王剑锋
,
马大衍
,
宋忠孝
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唐武
,
徐可为
稀有金属材料与工程
利用射频反应磁控溅射设备在不同N2分压下制备了Zr-Si-N 纳米复合薄膜.研究了N2分压对薄膜组织和性能的影响.结果表明:随着N2分压的增加,薄膜中Zr、Si元素含量比降低,且薄膜方电阻增加;Zr-Si-N薄膜的微观组织由纳米晶ZrN嵌入SiNx非晶基体构成,在低N2分压条件下,有少量Zr2Si 形成.Zr2Si 的形成与低N反应活性相关.在0.03 Pa N2分压条件下,Zr-Si-N薄膜硬度达到22.5 GPa的最大值.高N2分压制备薄膜硬度较低可能与Si原子造成的晶格畸变相关.
关键词:
Zr-Si-N薄膜
,
磁控溅射
,
微观组织
,
性能
唐武
,
徐可为
,
王平
,
李弦
金属学报
用磁控溅射方法在Al2O3基片上沉积Au/NiCr/Ta多层金属膜, 通过X射线衍射技术研究退火前后薄膜晶体取向的变化, Auger电子能谱分析退火前后薄膜沿深度方向的元素分布, 四点探针测试退火前后薄膜电阻率. 结果表明: 退火后111Au与200Au衍射强茺相对比值减小; 薄膜表面电阻率异常增大; 退火湿度越高, 薄膜表面电阻率越大. 分析认为主要是由于Ni, Cr元素向金膜表层扩散导致薄膜表面电阻率异常增大.
关键词:
Au/NiCr/Ta
,
null
,
null
李海霞
,
唐武
,
翁小龙
,
邓龙江
功能材料
采用射频磁控溅射工艺,在柔性PET衬底上低温制备电致变色WOx/ITO/PET多层薄膜.利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)分析所制备薄膜的原始态、着色态和退色态的微观结构、表面形貌及W元素的化合价态.结果表明:原始态、着色态及退色态的WOx薄膜均为非晶态;原始态薄膜表面存在较多孔洞,薄膜在LiClO4的乙腈溶液中进行电致变色反应,实验发现着退色态薄膜颜色可发生可逆变化,随Li+的注入和抽出,薄膜表面形貌发生明显变化;XPS分析进一步表明WOx薄膜在原始态中W元素的化合价为W6+,着色态存在W6+和W5+的混合价态.
关键词:
WOx薄膜
,
电致变色
,
磁控溅射
房永思
,
唐武
,
翁小龙
,
邓龙江
,
徐可为
功能材料
在一维线性谐振子模型基础上,应用薛定谔方程分析了晶体中原子的概率分布;将晶体中原子的概率分布定义为原子云,解释了物理气相沉积法制备薄膜时残余应力产生的原因,建立了薄膜残余应力产生机理的理论模型.
关键词:
薛定谔方程
,
原子云
,
薄膜
,
残余应力
唐武
,
马幼平
,
徐可为
,
王平
,
李弦
金属学报
采用摩擦力和声发射两种模式同时监测的划痕法研究了Au/NiCr/Ta和Au/NiCr多层金属薄膜的临界载荷Lc,并与TiN硬质薄膜进行了对比.实验结果表明:摩擦力和声发射模式均能反映出压头进入不同金属膜层时的变化,在单一金属薄膜层中两者均无大的变化.对应实验范围内不同的沉积温度,拐点特征载荷值基本不受其影响,而主要取决于多层膜的层厚和层数.
关键词:
划痕法
,
null
,
null
唐武
,
徐可为
,
王平
,
李弦
金属学报
采用磁控溅射方法在Si-(111)基片上沉积 Au/NiCr/Ta多层金属膜利用XRD分析晶体取向,SEM观察表面和断面形貌,AFM研究表面粗糙度,纳米压入研究薄膜硬度.结果表明薄膜表面粗糙度依赖于基体沉积温度,并且影响薄膜电阻和纳米硬度.
关键词:
Au/NiCr/Ta多层膜
,
null
,
null
范芸
,
唐武
,
翁小龙
,
邓龙江
稀有金属材料与工程
采用射频磁控溅射工艺,在镀有ITO薄膜的柔性PET衬底上低温制备WOx-Mo薄膜,利用电化学工作站测试薄膜的循环伏安曲线和计时电流曲线来分析薄膜的电致变色性能.结果表明:随Mo掺杂量的增加,薄膜的氧化峰峰位往电压正方向移动,并且氧化峰电流峰值增加,薄膜着色响应时间缩短,退色时间延长.当Mo掺杂量为15.4%时,着色时间最短达到4.53 s,退色时间最长达到9.8 s.薄膜的可逆性与电荷在薄膜中的滞留量有关,在Mo掺杂量为7.6%时,薄膜可逆性最好,达到51.2%左右,电荷滞留量为2.4E-3C.
关键词:
电致变色
,
磁控溅射
,
WOx-Mo薄膜
唐武
,
范芸
,
李海霞
,
翁小龙
,
邓龙江
功能材料
通过射频磁控溅射方法,在柔性PET衬底上低温沉积电致变色WOx薄膜.利用X射线衍射(XRD)、紫外-可见光分光光度计、X射线光电子能谱(XPS)分析所制备薄膜的微观结构、透光率、O元素的结合状态.结果表明,各氧分量下制备的WOx薄膜均为非晶态;氧分量0时制备的薄膜着、退色态透光率变化范围达到25%左右,具有较好的电致变色性能;XPS分析表明氧分量8%时氧空位含量最低,随着氧分量的继续增大,氧空位含量也增大.
关键词:
WOx薄膜
,
低温沉积
,
电致变色
,
射频磁控溅射
唐武
,
徐可为
,
王平
,
李弦
金属学报
研究了Au/NiCr/Ta多层金属膜的择优取向、残余应力以及它们之间的关系.结果表明,在实验范围内,残余应力随沉积温度变化不大,沉积态薄膜均表现为残余拉应力,经400℃Ar气中退火60 min转变为压应力.相应出现(111)与(200)衍射峰相对强度比值减小.Au(200)取向增加时,倾向为压应力,择优取向最大时有最低的平均残余压应力;Au(111)择优取向最大时有最高的平均残余拉应力;说明Au膜的择优取向和残余应力状态存在一定的联系.
关键词:
Au/NiCr/Ta膜
,
null
,
null
唐武
,
王雅琴
,
刘结
,
张兰
稀有金属材料与工程
通过RF磁控溅射技术制备不同溅射气压下的ITO薄膜,对其电阻率、光学透过率、XRD图、AFM图和划擦行为进行了研究.薄膜和基板的附着力通过划擦测试进行表征,重点研究了薄膜划擦测试的不同阶段的特征.研究表明随着Ar溅射气压的下降,薄膜附着力下降.而且,ITO薄膜的表面形貌和电阻率强烈的依赖于Ar气压.低温沉积ITO薄膜均为非晶态,在溅射气压0.8 Pa时得到电阻率(1.25×10-3Ω.cm)和高可见光透过率薄膜(90％).研究结果表明该薄膜光学禁带约为3.85 eV,电阻率主要受载流子浓度控制,受溅射气压的变化影响有限.
关键词:
ITO
,
划擦测试
,
电阻率
