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模塑制品内部成型收缩特性的可视化测定方法

姜开宇 , , 段飞

高分子材料科学与工程

模塑成型是高分子材料成型的重要手段,而制品的成型收缩则是决定高分子模塑制品精度及合格率的关键因素.文中以可视化模具系统为核心,通过对制品内部添加活性炭颗粒等特征点,提出了一种高分子材料模塑成型制品内部收缩的可视化测定及分析方法,并将该方法用于聚氨酯制品内部收缩率的测量与分析.结果显示,该方法能直观形象地呈现制品内部收缩:制品的内部收缩在浇口附近有明显的负收缩;制品长度收缩随流动路径的增加而增大,宽度收缩由中心线向两侧减小.

关键词: 模塑成型 , 内部收缩率 , 可视化测定

胶西北前家—洼家断裂带构造地球化学找矿预测

祝涛 , 杨斌

黄金 doi:10.11792/hj20160103

马虎沟测区位于灵北断裂带下盘,区内主干断裂为前家—洼家断裂,发育似斑状郭家岭型花岗闪长岩和玲珑型片麻状黑云母花岗岩. 本次地表构造地球化学测量范围约15 km2 ,采集构造地球化学样品共858件,测试元素包括Au、Ni、Pb、Co、Mo、Sn、Zn、Ti、Cr、As、Sb、Hg、Ag、Cu、Ba、Bi、B、Mn、V等19种. Au元素异常沿前家—洼家断裂带及次级断裂分布特征明显. 分形分维统计表明,Au具有多阶段成矿的特征. 结合多元统计分析,厘定本测区构造地球化学异常找矿标志为Au-Pb-Bi元素组合异常及因子得分Y(i,2)和Y(i,3)异常. 结合地质分析,圈定找矿靶区5处.

关键词: 找矿预测 , 构造地球化学 , 多元统计分析 , 家—洼家断裂带

硅片的直接键

王敬 , 屠海令 , 刘安生 , 张椿 , 周旗钢 , 朱悟新

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1998.05.013

介绍了硅片的直接键工艺、键机理、键质量评价方法以及键技术目前的研究和应用状况等.

关键词: 硅片 , 硅片键 , 直接键

铜线性能及键参数对键质量的影响

曹军 , 丁雨田 , 郭廷彪

材料科学与工艺

为了提高铜线性能及其键质量,采用拉力-剪切力测试仪、扫描电镜等研究了不同力学性能铜线及相应的键参数对其键质量的影响,分析了不同伸长率和拉断力、铜线表面缺陷、超声功率和键压力对铜线键质量的作用机制.结果表明:伸长率过小和拉断力过大会造成焊点颈部产生微裂纹,从而导致焊点的拉力和球剪切力偏低;表面存在缺陷的铜线其颈部经过反复塑性大变形会造成铜线表面晶粒和污染物脱落而出现短路和球颈部断裂;键过程中键压力过大能够引起的焊盘变形,同时较大的接触应力引起铝层溢出;过大的超声功率使键区域变形严重产生明显的裂纹和引起键附近区域严重的应力集中,致使器件使用过程中产生微裂纹而降低器件的使用寿命.

关键词: 伸长率 , 拉断力 , 表面 , 超声功率 , 压力

硅/硅键新方法的研究

刘玉岭 , 王新 , 张文智 , 徐晓辉 , 张德臣 , 张志花

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2000.01.004

研究成功用Ⅳ族元素锗进行硅/硅键的一整套新技术(代替通用的亲水法);实现了键层无孔洞,边沿键率达98%以上,键强度达2156Pa以上,并通过在锗中掺入与低阻同型号的杂质,实现了应力补偿.

关键词: , , , 机理

Cu/Sn等温凝固芯片键工艺研究

杜茂华 , 蒋玉齐 , 罗乐

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.04.015

研究了 Cu/Sn等温凝固芯片键工艺,对等离子体处理、键气氛、压力以及 Sn层厚度等因 素对焊层的键强度的影响进行了分析和优化.实验表明,等离子体处理过程的引入是保证键 质量的重要因素,在功率 500W、时间 200s的处理条件下,得到了最大的键强度;而键气氛对键 质量有显著的影响,在真空环境下,能得到最佳的键质量;压力对键质量的影响较小,施加较 小的压力( 0.05MPa)即能得到较大的剪切强度;而 Sn层厚度对键质量的影响极小,而较薄的厚度 能够缩短键合时间.在最优化条件下,得到的键强度值全部达到了美军标规定的 6.25MPa的强 度要求(对于 2mm× 2mm芯片).

关键词: 芯片键 , 等温凝固 , Cu/Sn体系 , 微结构

离子色谱的研究进展

丁晓静 , 牟世芬

色谱 doi:10.3321/j.issn:1000-8713.2001.05.007

讨论了近10年来发展较为活跃的螯离子色谱(CIC)的原理及其系统组成和分析流程,高效螯离子色谱(HPCIC)的原理,高效螯固定相的类型、应用范围及优缺点等,其中包括化学键、永久涂敷或动态涂敷的高效螯固定相,引用文献53篇.

关键词: 离子色谱 , 高效螯离子色谱 , 进展 , 金属离子 , 永久涂敷 , 动态涂敷

SOI键材料的TEM研究

王敬 , 屠海令 , 刘安生 , 周旗钢 , 朱悟新 , 张椿

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1998.04.008

用横断面透射电子显微术 (TEM) 研究了用键方法获得的SOI材料的界面结构.绝缘层二氧化硅和硅膜的厚度非常均匀, Si膜/SiO2以及SiO2/Si基体的界面平直且结合紧密,在界面上没有观察到缺陷和孔洞.

关键词: 硅片键 , SOI , 界面 , 微结构

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