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各向异性静态随机存储器中的多位翻转分析研究

张战刚 , 刘杰 , 侯明东 , 孙友梅 , 苏弘 , 耿超 , , 罗捷 , 段敬来 , 莫丹 , 古松 , 刘天奇 , 习凯 , 翟鹏飞 , 曹殿亮

原子核物理评论 doi:10.11804/NuclPhysRev.31.02.195

重离子实验结果表明,具有高线性能量转移(LET)或大角度入射的快重离子导致静态随机存储器(SRAM)中的多位翻转(MBU)比例增大,甚至超过单位翻转比例。单个离子径迹中的电荷可以沿着径向扩散数个微米,被临近的灵敏区收集后引起MBU。器件灵敏区的各向异性空间布局与离子入射方向共同影响测试器件的MBU图形特征。位线接触点的纵向隔离导致横向型成为主要的两位翻转图形;“L”型和“田”型分别是主要的三位翻转和四位翻转图形。最后,对SRAM抗MBU加固设计和实验验证方法进行了讨论。

关键词: 单粒子效应 , 静态随机存储器 , 各向异性布局 , 多位翻转

25 MeV/u Kr辐照下PET薄膜的损伤机制研究

彭书赋 , 孙友梅 , 罗捷 , 常海龙 , 刘杰 , 侯明东 , 段敬来 , , 莫丹 , 张苓 , 尹经敏 , 陈艳峰 , 翟鹏飞 , 曹殿亮

原子核物理评论

通过25 MeV/u ~(86)Kr离子辐照叠层结晶聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(PET),在不同的电子能损(3.40-7.25 keV/nm)和离子注量(5×10~(11)-3×10~(12) ions/cm~2)辐照条件下,对Kr离子在PET中引起的辐照损伤效应进行了研究.借助傅里叶变换红外光谱分析,通过对样品的红外吸收峰进行扣除基底后的Lorentz拟合,分析了与主要官能团对应的吸收峰强度的变化趋势,研究了化学结构与组分在重离子辐照下的变化规律;利用X射线衍射光谱仪测量,研究了Kr离子在PET潜径迹中引起的非晶化过程,并通过对吸光度和非晶化强度随离子注量的指数衰减规律的分析,获得了不同电子能损离子辐照PET时主要官能团的损伤截面和非晶化截面及对应的潜径迹半径.

关键词: 聚对苯二甲酸乙二醇酯膜 , 快重离子辐照 , 辐照损伤

快重离子辐照对MoS2热导率的影响研究

郭航 , 孙友梅 , 刘杰 , 翟鹏飞 , 曾健 , 张胜霞 , 胡培培 , 段敬来 , , 莫丹 , 侯明东

原子核物理评论 doi:10.11804/NuclPhysRev.34.02.226

利用0.97 GeV的209Bi离子辐照二硫化钼(MoS2)晶体,辐照注量范围为1×1010~1×1012 ions/cm2,结合原子力显微镜(AFM)观测和Raman光谱分析研究了快重离子辐照对MoS2热导率的影响.实验结果显示,快重离子辐照在MoS2中产生了潜径迹,较高激光功率下的Raman测试使样品局部温度升高,导致E 12g和A1g峰随注量增加向低波数方向移动,且峰形展宽.引入了通过改变激光功率测量Raman光谱得到MoS2热导率的计算方法,获得了不同辐照注量下MoS2的热导率的定量分析结果,随注量增加,热导率不断降低,从未辐照样品的563 W/mK下降到1×1012 ions/cm2辐照时的132 W/mK.

关键词: 二硫化钼 , 辐照 , 热导率

电化学方法制备Si阵列微孔的工艺研究

薛智浩 , 孙友梅 , 常海龙 , 刘杰 , 侯明东 , , 莫丹 , 陈艳峰

原子核物理评论

对用电化学方法制备Si大孔阵列管坑工艺进行了初步探索. 通过对Si在KOH溶液中各向异性湿法蚀刻和在HF酸溶液中的电化学蚀刻过程中各种参数的摸索,确定在室温下制备大孔阵列的最佳配比浓度,蚀刻出符合要求的管坑阵列,为进一步制备结构化闪烁屏奠定了实验基础.

关键词: 各向异性蚀刻 , 微孔阵列 , 电化学蚀刻

利用重离子辐照技术制备锂离子电池隔膜

曹殿亮 , 刘杰 , 曲晓华 , 段敬来 , 莫丹 , , 陈艳峰 , 孙友梅

原子核物理评论

用能量11.4 MeV/u和注量1×10~8 ions/cm~2的(197)~Au离子垂直辐照聚丙烯薄膜,通过电导测量法监测温度、硫酸浓度和重铬酸钾浓度对径迹蚀刻速率的影响,得到合适的蚀刻条件;成功制备出孔径范围在600-1000 nm的重离子径迹聚丙烯孔膜,并用场发射扫描电镜对孔的形状及孔径大小进行了表征,对孔洞锥角的形成进行了分析,为重离子辐照技术制备锂离子电池隔膜提供了实验数据.

关键词: 锂离子电池隔膜 , 聚丙烯薄膜 , 重离子辐照 , 径迹蚀刻

Geant4模拟δ电子对单粒子翻转的影响

刘建德 , 孙友梅 , 刘杰 , 侯明东 , 张战刚 , 段敬来 , , 翟鹏飞

原子核物理评论

利用Geant4蒙特卡洛程序包,基于RPP(Rectangular ParallelePiped Volume)模型构建SRAM器件单元的灵敏体积,编写了重离子在器件材料中的输运程序和单粒子翻转截面计算方法,得到了简化器件结构的单粒子翻转截面σ与线性能量转移LET的关系曲线,计算得到的翻转LET阈值和饱和截面与实验结果基本一致。模拟获得了LET值为99.69MeV/(cm-2.mg)的Bi离子及LET值为69MeV/(cm-2.mg)的Bi离子和Xe离子在器件材料中产生的δ电子分布图像,讨论了δ电子分布对翻转截面的影响。计算了灵敏体积中能量沉积与δ电子分布的关系,认为δ电子分布对单粒子效应的影响随着器件的特征尺寸减小将更加严重。

关键词: Geant4 , RPP模型 , 灵敏体积 , 单粒子翻转 , δ电子

PPAC在单粒子效应地面模拟实验中对束流均匀度测量的应用

蒋冬舜 , 孙友梅 , 马朋 , 段敬来 , 刘杰 , 耿超 , 侯明东 , , 罗捷

原子核物理评论 doi:10.11804/NuclPhysRev.31.04.522

单粒子效应(SEE)加速器地面模拟需要离子束具有较好的均匀度,针对回旋加速器单粒子效应模拟的束流特点,建立了一套以位置灵敏平行板雪崩探测器(Parallel Plate Avalanche Counter, PPAC)为基础的均匀度探测系统并完成了带束测试,对它的结构、工作原理、均匀度获得方法及带束测试结果进行描述。为验证PPAC测量结果准确性,在带束测试过程中,前方同时放置PET膜测量穿过PPAC探测器的粒子分布,与离子径迹测量结果对比,给出PPAC的均匀度的测量误差在5%之内。探测器具有50 mm×50 mm的灵敏面积和小于1 mm的位置分辨,符合单粒子效应实验对束流均匀度测量的要求。

关键词: PPAC , 单粒子效应 , 地面模拟 , 束流均匀度 , 固体径迹探测器

深亚微米SRAM质子单粒子翻转实验研究

古松 , 刘杰 , 刘天奇 , 张战刚 , , 段敬来 , 苏弘 , 侯明东 , 罗捷

原子核物理评论 doi:10.11804/NuclPhysRev.32.03.353

宇航半导体器件运行在一个复杂的空间辐射环境中,质子是空间辐射环境中粒子的重要组成部分,因而质子在半导体器件中导致的辐射效应一直受到国内外的关注.利用兰州重离子加速器(Heavy Ion Research Facility In Lanzhou)加速出的H2分子打靶产生能量为10 MeV的质子,研究了特征尺寸为0.5/0.35/0.15μn体硅和绝缘体上硅(SOI)工艺静态随机存储器(SRAM)的质子单粒子翻转敏感性,这也是首次在该装置上开展的质子单粒子翻转实验研究.实验结果表明特征尺寸为亚微米的SOI工艺SRAM器件对质子单粒子翻转不敏感,但随着器件特征尺寸的减小和工作电压的降低,SOI工艺SRAM器件对质子单粒子翻转越来越敏感;特征尺寸为深亚微米的体硅工艺SRAM器件单粒子翻转截面随入射质子能量变化明显,存在发生翻转的质子能量阈值,CR(E)ME-MC模拟结果表明质子在深亚微米的体硅工艺SRAM器件中通过质子核反应导致单粒子翻转.

关键词: 质子 , 单粒子翻转 , 核反应 , CR(E)ME-MC模拟

离子径迹模板法制备纳米线

, 刘杰 , 侯明东 , 孙友梅 , 段敬来 , 莫丹

原子核物理评论 doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2006.01.012

重离子辐照的高分子有机膜,经过适当的处理,可以作为模板制备金属和可溶性盐纳米线,此方法称为离子径迹模板法.介绍了用电化学沉积方法和过饱和溶液法制备金属纳米线和可溶性盐纳米线的基本原理和制备实例,同时还展望了离子径迹模板法制备纳米线的一些可能的应用.

关键词: 离子径迹模板 , 电化学沉积 , 纳米线 , 过饱和溶液

镀锌层绿色钝化

奚兵

腐蚀与防护 doi:10.3969/j.issn.1005-748X.2004.09.016

介绍由常规五酸草绿色钝化工艺改良的,以重铬酸钾为体系的镀锌绿色钝化工艺.

关键词: 镀锌层 , 绿色钝化 , 工艺配方

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