徐淑艳
,
马欣新
,
孙明仁
,
方丽红
稀有金属材料与工程
采用直流磁控溅射法制备了B-C-N薄膜.通过改变基体偏压,研究其对薄膜的成分、结构和力学性能的影响.X射线光电子谱(XPS)和傅里叶变换红外光谱(FTIR)试验结果表明薄膜中存在着B-C,B-N,C-C和C-N键,说明薄膜中B,C,N 3种元素达到了原子级化合.随基体偏压增大,薄膜无序化程度增强.纳...
关键词:
BCN薄膜
,
直流磁控溅射
,
组织结构
,
性能
田晶泽
,
夏立芳
,
马欣新
,
孙跃
,
孙明仁
材料科学与工艺
doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2000.02.004
用电子束蒸发纯硼,在硅片上沉积不同厚度的硼膜,然后用等离子体基离子注入(PBⅡ)技术在硼膜上注入氮以形成氮化硼(BN).用XPS分析膜的成分深度分布及化学价态;用傅里叶变换红外(FTIR)透射谱分析膜的结构.氮在膜中呈类似高斯分布,随着注入电压增大, 膜的N/B比增大且影响氮在膜中的分布,在较高的注...
关键词:
等离子体基离子注入
,
氮化硼
,
傅里叶变换红外谱
李金龙
,
孙明仁
,
马欣新
,
唐光泽
,
金银玉
材料科学与工艺
doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2007.01.010
采用Ti、N等离子体基离子注入和先在基体表面沉积纯钛层然后离子注氮混合两种方法在铝合金基体上制备了TiN膜.利用XPS分析了两种方法制备TiN薄膜的成分深度分布和元素化学价态,并用力学性能显微探针测试对比了TiN膜的纳米硬度.研究表明:两种方法制备的薄膜均由TiN组成,Ti、N等离子体基离子注入薄膜...
关键词:
等离子体基离子注入
,
TiN膜
,
XPS
,
成分深度分布
,
元素化学价态
,
纳米硬度
孙明仁
,
夏立芳
,
孙跃
,
马欣新
,
李光
,
张振信
材料研究学报
用等离子体基脉冲偏压技术制备了DLC(类金刚石碳)膜,DLC膜硬度值达30GPa,电阻值达100MΩ以上. 降低脉冲负偏压峰值及适量引入氢气可促进SP3结构的形成,但氢气量超过一定阈值后SP2束片尺寸细化,SP2键含量有增加的趋势. 在GCr15轴承钢基体上经磁近代溅射沉积约300nm纯Ti层,再用...
关键词:
等离子体
,
null
,
null
于伟东
,
夏立芳
,
孙跃
,
马欣新
,
孙明仁
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2000.08.006
采用金属等离子体基离子注入的方法,在Ag基体上注入了Al.用X射线光电子能谱仪(XPS)对注入层的Al浓度-深度分布和化学态进行了分析.用X射线衍射法(XRD)对注入层和非平衡磁控溅射的Al沉积层相组成进行了测定和比较,选用小掠射角(3°)XRD对注入层的相组成进行了测定.结果表明,注入层中Al浓度...
关键词:
金属等离子体
,
等离子体基离子注入
,
Ag
,
X射线光电子能谱
,
掠射X射线衍射
夏立芳
,
孙明仁
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2002.04.022
用核反应分析方法,对等离子体基脉冲偏压沉积DLC膜的氢分布和氢含量进行了较系统的研究.结果表明,用等离子体基脉冲偏压沉积技术可获得较低氢含量的DLC膜,其氢含量范围约为6at%～17at%,且氢沿膜厚是均匀分布的,随等离子体密度及离化率降低,DLC膜的氢含量增加,荷能离子对生长表面的轰击具有较强的析...
关键词:
DLC膜
,
氢分布
,
氢含量
李金龙
,
孙明仁
,
马欣新
材料热处理学报
采用等离子体基氧离子注入技术对Ti6Al4V合金进行表面处理.注入电压选取- 50 kV,注入剂量为4.5×1017 ions/cm2.氧离子注入后对注入样品进行不同温度的真空退火处理.真空退火后,样品表面形貌发生显著变化.随着退火温度增加,先后出现点状、条状缺陷和浅白色块状区.500℃真空退火后样...
关键词:
Ti6Al4V合金
,
氧离子注入
,
表面形貌
,
结构
