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Sc2O3掺杂ZrO2电解质材料的水热合成及其电性能

, 徐华蕊

材料导报

采用水热法合成了SSZ(Sc2O3掺杂的ZrO2)纳米粉体,经成型、烧结得到电解质烧结体.对样品晶相组成、微观形貌、结构进行了表征,并对烧结体进行了电性能分析.研究表明:所得粉体于1500℃下烧结4 h可形成致密度达97%的立方萤石结构烧结体,比传统固相方法和Sol-gel法低200℃以上.随烧结温度升高和Sc2O3含量的增加,SSZ样品的电导率先增加后降低,经1500℃烧结的8mol%Sc2O3-ZrO2样品在900℃时电导率为0.23 S/cm,800℃为0.13 S/cm,优于采用固相法、共沉淀法、Sol-gel等方法制备的同类材料.

关键词: SOFC , SSZ , 纳米粉体 , 水热 , 电导率

YSZ电解质薄膜制备工艺进展

, 徐华蕊

材料导报

电解质作为固体氧化物燃料电池(SOFC)的关键组件,很大程度上决定着燃料电池性能的优劣和成本的高低.钇稳定氧化锆(YSZ)因其优良的综合性能,一直是SOFC最具竞争力的电解质材料之一,因此开发YSZ电解质工艺已成为人们关注和研究的热点.论述了制备YSZ电解质薄膜的主要方法,并对这些方法进行了评述和展望.

关键词: 固体氧化物燃料电池 , 电解质薄膜 , 钇稳定氧化锆 , 流延成型 , 溅射

小角度晶对单晶高温合金高疲劳性能的影响

史振学 , 刘世忠 , 赵金乾 , 李嘉荣

材料热处理学报

用双籽晶法制备了带有9°小角度晶的DD6单晶高温合金试板,研究了小角度晶对合金700℃高疲劳性能的影响,并与[001]取向合金的疲劳性能进行了对比分析,用扫描电镜和透射电镜分析了其断口形貌和断裂机制.结果表明,带有9°小角度晶合金的高疲劳极限比[001]取向合金的稍有降低.疲劳裂纹萌生于试样表面或亚表面,而不在晶上形成.小角度晶试样的疲劳断裂机制有两种情况,大部分试样为类解理断裂,其它试样为类解理与沿晶混合断裂.

关键词: 单晶高温合金 , DD6 , 小角度晶 , 疲劳

2.25CrMoV 钢于夹杂物和晶处开裂低疲劳裂纹扩展的原位观测

吴海利 , 安春香 , 王朋 , 丁玉明 , 王德强

机械工程材料 doi:10.11973/jxgccl201603004

对汽轮机转子用2.25CrMoV 钢在真空常温条件下进行高应力低疲劳试验,对试样中起源于夹杂物和晶等典型缺陷处的裂纹扩展进行了原位连续观测,研究了典型缺陷对疲劳裂纹萌生和初期扩展的影响.结果表明:在高应力循环载荷作用下,夹杂物的形状和尺寸对疲劳裂纹的扩展无明显影响,夹杂物处萌生裂纹的扩展速率小于晶处萌生裂纹的扩展速率;短裂纹群体效应和滑移线快速增殖的共同作用是导致试样疲劳破坏的主要原因.

关键词: 2.25CrMoV 钢 , 夹杂物 , , 短裂纹 , 疲劳

“十二·五”开局之年我国材料的一次学术盛会——“2011北京材料暨展览会”侧记

刘新梅

中国材料进展

2011年5月18~20日,“2011北京材料暨展览会”在北京国家会议中心隆重举行。本次会议由中国材料研究学会主办,北京科技大学、华南理工大学、哈尔滨工业大学、中国建筑材料科学研究总院、中国钢研科技集团和北京航空航天大学共同协办,并得到了国际材料联合会(IUMRS)、中国科学技术协会、国家自然科学基金委员会、

关键词: 材料研究学会 , 北京科技大学 , 展览会 , 国家自然科学基金委员会 , 北京航空航天大学 , 哈尔滨工业大学 , 学术 , 华南理工大学

冲击疲劳循环形变阶段的晶行为

张萌 , 杨平生 , 刘炎 , 谈育煦

金属学报

研究了低碳钢在低冲击疲劳循环变阶段的晶行为, 用扫描电子显微镜对试样表面进行了观察, 结果表明晶表出如下特征, 滑移线既可连续地跨越晶, 也可受阻于晶并形成台阶, 晶发生诸如增粗, 消失等现象, 伴随着形变过程, 出现新的亚晶, 晶的既阻碍滑移, 又激发次滑移系开动, 讨论了产生这些现象的可能机制.

关键词: 冲击疲劳 , null , null , null

超高疲劳的研究进展

关昕 , 孟延军

钢铁研究

论述了超高疲劳研究的背景及意义,总结了近年来超高疲劳的研究成果包括超高疲劳的典型特征如S-N曲线、裂纹起源、起裂机理、影响超高疲劳行为的因素等,介绍了超高疲劳的常用实验手段,提出了今后超高疲劳研究的课题.

关键词: 超高疲劳 , S-N曲线 , 疲劳裂纹萌生 , 超声疲劳实验

GH133合金高温低疲劳研究

陈国良 , 王敬智 , 王海清 , 陈红

金属学报

本文研究了GH133合金的循环应力应变反应和低疲劳性能,并作了位错结构观察.通过对比拉压对称(R=-1)试验和恒定最大正应变(ε_(max)=C)试验,证明平均拉应力起降低寿命的作用.位错结构观察证明,循环使共格γ质点的相处产生应力场,最终导致位错的萌生和运动,位错运动又进一步增殖位错.位错运动方式是变化的,由成对切割γ′质点到单位错切割γ′质点和位错绕过γ′质点,滑移带位错结构最终可以出现饱和的梯状结构.晶和双晶附近位错密度高,具有位错胞结构,同时可以出现沿晶或双晶裂纹.

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