形成的内在原因.

关键词: GaAs薄膜 , MBE , RHEED , STM , 熟化

界面涂层对气相渗硅Cf/SiC复合材料力学性能的影响

, 董绍明 , 丁玉生 , 张翔宇 , 王震 , 黄政仁 , 江东亮

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324x.2007.06.026

在1650℃气相渗硅(Vapor Silicon Infiltration-VSI)制备了3D碳纤维增强SiC基复合材料(Cf/SiC),其密度约为1.85g/cm3.当C/SiC界面涂层存在时,气相渗硅Cf/SiC强度为239.5MPa;而无界面涂层存在时,Cf/SiC弯曲强度大幅下降,约为67.4MPa.无界面涂层保护时,气相渗硅过程中纤维与硅蒸气发生反应,使得纤维硅化,造成材料性能下降.纤维表面沉积的C/SiC涂层,不仅保护纤维,避免被硅侵蚀,而且具有弱化界面、偏转裂纹等作用,复合材料的断裂功得到显著提高.将气相渗硅温度提高到1700℃后,有界面涂层存在情况下Cf/SiC复合材料密度显著提高,达到2.25g/cm3,强度基本与1650℃时相当.

关键词: Cf/SiC , 气相渗硅 , 界面

膜技术在生态环境治理中的应用

王世昌 , 丁涛 , 王志 ,

膜科学与技术 doi:10.3969/j.issn.1007-8924.2006.03.001

随着经济发展和人口增加,导致大量水源污染、生态环境恶化.近十多年来,在水环境治理和生态修复方面,膜技术以其低成本和高处理能力的优点,正在发挥着巨大作用.介绍了膜技术在大面积污染治理和生态环境恢复中的应用实例.其中包括美国科罗拉多河灌溉区河流咸水治理及其反渗透脱盐工程;膜法处理废水或地表水的井下贮水工程;河流、湖泊等市政供水水源,因富营养化,生物暴发,而采用低压膜(NF,MF和UF)的水处理技术.通过这些成功实例分析了低压膜的技术优势和经济优势.文章指出,我国亟待发展低压膜改善水环境的技术.并建议乘国家治理"三河"、"三湖"的有利时机,建立被污染水源的低压膜治理与修复示范工程,逐步开展以低压膜水处理技术为支柱的井下贮水研究和示范,大力发展低压膜的生产与应用.

关键词: 膜技术 , 水处理 , 生态环境治理 , 井下贮水与回用 , 低压膜

强制脉冲 CVI沉积 C纤维表面涂层的工艺研究

, 董绍明 , 张翔宇 , 丁玉生 , 黄政仁 , 江东亮

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2006.01378

以MTS/H2为前驱物, 采用强制脉冲CVI(FP-CVI)方法, 进行了在C纤维表面沉积SiC涂层的研究, 并探讨了其工艺过程. 结果表明, 在1000~1100℃和(5~25)kPa, 沉积得到的\beta-SiC具有明显的(111)面取向, 涂层均匀一致, 厚度可控. 在实验过程中, 随着单次驻留时间和脉冲次数的增加, 涂层厚度也随之增加, 涂层厚度与脉冲次数成非线性关系. 当脉冲次数为300时, C纤维表面沉积SiC层后其质量增加达到36.18%.

关键词: C纤维 , SiC coating , FP-CVI

晶粒尺寸和膜厚度对介观尺度铝箔蠕变变形的影响

, 伊藤吾朗

金属学报

处于介观尺度的材料的塑性变形行为不同于通常的宏观范围的材料,存在尺度效应。而且其变形也不同于微观尺度的材料[1]。研究处于介观尺度材料的塑性变形的重要意义在于,为微成形的基本成形规律的研究和工艺技术的发展铺平道路。通过在200C恒载荷的高温变形实验,研究厚度为10~350微米的铝合金箔的等温塑性变形行为。研究铝箔的厚度和晶粒大小对高温变形速率的影响规律。通过透射电子显微镜的观察可以发现在晶界旁存在亚晶界。用t/d参量能很好的描述塑变的尺度效应,随着t/d的减小,应变速率增大。t/d对应力指数也具有影响作用。得到一个经验的公式来描述应变速率和t/d的关系,用此公式能较好地模拟应力指数随t/d的变化。

关键词: 蠕变 , aluminium alloy , thin foil , microforming , thickness

生物医用Ti-29Nb-13Ta-5Zr合金的超塑性行为

张方哲 , , 童国权 , 陈明和 , 陶克梅

稀有金属材料与工程

采用拉伸速率突变法,研究Ti-29Nb-13Ta-5Zr(Ti-29-13)合金冷轧后在700~800℃和5×10<'-4>~1×10<'-2>s<'-1>应变速率范围内的高温变形行为和变形机制,并与典型β钛合金Ti-15V-3Cr-3Sn-3AI(Ti-15-3)进行比较.结果显示两种合金中均出现了非连续屈服现象,Ti-29-13合金的亚晶行为不同于Ti-15-3合金.Ti-29-13合金的延伸率低于Ti-15-3合金,应力指数,n几乎恒定为3.3,变形激活能为152~161 kJ/mol;Ti-15-3合金在730℃以上的n值为2.3~2.5,变形激活能为173~176kJ/mol.

关键词: Ti-29Nb-13Ta-5Zr合金 , 超塑性 , 高温变形机制 , 微观结构

基于晶界迁移率与晶界能各向异性的晶粒生长元胞自动机模拟

李旭 , , 陈明和 , 王小芳

机械工程材料

基于晶粒长大的理论模型,结合曲率机制与概率性转变规则,建立了晶界迁移率与晶界能各向异性条件下的二维元胞自动机模型,利用该模型对晶粒等温条件下的生长过程进行了模拟,分析了晶粒长大的组织演变与动力学特征、晶粒尺寸和晶粒边数的分布,对比了晶界迁移率各向异性、晶界能各向异性对晶粒生长的影响。结果表明:晶界迁移率与晶界能各向异性条件下晶粒形态演变遵循晶粒正常长大的规律,相对晶粒尺寸偏离正态分布,晶粒边数分布不具有时间不变性特点,小角度取向差三叉晶界平衡角偏离120°;与各向同性相比,晶界迁移率与晶界能各向异性条件下晶粒的生长速率明显减慢,单独考虑晶界迁移率各向异性对晶粒生长的影响不大,晶界能各向异性对晶粒生长的影响大于晶界迁移率各向异性的影响;模拟结果符合晶粒生长动力学理论和相关文献的结论。

关键词: 晶粒长大 , 各向异性 , 元胞自动机 , 模拟

变形条件对AZ31镁合金塑性的影响

朱浩 ,

机械工程材料

对AZ31镁合金进行了不同轧角的冷轧及退火处理以细化其晶粒尺寸,然后在不同变形条件下对AZ31镁合金进行拉伸试验,研究了应变速率、变形温度、晶粒尺寸等因素对镁合金塑性的影响,并探讨了其超塑性的变形机理.结果表明:随着变形温度的升高,合金的流变应力单调递减,伸长率增大;在150~300℃,合金的变形激活能为90 kJ·mol-1,变形机制是晶界扩散控制的位错蠕变机制;在300~350℃,变形激活能为123 kJ·mol-1,变形机制是晶格扩散控制的晶界滑移;此合金的塑性成形条件适合工业生产.

关键词: 塑性 , 变形机理 , 变形条件 , AZ31镁合金

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