黄庆捷
,
孔海宽
,
李军
,
高磊
,
葛文伟
,
张怀金
,
胡小波
,
江怀东
,
王继扬
功能材料
采用提拉法生长得到LGS单晶,采用磷酸作腐蚀剂,对LGS晶体做了一系列腐蚀实验.实验结果表明:对于不同方向晶面,腐蚀液的配比和腐蚀时间等条件各不相同.根据腐蚀坑可以判定.其极轴是二次轴[1120]方向,并可具体确定极轴方向.关于腐蚀坑的分布可以判定,在现行条件下生长的晶体具有较高的质量.
关键词:
La3Ga5SiO14
,
化学腐蚀
,
缺陷
,
提拉法
高攀
,
刘熙
,
严成锋
,
忻隽
,
陈建军
,
孔海宽
,
郑燕青
,
施尔畏
人工晶体学报
SiC原料的纯度、粒径和晶型直接影响生长单晶的结晶质量和电学性质,尤其是高纯半绝缘本征SiC晶体的制备需要使用高纯SiC原料.本文采用超高温真空烧结炉,选择Si粉和C粉作为反应物,通过XRD、SEM、激光粒度测试仪和GDMS等测试手段研究了合成温度、压强、时间及原料配比等工艺条件对SiC颗粒成核、生...
关键词:
SiC晶体
,
原料
,
粒径
,
堆积密度
郑燕青
,
施尔畏
,
王绍华
,
陈辉
,
卢网平
,
孔海宽
,
陈建军
,
路治平
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.04.001
本文在用双坩埚提拉法生长近化学计量比LiNbO3晶体的过程中观察到了组分过冷的实验数据,同时根据Tiller-Chalmers稳定性判据公式半定量计算了近化学计量比LiNbO3晶体临界生长速率的理论值,得到一般电阻加热双坩埚提拉法生长近化学计量比LiNbO3晶体的临界生长速率为0.1mm/h数量级....
关键词:
双坩埚提拉法
,
近化学计量比
,
临界生长速率
,
组分过冷
赵守仁
,
张怀金
,
胡小波
,
孔海宽
,
刘均海
,
徐现刚
,
王继扬
,
蒋民华
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.03.020
采用提拉(Czochralski)法生长了Nd:LuVO4晶体.利用液相反应法,以V2O5和NH4OH生成NH4VO3,Nd2O3、Lu2O3和HNO3生成Nd(NO3)3和Lu(NO3)3反应制备多晶料;所生长Nd0.01Lu0.99VO4晶体为16×20×21 mm3,质量超过40g.以X射线荧...
关键词:
Nd:LuVO4
,
提拉法
,
分凝系数
,
介电常数
,
同步辐射形貌
涂小牛
,
郑燕青
,
陈辉
,
孔海宽
,
忻隽
,
曾一明
,
施尔畏
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.01257
采用提拉法生长了高掺镁铌酸锂晶体, 并采用高温极化法使晶体单畴化. 为研究晶体的成分均匀性、光学均匀性及铁电畴均匀性, 采用光谱、激光干涉、电子探针、显微观察等表征手段测定与观察了晶体的紫外吸收边、OH吸收峰、折射率梯度Δn、晶体径向上的微观成分及晶体的铁电畴结构. 结果表明: 通...
关键词:
高掺镁铌酸锂晶体
,
UV absorption edge
,
OH absorption peak
,
domain structure
,
optical homogeneity
刘熙
,
高攀
,
严成锋
,
孔海宽
,
忻隽
,
陈建军
,
施尔畏
人工晶体学报
本文利用有限元方法模拟不同升温程序对籽晶石墨化的影响,计算表明籽晶表面石墨化层厚度是由“倒温度差”区间的温度、持续时间和“倒温度差”绝对值综合决定.在升温程序初期可以采用较小功率阶梯加热,迅速升温节约时间；中期可以采用从现有功率线性加热至额定功率,这样使得籽晶原料“倒温度差”区间内温度值变小且减缓反...
关键词:
碳化硅
,
生长速率
,
有限元
曾一明
,
郑燕青
,
忻隽
,
孔海宽
,
陈辉
,
涂小牛
,
施尔畏
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2011.00180
Si3N4是一种具有多种优越物化性能的多功能材料. 采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算对Si3N4的高低温相(β、α)进行了对比研究. 对于α相, 计算得晶格常数 a =0.7678...
关键词:
Si3N4
,
piezoelectricity
,
first-principles
,
crystal structure
涂小牛
,
郑燕青
,
陈辉
,
孔海宽
,
忻隽
,
曾一明
,
施尔畏
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.01257
采用提拉法生长了高掺镁铌酸锂晶体,并采用高温极化法使晶体单畴化.为研究晶体的成分均匀性、光学均匀性及铁电畴均匀性,采用光谱、激光干涉、电子探针、显微观察等表征手段测定与观察了晶体的紫外吸收边、OH吸收峰、折射率梯度Δn、晶体径向上的微观成分及晶体的铁电畴结构.结果表明:通过采用合适的生长组分和改进提...
关键词:
高掺镁铌酸锂晶体
,
紫外吸收边
,
OH吸收峰
,
畴结构
,
光学均匀性
曾一明
,
郑燕青
,
忻隽
,
孔海宽
,
陈辉
,
涂小牛
,
施尔畏
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2011.00180
Si3N4是一种具有多种优越物化性能的多功能材料.采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算对Si3N4的高低温相(β、α)进行了对比研究.对于d相,计算得晶格常数a=0.7678nm、c=0.5566nm,弹性刚度系数C11=4.232×1011N/m2、c33=4.615×1011N/m2,...
关键词:
Si3N4
,
压电性能
,
第一性原理
,
晶体结构
王华杰
,
刘学超
,
孔海宽
,
忻隽
,
高攀
,
卓世异
,
施尔畏
无机材料学报
doi:10.15541/jim20160250
采用物理气相输运法(Physical Vapor Transport,PVT),在1700 ～ 1850℃生长温度下制备出AlN六方微晶柱;晶柱长度在1 cm左右,宽度在200 ～ 400μm,光学显微镜下观察为六棱柱形状并呈透明浅黄色光泽;扫描电子显微镜和原子力显微镜测试表明:AlN晶柱表面为整齐...
关键词:
Ⅲ-Ⅴ族半导体
,
氮化铝(AlN)晶体
,
六方微米柱
,
物理气相输运(PVT)
