葛建华
,
王迎军
,
郑裕东
,
朱百家
,
姜宏伟
,
南开辉
,
吴刚
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2003.06.010
本研究将可生物降解高分子聚乳酸与具有亲水性链段的聚乙二醇共聚制得嵌段共聚物,用以改善疏水性材料聚乳酸的亲水性.研究发现通过共聚,显著改善了聚乳酸材料的亲水性,在一定反应条件下,使得材料的接触角由46°降为10～23°.同时还对共聚物的结构性能进行了表征和探讨.
关键词:
聚乳酸
,
聚乙二醇
,
共聚
,
亲水性
孙智勇
,
赵志明
,
董刚
,
季勇
,
郑鹉
,
王艾玲
,
姜宏伟
金属功能材料
用磁控溅射方法制备NiFeSiMnMo/Cu/NiFeSiMnMo多层膜;理论研究了多层膜巨磁阻抗效应与磁导率的关系;实验研究了NiFeSiMnMo/Cu/NiFeSiMnMo多层膜结构的磁导率和巨磁阻抗比.在驱动频率3MHz下△μ′/μ′(%)出现800%的最大值,巨磁阻抗比出现14.4%的最大值.
关键词:
巨磁阻抗
,
磁导率
,
多层膜
周丽萍
,
季勇
,
季红
,
王艾玲
,
郑鹉
,
姜宏伟
功能材料
用磁控溅射方法制备了以Ta和非磁性(Ni0.81Fe0.19)66Cr34为缓冲层的Ni74Co26薄膜,研究了它们的各向异性磁电阻效应.结果表明:用厚度为4.5nm的非磁性(Ni0.81Fe0.19)66Cr34做缓冲层的Ni74Co26薄膜,其各向异性磁电阻(AMR)值比用10nm的Ta做缓冲层的同样厚度的Ni74Co26薄膜的AMR有较大的提高.比如,当Ni74Co26薄膜的厚度为12.5nm时,AMR值能提高43%.X射线衍射(XRD)研究表明:缓冲层(Ni0.81Fe0.19)66Cr34与磁性层Ni74Co26有非常接近的晶格常数,因此产生了较大的AMR值.
关键词:
缓冲层
,
NiCo薄膜
,
各向异性磁电阻
李明华
,
于广华
,
朱逢吾
,
姜宏伟
,
赖武彦
功能材料
采用磁控溅射方法制备NiFe/FeMn双层膜(分别以Ta、Cu作为缓冲层,Ta作为保护层).实验发现,以Ta为缓冲层的NiFe/FeMn双层膜的交换偏置场比以Cu为缓冲层的NiFe/FeMn双层膜的交换偏置场大,而矫顽力却很小.我们从织构、界面粗糙度两方面对其中的原因进行了分析.以Ta为缓冲层的NiFe/FeMn双层膜有好的织构且NiFe/FeMn界面较平滑,这引起了较强的交换偏置场和较低的矫顽力.
关键词:
NiFe/FeMn
,
交换偏置场
,
织构
,
界面粗糙度
陈庆永
,
邵明辉
,
姜宏伟
,
郑鹉
,
王艾玲
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.04.014
制备了以Ta和非磁性NiFeCr作为缓冲层和保护层的NiFe/PtMn双层膜,研究了它们的结构和物性,结果表明:用NiFeCr做缓冲层和保护层的NiFe/PtMn双层膜,其交换偏置场比以Ta为缓冲层和保护层的NiFe/PtMn的交换偏置场有了10%的提高;退火处理以后,以NiFeCr为缓冲层和保护层的样品的磁性层NiFe的磁矩降低要小于以Ta为缓冲层和保护层的样品的磁性层NiFe的磁矩降低.同时,XRD测量计算发现,以NiFeCr为缓冲层生长的NiFe/PtMn样品比Ta为缓冲层生长的NiFe/PtMn样品具有更好的织构,更大的平均晶粒尺寸,因而具有更好的热稳定性.NiFeCr比Ta更适合做基于Mn合金为反铁磁层的缓冲层和保护层.
关键词:
巨磁电阻
,
交换偏置
,
热稳定性
贾相华
,
尹龙承
,
姜宏伟
,
朱瑞华
,
王丹
,
郑友进
人工晶体学报
利用溶胶-凝胶法在Si衬底上制备不同退火温度的Li∶ZnO薄膜.借助X射线衍射(XRD)、X射线光电子谱(XPS)、扫描电镜(SEM)和光致发光(PL)谱研究样品结晶质量、成分、表面形貌和发光特性.结果表明:所有样品均高度c轴择优取向生长;随退火温度升高,样品结晶性变好,紫外发射增强.LiOH在退火温度超过700℃分解,使Li、H进入到ZnO晶格,在ZnO薄膜中形成LiZn-H复合缺陷,这种复合缺陷使H被困在ZnO薄膜中,形成H施主,显著提高ZnO薄膜紫外发光强度,抑制ZnO薄膜绿光发射.
关键词:
Li∶ZnO
,
光致发光
,
溶胶-凝胶
,
H施主
季红
,
季勇
,
周萍
,
郑鹉
,
王艾玲
,
姜宏伟
功能材料
用磁控溅射法制备了以NiFeCr和Ta分别为缓冲层的两种NiCo薄膜样品,在200、300、400℃温度下对两种样品退火.结果表明,不同的退火温度导致样品AMR值不同,在退火200℃时样品AMR值最大,超过200℃退火磁电阻急剧下降.XRD和摇摆曲线的结果都表明,退火后晶粒的平均晶粒尺寸都会长大,晶内缺陷减少.振动样品磁强计(VSM)测量的结果显示,退火后样品的磁矩有所减小,矫顽力增大,表明缓冲层与NiCo磁薄膜之间有扩散现象.
关键词:
各向异性磁电阻(AMR)
,
织构
,
晶粒尺寸
,
NiCo薄膜
朱逢吾
,
于广华
,
李明华
,
姜宏伟
,
赖武彦
金属学报
对于Ta/NiFe/Cu/NiFe/FeMn/Ta自旋阀多层膜,Cu原子偏聚到NiFe/FeMn界面将导致自旋阀多层膜中NiFe/FeMn的交换耦合场Hex下降.然而,少量的表面活化原子Bi被沉积到Cu层和被钉扎NiFe层之间,Cu原子在NiFe/FeMn界面的偏聚可以被抑制;而且,更重要的是Ta/NiFe/Cu/NiFe/FeMn/Ta自旋阀多层膜中的交换耦合场Hex可以被有效地提高.
关键词:
层间偏聚
,
null
,
null
,
null
姜宏伟
,
黄海亮
,
贾相华
,
尹龙承
,
陈玉强
,
彭鸿雁
新型炭材料
采用直流热阴极PCVD( Plasma chemical vapor deposition)法间歇生长模式制备金刚石膜,通过加入周期性的刻蚀阶段清除金刚石膜在一定生长期中形成的石墨和非晶碳等杂质,实现了金刚石膜生长的质量调控.间歇式生长过程分为沉积阶段和刻蚀阶段,两个阶段交替进行.采用Raman光谱、SEM和XRD对所制金刚石膜的品质进行了表征,并与同样生长条件下连续生长模式制备的金刚石膜样品进行了比较.结果表明,当单个生长周期为30m in(沉积时间为20 min、刻蚀时间为10min)时,直流热阴极PCVD法间歇生长模式制备的金刚石膜中的非金刚石相杂质含量低于连续间歇生长模式制备的金刚石膜.
关键词:
直流热阴极
,
CVD
,
间歇生长模式
,
金刚石膜
林俊辉
,
姜宏伟
绝缘材料
采用十六烷基三甲氧基硅烷对亚微米氧化锌粉体进行表面有机化改性，将此改性氧化锌与PA6复合制得导热PA6塑料，并对其性能进行研究。结果表明：改性后氧化锌粉体的吸油值比改性前降低了67%；改性氧化锌粉体在PA6树脂基体中分散均匀，PA6表现出良好的熔体流动性；当添加改性氧化锌的体积分数为25%时，PA6塑料表现出良好的导热性和绝缘性，其热导率达到1.05 W/(m·K)，体积电阻率为7.29×1010Ω·m。
关键词:
PA6塑料
,
氧化锌
,
热导率
,
绝缘
