司汇通
,
王兵
,
孙智纯
,
张英英
,
鲁佩佩
高分子材料科学与工程
doi:10.16865/j.cnki.1000-7555.2016.10.027
以SiO2为载体,甲基丙烯酸(MAA)为功能单体,运用蒸馏沉淀法制备出苯并噻吩(BT)、二苯并噻吩(DBT)复合模板分子印迹聚合物,去除载体后得到中空分子印迹聚合物(H-MIP).利用傅里叶变换红外光谱仪、透射电镜对其进行表征,在模拟汽油环境中测试该印迹聚合物的吸附性能.结果表明,该中空结构的多孔分子印迹聚合物对BT及DBT表现出良好的选择性吸附性能,吸附容量分别为188 μmol/g和212 μmol/g,同时该产品可在短周期内重复使用.
关键词:
分子印迹
,
中空结构
,
蒸馏沉淀聚合
,
双模板
孙智纯
,
王兵
,
单娟娟
材料研究学报
doi:10.11901/1005.3093.2015.488
以聚苯乙烯为种球、镉(Ⅱ)离子为模板、安息香肟为功能单体、乙二醇二甲基丙烯酸酯(EGDMA)为交联剂,采用种球溶胀悬浮聚合法在水相环境中制备了镉离子印迹聚合物微球(IIPs).使用紫外光谱(UV)、傅里叶变换红外光谱仪(FT-IR)研究了模板离子与功能单体之间的最佳配比和相互作用,用扫描电子显微镜观测了印迹聚合物的微观形貌.进行平衡和等温吸附实验研究了印迹聚合物微球的吸附性能.结果表明,镉(Ⅱ)离子与安息香肟之间有相互作用,其最佳配比为1:2;合成的IIPs外形规则,分散性较好;溶液的pH值为6时该IIPs达到最佳吸附效果,且对镉离子有较好的结合能力,具有较高的特异识别性,可对水环境中的镉离子进行有效的吸附和分离.
关键词:
有机高分子材料
,
离子印迹聚合物微球
,
种球溶胀悬浮聚合
,
镉(Ⅱ)离子
,
选择性吸附
祝涛
,
杨斌
黄金
doi:10.11792/hj20160103
马虎沟测区位于灵北断裂带下盘,区内主干断裂为前孙家—洼孙家断裂,发育似斑状郭家岭型花岗闪长岩和玲珑型片麻状黑云母花岗岩. 本次地表构造地球化学测量范围约15 km2 ,采集构造地球化学样品共858件,测试元素包括Au、Ni、Pb、Co、Mo、Sn、Zn、Ti、Cr、As、Sb、Hg、Ag、Cu、Ba、Bi、B、Mn、V等19种. Au元素异常沿前孙家—洼孙家断裂带及次级断裂分布特征明显. 分形分维统计表明,Au具有多阶段成矿的特征. 结合多元统计分析,厘定本测区构造地球化学异常找矿标志为Au-Pb-Bi元素组合异常及因子得分Y(i,2)和Y(i,3)异常. 结合地质分析,圈定找矿靶区5处.
关键词:
找矿预测
,
构造地球化学
,
多元统计分析
,
前孙家—洼孙家断裂带
蔡永成
钢铁
结合EAF+VHD+VOD冶炼超纯工业纯铁的生产实践,对超低碳、磷、硫的操作工艺进行了讨论分析.
关键词:
工业纯铁
,
冶炼技术
陈蓉
,
王力军
,
罗远辉
,
张力
,
陈松
,
韩林
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2005.05.043
高纯钴主要应用于磁记录材料、磁传感器材料、光电材料等高技术领域.其制备方法有萃取法、离子交换法、电解法、真空熔炼法等.萃取法和离子交换法能够制备高纯盐, 这是制备高纯钴的重要环节.高纯钴盐通过沉淀、氢还原或电解能获得高纯金属原料, 该过程也将金属进一步提纯.真空熔炼法能够进一步提纯金属, 并得到性能优异的金属锭.采用几种方法结合的工艺路线可以制备出品质优良的高纯材料.
关键词:
高纯钴
,
萃取
,
离子交换
,
电解
,
真空熔炼
鲜晓斌
,
叶林森
,
冷邦义
,
谢东华
,
谢茂林
,
迟永刚
稀有金属材料与工程
采用热等静压(HIP)技术制备纯钒,利用材料试验机、OM、SEM、TEM和TGA等测试纯钒的力学性能并观察其拉伸断口形貌、进行热重分析.结果表明:热等静压温度在1250 ℃以上可以实现全致密化;随温度的升高,抗拉强度、屈服强度均先降低后增加,延伸率及断面收缩率呈相反趋势变化,在1250 ℃综合性能最佳,抗拉强度、屈服强度分别为701,634 MPa,延伸率为22.4%;断口形貌表现出滑断、微孔聚集等不同的断裂方式,不同温度制备的纯钒试样晶粒大小没有显著变化,均观察到板条马氏体组织存在; 氧化行为符合抛物线规律,活化能为118 kJ/mol.
关键词:
热等静压
,
纯钒
,
性能
,
组织
,
氧化
程沪生
电镀与涂饰
介绍了一种纯铝硫酸型阳极氧化染色工艺.工艺流程主要包括:机械抛光,化学除油,出光,电解抛光,浸磷-铬酸,阳极氧化,氨水中和,染色,显色,封闭.给出了各工序的工艺条件.指出了染色工艺中出现的故障及解决办法.
关键词:
铝
,
阳极氧化
,
硫酸
,
染色
,
故障处理
刁千顺
,
蔣卫斌
,
孔庆平
,
蔡民
,
刘长松
,
方前锋
人工晶体学报
利用自制的硅碳棒加热单晶生长炉,采用改进的坩埚下降法,在最高温度900℃,坩埚相对下降速度约为1.7cm/h条件下,生长出直径约为φ50mm的纯镁单晶.通过X射线衍射、金相观察和测量电导率等手段研究分析了所生长镁单晶的晶体质量.
关键词:
镁单晶
,
坩埚下降法
,
电导率