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铁皮石斛的裂解气相色谱指纹图谱及其系统聚类分析

王丽丽 , 王聪 , 潘再 ,

色谱 doi:10.3321/j.issn:1000-8713.2008.05.017

采用裂解气相色谱/质谱法(Py-GC/MS)测定了10种不同产地的铁皮石斛并结合系统聚类分析比较了这些铁皮石斛的指纹图谱,采用释放气体分析考察了裂解温度对指纹图潜的影响.结果表明,0.4 mg样品在450℃下可瞬间裂解,10种样品的指纹图谱具有相似性,且重现性好;采用系统聚类分析能区别不同产地的样品.本法快速、简便、准确,不失为药材质量控制的良好方法.

关键词: 裂解气相色谱/质谱法 , 系统聚类分析 , 指纹图谱 , 铁皮石斛

锗单晶材料的生长与应用

张亚萍 , 席珍强 , 张瑞丽 , 张秀芳 ,

材料导报

锗单晶材料由于独特的性能而被广泛应用于微电子技术、红外技术、核探测、太阳电池等多个领域.简要介绍了直拉生长的工艺及特点,无位错直拉锗单晶的生长与现状,以及锗单晶材料在不同领域的应用和发展.

关键词: , 单晶 , 直拉

大规模真空蒸镀二氧化钛薄膜及其表征

彭晓光 , 汪洋 , 曹开斌 ,

功能材料

采用大型真空镀膜设备在玻璃基底上蒸镀二氧化钛(TiO2)薄膜,并对TiO2薄膜进行了SEM、AFM、XRD、紫外可见光吸收光谱、亲水性的测试及分析,探讨了退火温度对薄膜性能的影响.结果表明制备的TiO2薄膜具有良好的均匀性.在室温条件下,TiO2薄膜具有无定型的结构;在300~500℃的条件下,TiO2薄膜退火2h后以锐铁矿晶型为主,600℃退火的TiO2薄膜明显向金红石型转变.随退火温度的升高,薄膜对紫外光和可见光的吸收有明显提高,并出现了明显的红移现象.另外,亲水性也随退火温度的升高而变强,500和600℃退火的TiO2薄膜表面出现超亲水性.

关键词: TiO2 , 薄膜制备 , 真空蒸镀 , 亲水性

胶西北前家—洼家断裂带构造地球化学找矿预测

祝涛 , 杨斌

黄金 doi:10.11792/hj20160103

马虎沟测区位于灵北断裂带下盘,区内主干断裂为前家—洼家断裂,发育似斑状郭家岭型花岗闪长岩和玲珑型片麻状黑云母花岗岩. 本次地表构造地球化学测量范围约15 km2 ,采集构造地球化学样品共858件,测试元素包括Au、Ni、Pb、Co、Mo、Sn、Zn、Ti、Cr、As、Sb、Hg、Ag、Cu、Ba、Bi、B、Mn、V等19种. Au元素异常沿前家—洼家断裂带及次级断裂分布特征明显. 分形分维统计表明,Au具有多阶段成矿的特征. 结合多元统计分析,厘定本测区构造地球化学异常找矿标志为Au-Pb-Bi元素组合异常及因子得分Y(i,2)和Y(i,3)异常. 结合地质分析,圈定找矿靶区5处.

关键词: 找矿预测 , 构造地球化学 , 多元统计分析 , 家—洼家断裂带

原子吸收简介(Ⅰ)

丘星初 , 丘山 , 丘圣 , 储荣邦

电镀与精饰 doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2012.02.009

叙述了原子吸收光谱分析在电镀工业园区分析中的应用.简要介绍了原子吸收光谱分析的基本原理和原子吸收分光光度计的构造及其功能;着重介绍了原子吸收中仪器最佳操作条件的选择,包括吸收波长、灯电流、预热时间、狭缝宽度、火焰性质、观测高度、燃烧器角度及试液提升量等,以便分析工作者根据仪器型号的不同进行优选.最后还介绍了仪器的日常使用与维护,及一般故障的排除方法.可供电镀工业园区实验室化验员参政.

关键词: 原子吸收光谱分析 , 电镀分析应用 , 仪器使用与维护

CVD与PCVDTiN薄膜研究

刘齐成 , 刘培英 , 陶冶 , 刘利

材料工程 doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2000.12.007

用等离子体增强化学气相沉积(PCVD)和化学气相沉积(CVD)分别制备TiN系薄膜.采用扫描电镜、X射线衍射仪和连续加载压入仪研究分析薄膜的微观结构、相结构和薄膜的力学性能,并采用电极电位法测定了薄膜的耐腐蚀性能.研究表明:PCVDTiN系薄膜的微观组织形态明显优于同类的CVD薄膜,PCVD薄膜晶粒尺寸细小、均匀,形态圆整,组织致密;CVD薄膜晶粒形态为多边形,尺寸较粗大、不均匀,组织致密性差;PCVDTiN系薄膜的韧性和结合力等力学性能可达到或优于同类CVD薄膜;虽然PCVD薄膜的氯含量(约为2%)远高于CVD薄膜(约为0.5%),但PCVD薄膜的耐蚀性能却明显优于CVD薄膜.还研究分析了PCVD和CVD成膜模式对薄膜微观结构和性能的影响机理.

关键词: CVD , PCVD , 薄膜

CVT生长GaP多晶

王向阳 , 何莉 , 田鸿昌 , 东艳萍 , 蔡以超

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.05.037

阐述了CVT(化学气相输运)生长GaP的基本反应和输运速度,采用CVT生长出了GaP多晶.设计了石英管的结构以制造出一个局部的低温区域,防止了GaP在管壁的生长.生长出的GaP多晶相对密度为98%,红外透过率达到30%,努普硬度为611kg/mm2.散射颗粒测试表明主要的光散射颗粒为多晶中存在的孔隙.

关键词: CVT(化学气相输运) , GaP多晶 , 红外窗口材料

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