欢迎登录材料期刊网

材料期刊网

高级检索

  • 论文(2)
  • 图书()
  • 专利()
  • 新闻()

氧化铝赤泥盐酸浸出稀土元素研究

王克勤 , 宋嘉伟 , 高燕 , 姜武

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2012.04.028

在用盐酸浸出氧化铝赤泥提取氧化钪的过程中,稀土元素镧,铈,钕也一同浸出,进入到浸出液中.研究了拜耳法赤泥盐酸浸出稀土元素镧,铈,钕的过程.研究了浸出温度、酸度、液固比和浸出时间对稀土元素浸出率的影响.研究结果表明,影响稀土浸出率的因素依次是浸出温度,盐酸浓度,配料液固比,和浸出时间.当接近沸点109℃浸出时,镧、铈、钕浸出率提高最快.盐酸酸度在4~5 mol·L-1时,浸出率升高较快,5~7 mol·L-1时,缓慢提高,当超过7 mol·L-1时,镧、铈、钕的浸出率基本不变化.当液固比为4.0时,镧、铈、钕元素的浸出率较低,仅为60%~75%之间,当液固比提高到5.0时,稀土元素的浸出率升高较快.随着浸出时间的延长,氧化稀土的浸出率从60~180 min时,缓慢提高,在180 min时达到最大值,超过180 min后,变化不大.在温度为沸点(109℃),液固比6.0,时间180 min.盐酸浓度7 mol·L-1的条件下浸出,赤泥中La,Ce,Nd的浸出率能达到95%以上.

关键词: 拜耳法赤泥 , 浸出 , 液固比

温度对Ga掺杂ZnS纳米结构的形貌及光致发光性能的影响

王坤鹏 , 章海霞 , 翟光美 , 姜武 , 翟化松 , 许并社

人工晶体学报

分别以Zn粉和S粉为原材料,Ga为掺杂剂,Au纳米颗粒为催化剂,采用低温化学气相沉积法(CVD),在Si(l00)衬底上制备了Ga掺杂的ZnS纳米结构.利用X射线衍射仪(XRD)、能量弥散X-ray谱(EDS)、场发射扫描电子显微镜(SEM)和光致发光光谱(PL)等测试手段对样品的结构、成分、形貌和发光性能进行了分析.结果表明:随着温度的升高(450~ 550℃),Ga掺杂ZnS纳米结构的形貌发生了从蠕虫状纳米线到光滑纳米线再到纳米棒的演变,所制备的Ga掺杂的ZnS纳米结构均为六方纤锌矿结构,分别在波长为336 nm和675 nm处存在一个较强的近带边紫外发射峰和一个Ga掺杂引起的微弱红光峰,而其它发光峰均是缺陷引起的.此外,本文还对Ga掺杂ZnS纳米结构的形成过程进行了探讨,并提出了可能的形成机理.

关键词: ZnS纳米结构 , Ga掺杂 , 光致发光 , 化学气相沉积法 , 生长机理

出版年份

刊物分类

相关作者

相关热词