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含EDOTBT结构单元低能隙聚合物的合成及性能

, 徐延明 , 李坚 , 任强 , 汪称意 , 盛刚

高分子材料科学与工程

采用Heck反应制备了以3,4-乙撑二氧噻吩(EDOT)为供体,苯并噻二唑(BT)为受体的D-A型单体4,7-二(3,4-乙撑二氧噻吩)-苯并噻二唑(EDOTBT);采用Suzuki反应合成了一种低能隙的共轭聚合物4,7-二(3,4-乙撑二氧噻吩)-苯并噻二唑-芴共聚物(PEDOTBTF6).通过核磁共振、热失重、凝胶渗透色谱、紫外-可见先光谱、循环伏安等对其进行了分析研究.结果表明,成功合成了单体EDOTBT及共轭聚合物PEDOTBTF6,所得共聚物具有较高的相对分子质量,在有机溶剂中具有较好的溶解性,且具有良好的热稳定性.PEDOTBTF6具有较低的能带隙,其光学带隙宽为1.65 eV.通过循环伏安法测得其HOMO和LUMO能级分别为-5.23 eV,-3.58 eV.由该共聚物制备的聚合物太阳能电池具有良好的光电性能.初步研究表明,当退火温度为160℃,退火时间为20 min时,所得到的聚合物太阳能电池的短路电流(Jsc)为1.6 mA/cm2;开路电压(Voc)为0.5 V;先电转换效率(PCE)为0.21%.

关键词: Suzuki偶合反应 , D-A型共轭聚合物 , 低能隙 , 聚合物太阳能电池

Ba(Mg1/3Ta2/3(1+x))O3陶瓷烧结性、微观结构及微波介电性能

卞建江 , 赵梅瑜 , , 殷之文

无机材料学报

本文就BMT陶瓷B位Ta非化学计量比对其烧结性、微观结构及微波分电性能的影响进行了研究.发现:(1)位Ta过量可促进BMT的烧结,而Ta缺量则阻碍其烧结.(2)B位离子有序度不仅同缺陷的数量有关,而且还同其缺陷类型有关.B位Ta缺陷的存在阻碍其有序度的提高.(3)BMT样品的Q·f值随Ta过量的增加而降低.相对介电常数则随之增加.

关键词: 位非化学计量比 , null , null , null

合成工艺对BiNbO4微波介质陶瓷的影响

, 赵梅瑜 , 吴文骏 , 王依琳

无机材料学报

本文研究了BiNbO4粉料合成温度及烧结助剂CuO-V2O5添加程序对BiNbO4陶瓷烧结特性及微波介电性能的影响.结果表明:合成温度为850℃/2h及合成后加入烧结助剂CuO-V2O5的BiNbO4陶瓷有高的密度值、较为均匀的晶粒尺寸及良好的介电性能:在100MHz,εr=49~52,在3GHz,εr=44,Q=2000~2300,τr=38ppm(-40~25℃);τr=±6ppm(25~85℃).

关键词: BiNbO4 , synthesizing process , microwave dielectric properties

固相法合成单相Ba2Ti9O20粉体

, 赵梅瑜 , 吴文骏 , 王依琳

无机材料学报

本文以BaTiO3和TiO2为原材料,采用传统制备工艺,混合后粉料于不同合成温度(800~1150℃)和保温时间(1/60~64h)进行固相合成反应·基于XRD相分析结果,得出合成温度为1000~1150℃、保温时间为4~32h时,反应产物均为单相Ba2Ti9O20粉体.并得出:组成元素Ba和Ti分布均匀性是影响Ba2Ti9O20生成的一个重要工艺因素.

关键词: 固相反应 , null , null

基于先进等离子体的低温钝化氮化硅薄膜的研究

周晶晶 , 肖少庆 , , 顾晓峰

人工晶体学报

本文利用容性放电模式(E-mode)的电感耦合等离子体(ICP)化学气相沉积技术,在低温(100℃)下采用硅烷(SiH4)、氮气(N2)和氢气(H2)作为先驱反应气体制备氢化氮化硅薄膜(SiNx∶H),并通过傅里叶红外光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线光电子能谱仪(XPS)对薄膜的键结构、键密度、氢含量以及化学组成进行表征.采用少子寿命测试仪(Sinton WCT-120)研究薄膜在n型晶硅表面的钝化效果.结果表明,氮硅原子比为0.4的SiN0.4∶H薄膜具有最高的氢含量,高达29%,而且其钝化效果最好.最高少子寿命达到251μs,表面复合速率降低至85 cm/s,Suns-Voc测到的提示开路电压达到652 mV.

关键词: SiNx , 等离子体化学气相沉积 , 表面钝化 , 容性放电

利用AFORS-HET对P型HIT太阳电池的模拟优化

, 肖少庆 , 刘晶晶 , 顾晓峰

人工晶体学报

运用模拟软件AFORS-HET对TCO/a-Si∶ H(n)/a-Si∶ H(i)/c-Si(p)/Ag结构的异质结(HIT)太阳电池进行仿真,分析其光伏输出特性随发射层掺杂浓度、晶硅衬底掺杂浓度、透明导电氧化物薄膜(TCO)的选择以及TCO功函数的变化规律.结果显示,当发射层掺杂浓度大于1.0×1020 cm-3,晶硅衬底掺杂浓度大于1.2×1016 cm3,以ZnO为TCO层且ZnO的功函数低于4.4 eV时,电池的开路电压、短路电流密度、填充因子及电池转换效率达到最优值,光电转换效率最高达到19.18%.

关键词: 异质结太阳电池 , 透明导电氧化物薄膜 , AFORS-HET , 功函数

内蒙古乌拉特浩尔忽洞金矿床的勘查与开发

高永军 , 行天伟 , 杨志刚

黄金 doi:10.11792/hj20130404

内蒙古太平矿业有限公司浩尔忽洞金矿是中国北方最大的露天开采黄金堆浸矿山.论述了浩尔忽洞金矿床的地质特征,总结了找矿标志,并重点阐述了地质找矿成果及开发规划,形成了科学论证、探矿会战、整体开发、科技领先、绿色和谐的矿业开发模式,对中国“十二五”期间利用找矿新机制实现找矿大突破有一定的借鉴.

关键词:

综合物探方法寻找斑岩型钼矿床的应用试验研究---以冲钼多金属矿床为例

李冰 , 尚建阁 , 刘清泉 , 张智慧 , 丁云河 , 魏明君 , 王蒙

黄金 doi:10.11792/hj20150106

冲大型钼多金属矿床为例,阐明了大别山北麓地区区域和矿床地质特征。通过在该地区开展岩矿石物性标本测试、综合物探剖面性研究(可控源音频大地电磁方法和频谱激电方法试验),试验及测试结果表明,冲钼矿床中含矿岩体为中低阻,高极化特征,冲钼矿床为斑岩体外接触带成矿,在深部高阻岩体的外侧存在一个低阻异常体,经钻孔验证,该低阻异常体为花岗斑岩体(脉)外接触带含辉钼矿的中元古界片麻岩。频谱激电法反演结果更进一步印证了物性测试结果和可控源音频大地电磁测深结果的准确性。因此,此次综合物探方法试验结果表明,可控源音频大地电磁测深和频谱激电法在该地区寻找斑岩型钼矿床是有效的,可为今后在该区域寻找斑岩型矿床提供技术参考。

关键词: 可控源音频大地电磁测深 , 频谱激电法 , 斑岩型钼矿床 , 冲钼多金属矿床

锰硅铁合金连续铸造技术试验书芳

书芳 , 王玫 , 赵宗更 , 曾世林 , 梁建强 , 陆兵

钢铁研究学报

利用自制的一套带有特殊结晶器的连续铸造试验装置,研究了锰硅铁合金的连续铸造工艺及其制品的外观和内部质量。稳定地连续铸造了直径分别为44、52、54和74 mm的锰硅铁合金铸锭。结果表明:所研究的锰硅铁合金连续铸造工艺稳定性良好,产品的外观光洁,内部组织致密,产品质量优于传统模铸法生产的锰硅铁合金。

关键词: 锰硅;铁合金;连续铸造;模铸

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