李刘合
,
武咏琴
,
崔旭明
,
张海泉
,
张彦华
,
夏立芳
,
朱剑豪
金属学报
分别采用带有和不带有弯曲弧磁过滤器的真空阴极弧离子镀方法, 在不同的镀膜电流以及不同基片偏流下制备了类金刚石碳膜, 对比了不同结构下类金刚石碳膜的Raman光谱的特点. 对其Raman光谱的D峰和G峰采用Gaussian-Lorentzion的几率分布进行了分峰, 并着重讨论了基片偏流、弯曲磁场等沉积参数对膜结构的影响. 结果表明, 氩分压对膜结构影响不大, 较大的偏流以及弯曲磁场的加入均有利于sp3杂化碳键的形成.
关键词:
Raman光谱
,
diamond-like carbon film
李刘合
,
武咏琴
,
崔旭明
,
张海泉
,
张彦华
,
夏立芳
,
朱剑豪
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2004.02.021
分别采刚带有和不带有弯曲弧磁过滤器的真空阴极弧离子镀方法,在不同镀膜电流以及不同基片偏流下分别制备了类金痧刚石碳膜,对比了不同结构下类金刚石碳膜的Raman光潜特点.对其Raman光谱的D峰和G峰采用Gaussian-Lorentzion的几率分布进行了分峰,并着重讨论了基片偏流、弯曲磁场等沉积参数对膜结构的影响结果表明,氩分压对膜结构影响不大,较大的偏流以及弯曲磁场的加入均有利于sp3杂化碳键的形成.
关键词:
Raman光谱
,
类金刚石碳膜
,
弯曲弧磁过滤器
,
偏流
张海泉
,
李刘合
,
张彦华
,
李光
,
夏立芳
,
史建刚
材料科学与工艺
doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2002.03.007
基于有限差分理论和入射电子束服从高斯分布、在有限平板中匙孔理想化为旋转抛物面的基本假设,利用C++Builder快速开发软件,在WindowS NT平台上综合OpenGL图形接口及多线程技术开发了电子束焊接动态过程仿真系统EBWSIM.结果表明:该系统通过友好的图形用户界面可实现工艺参数、材料参数、约束控制、视点追踪等焊接过程与移动热源焊接匙孔及其三维温度场的可视化实时交互,并能够实时仿真电子束深熔焊各点的热循环、焊缝横截面、热影响区分布、焊缝钉形缺陷和匙孔曲面的形成过程,模拟结果与实验数据吻合较好.
关键词:
电子束焊接
,
可视化技术
,
有限差分法
,
OpenGL
田晶泽
,
夏立芳
,
马欣新
,
孙跃
,
孙明仁
材料科学与工艺
doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2000.02.004
用电子束蒸发纯硼,在硅片上沉积不同厚度的硼膜,然后用等离子体基离子注入(PBⅡ)技术在硼膜上注入氮以形成氮化硼(BN).用XPS分析膜的成分深度分布及化学价态;用傅里叶变换红外(FTIR)透射谱分析膜的结构.氮在膜中呈类似高斯分布,随着注入电压增大, 膜的N/B比增大且影响氮在膜中的分布,在较高的注入电压时,膜基间产生界面混合.对XPS B1s谱进行Gauss-Lorentz拟合表明:硼在膜中以BN及游离态两种形式存在.FTIR分析结果表明:当注入电压较低,时间较短时,膜中存在非晶态形式的氮化硼(a-BN);增大注入电压及注入时间,向六方形式的氮化硼(h-BN)转化;原始硼膜的厚度小有助于h-BN的形成.
关键词:
等离子体基离子注入
,
氮化硼
,
傅里叶变换红外谱
王永康
,
熊仁章
,
雷廷权
,
夏立芳
,
李炳生
机械工程材料
doi:10.3969/j.issn.1000-3738.2003.05.013
将Ti-Al粉末冶金靶用多弧离子镀技术制备了TiAlN/Ti涂层.用XTEM等手段研究了涂层的界面结构.研究表明,TiAlN及Ti层均呈柱状多晶组织,在Ti过渡层与高速钢基底之间存在界面相FeTi,它与基底中的α-Fe相具有一定的取向关系.
关键词:
多弧离子镀
,
TiAlN/Ti涂层
,
界面结构
,
FeTi
夏立芳
,
王佐诚
,
孙跃
,
马欣新
,
陈士芳
材料研究学报
用X射线光电子能谱(XPS)剥层分析方法,研究AIN薄膜在大气中加热时的氧化性能.结果表明,常温时AIN薄膜稳定;在700℃加热时,Al2O3膜开始增厚.AIN被氧化;加热温度愈高,AIN被氧化得愈剧烈.
关键词:
AIN薄膜
,
null
孙明仁
,
夏立芳
,
孙跃
,
马欣新
,
孙立海
材料科学与工艺
doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2002.01.013
以乙炔为气源,用等离子体基脉冲偏压沉积(plasma based pulsd bias deposition缩写PBPBD)技术进行了不同负脉冲偏压条件下制备DLC膜的试验.通过X射线光电子谱(XPS)、激光喇曼光谱[Raman]以及电阻分析方法考察了负脉冲偏压幅值对DLC膜化学结构的影响.结果表明由-50 kV到-10 kV随负脉冲偏压降低,DLC膜中SP3键分数单调增加,但当脉冲偏压为0时形成高电阻的类聚合物膜,说明荷能离子的轰击作用是形成DLC化学结构的必要条件.键角混乱度和SP2簇团尺寸与脉冲偏压之间不具有单调关系,在中等幅值负脉冲偏压条件下,键角混乱度较大且SP2簇团尺寸细小.
关键词:
脉冲偏压
,
DLC膜
,
化学结构
王位
,
蔡珣
,
陆明炯
,
夏立芳
机械工程材料
doi:10.3969/j.issn.1000-3738.2001.04.005
介绍了自主开发的基于输运理论和蒙特卡罗方法的计算离子注入射程分布的软件集成系统JTU-PRII(JiaotongUniversity-ProjectRangeIonImplantation)，该系统整体上具有通用性、高效性和实用性。通用性即：该系统具有注入离子参数库和注入零件材料库的生成和调用功能，能计算各种注入条件下，包括各种注入离子，各种成分和形状的靶材，不同注入能量、注入剂量和注入角度时注入离子在靶材中的分布；高效性即：由于在关键步骤中用数值拟合公式代替了数值迭代求解，用固定飞行路程代替随机路程，使计算效率大大提高，计算速度大大加快；实用性即：由于考虑了溅射效应和靶材成分在注入过程中的动态变化，加之蒙特卡罗方法的固有特性，使计算的前提假设更接近实际，计算结果更加准确。与其它著名的同类软件，如TRIM和SASAMAL相比，该软件系统界面美观，操作便捷，能动态显示中间计算结果和注入过程曲线的变化，可调用、计算、比较、注释、拷贝和打印各条成分分布曲线，计算结果与实验结果吻合得也很好。
关键词:
输运理论
,
MonteCarlo方法
,
离子注入
,
射程分布
