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高介电栅介质材料HfO2掺杂后的物理电学特性

武德起 , 金城 , 赵红生 , 张东炎 , 常爱民 , 李锋 , 周阳

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.01.012

采用激光分子束外延法(LMBE)在P型Si(100)衬底上沉积了(HfO2)x(Al2O3)Y(NiO)1-x-y,栅介质薄膜,研究了其热稳定性以及阻挡氧扩散的能力.X射线衍射表明在HfO2中掺入Ni和Al元素明显提高了其结晶温度.原子力显微镜测试显示:在N2中退火后薄膜表面是原子级平滑连续的,没有发现针孔.900℃N2中退火后的薄膜在高分辨透射电镜下没有发现硅酸盐界面层.实验结果表明在氧化物薄膜与硅衬底之间引入Ni-Al-O置入层能够防止硅酸盐低介电界面层的生成,这有利于MOS晶体管的进一步尺度缩小.

关键词: 高介电栅介质材料 , 激光分子束外延 , 二氧化铪

热敏陶瓷材料Mn2.25-xNi0.75CoxO4微结构与电学性能研究

彭昌文 , 张惠敏 , 常爱民 , 黄霞 , 金城

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2011.01037

采用氧化物固相法制备Mn2.25-xNi0.75CoxO4(0.8≤x≤1.2)系列NTC(negative temperature coefficient)热敏电阻粉体材料. 利用激光粒度分析、XRD、SEM和电性能测试等手段, 表征了煅烧材料的颗粒尺寸、陶瓷体的物相、形貌以及陶瓷材料的电学特性与Co含量的关系. 结果表明: 在1130~1230℃烧结温度范围内, 该材料体系的B值和电阻率ρ25℃随Co含量的变化范围分别为3487~4455 K和1998~203617 Ω·cm, B值和电阻率随Co含量的增加先增大后减小. 该材料系列电阻率和B值调整范围较大, 是一种具有实际应用价值的NTC热敏电阻.

关键词: NTC热敏陶瓷 , spinel , electrical property

高介电栅介质材料研究进展

武德起 , 赵红生 , 金城 , 张东炎 , 常爱民

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00865

传统的栅介质材料SiO2不能满足CMOS晶体管尺度进一步缩小的要求, 因此高介电栅介质材料在近几年得到了广泛的研究, 进展迅速. 本文综述了国内外对高介电材料的研究成果, 并结合作者的工作介绍了高介电栅介质在晶化温度、低介电界面层、介电击穿和金属栅电极等方面的最新研究进展.

关键词: 高介电栅介质 , recrystallization temperature , lowK interface layer , metal gate

高介电栅介质材料研究进展

武德起 , 赵红生 , 金城 , 张东炎 , 常爱民

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2008.05.001

传统的栅介质材料SiO2不能满足CMOS晶体管尺度进一步缩小的要求,因此高介电栅介质材料在近几年得到了广泛的研究,进展迅速,本文综述了国内外对高介电材料的研究成果,并结合作者的工作介绍了高介电栅介质在晶化温度、低介电界面层、介电击穿和金属栅电极等方面的最新研究进展.

关键词: 高介电栅介质 , 晶化温度 , 低介电界面层 , 金属栅电极

热敏陶瓷材料Mn2.25-xNio.75CoxO4微结构与电学性能研究

彭昌文 , 张惠敏 , 常爱民 , 黄霞 , 金城

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2011.01037

采用氧化物固相法制备Mn2.25-xNi0.75CoxO4(0.8≤x≤1.2)系列NTC(negative temperature coefficient)热敏电阻粉体材料.利用激光粒度分析、XRD、SEM和电性能测试等手段,表征了煅烧材料的颗粒尺寸、陶瓷体的物相、形貌以及陶瓷材料的电学特性与Co含量的关系.结果表明:在1130~1230℃烧结温度范围内,该材料体系的B值和电阻率P25℃随Co含量的变化范围分别为3487~4455 K和1998~203617Ω·cm,B值和电阻率随Co含量的增加先增大后减小.该材料系列电阻率和B值调整范围较大,是一种具有实际应用价值的NI℃热敏电阻.

关键词: NTC热敏陶瓷 , 尖晶石 , 电性能

流变相法制备NiMn2O4热敏陶瓷材料及电学性能研究

张奇男 , 金城 , 陈龙 , 常爱民 , 陈惠敏

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2016.08.045

采用流变相法制备了NiMn2 O4负温度系数热敏电阻材料,重点研究了不同煅烧温度和烧结温度对NiMn2 O4热敏电阻材料微观形貌和电学性能的影响,并且借助XRD、SEM以及电学测试等手段对其进行了表征.研究结果表明,煅烧温度为850℃时,粉体主要由立方尖晶石相和少量的NiO相组成;当烧结温度为1150℃时,陶瓷样品具有最低的室温电阻率、最高的材料常数B值以及最低的电阻漂移率(ΔR/R),分别为2679Ω?cm、3878 K和0.75%~0.86%.而且不同烧结温度下的陶瓷样品电导激活能都在0.33 eV左右.因此,流变相法制备的NiMn2 O4陶瓷材料具有良好的热稳定性以及热敏性能,满足市场发展的需要.

关键词: 流变相 , 热敏电阻 , 电阻率 , 稳定性

综合物探方法寻找斑岩型钼矿床的应用试验研究---以冲钼多金属矿床为例

李冰 , 尚建阁 , 刘清泉 , 张智慧 , 丁云河 , 魏明君 , 王蒙

黄金 doi:10.11792/hj20150106

冲大型钼多金属矿床为例,阐明了大别山北麓地区区域和矿床地质特征。通过在该地区开展岩矿石物性标本测试、综合物探剖面性研究(可控源音频大地电磁方法和频谱激电方法试验),试验及测试结果表明,冲钼矿床中含矿岩体为中低阻,高极化特征,冲钼矿床为斑岩体外接触带成矿,在深部高阻岩体的外侧存在一个低阻异常体,经钻孔验证,该低阻异常体为花岗斑岩体(脉)外接触带含辉钼矿的中元古界片麻岩。频谱激电法反演结果更进一步印证了物性测试结果和可控源音频大地电磁测深结果的准确性。因此,此次综合物探方法试验结果表明,可控源音频大地电磁测深和频谱激电法在该地区寻找斑岩型钼矿床是有效的,可为今后在该区域寻找斑岩型矿床提供技术参考。

关键词: 可控源音频大地电磁测深 , 频谱激电法 , 斑岩型钼矿床 , 冲钼多金属矿床

锰硅铁合金连续铸造技术试验书芳

书芳 , 王玫 , 赵宗更 , 曾世林 , 梁建强 , 陆兵

钢铁研究学报

利用自制的一套带有特殊结晶器的连续铸造试验装置,研究了锰硅铁合金的连续铸造工艺及其制品的外观和内部质量。稳定地连续铸造了直径分别为44、52、54和74 mm的锰硅铁合金铸锭。结果表明:所研究的锰硅铁合金连续铸造工艺稳定性良好,产品的外观光洁,内部组织致密,产品质量优于传统模铸法生产的锰硅铁合金。

关键词: 锰硅;铁合金;连续铸造;模铸

第五次(1991)国家自然科学奖材料与工程科学部分获奖项目介绍

钱浩庆 , 卞文山

材料研究学报

<正> 第五次(1991)国家自然科学奖已于1991年12月揭晓,共有53项优秀成果获奖,其中属材料与工程科学部分的有6项。1 铝电解过程中若干物理化学问题的研究本项研究获三等奖。主要研究者:邱竹贤,广春,冯乃祥,张明杰,李庆峰研究单位:东北工学院

关键词:

用反应球磨法制备NiAl-TiC复合材料

肖旋 , 尹涛 , 陶冶 , 郭建亭 , 周兰章

材料研究学报 doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2001.04.011

球磨Ni、Al,Ti和 C粉末以合成NiAl-TiC复合材料,分析了反应合成机理结果表明,NiAl和TiC的突然生成归结于两个爆炸反应:Ni+Al→NiAl+△H1,Ti+2C→TiC+△H2.还研究了NiAl和TiC化合物球磨过程中晶粒细化的规律以及粉末颗粒度的变化

关键词: 金属间化合物NiAl基复合材料 , 机械合金化

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