孙炳合
,
张获
,
范同祥
,
谢贤清
功能材料
介绍了木质材料陶瓷化在国内外的研究进展状况.针对木质材料陶瓷化方法在原材料选取,熔融浸渍体种类以及不同制备工艺路线等方面做了详细论述,并分析了结构功能一体化材料--木质陶瓷的应用性能及影响因素,最后总结了木质材料陶瓷化存在的不足及发展方向.
关键词:
木质材料陶瓷化
,
制备
,
性能
赵琳
,
孙炳合
,
范同祥
,
张荻
功能材料
以棉花为模板制备纤维状氧化铝陶瓷,并采用X射线衍射、扫描电镜和比表面积检测法对其微观结构及特征进行了研究.结果表明,制备得到的Al2O3成功地保留了植物纤维的结构.在不同的烧结温度下,得到的Al2O3具有不同的晶型,从低温到高温,获得的晶型从非晶态Al2O3→γ-Al2O3→α-Al2O3,物质稳定性逐渐提高.对比表面积和平均孔径的测定结构表明,不同的制备工艺对氧化铝陶瓷的比表面积和孔径影响很大.
关键词:
模板法
,
氧化铝
,
煅烧
祝涛
,
杨斌
黄金
doi:10.11792/hj20160103
马虎沟测区位于灵北断裂带下盘,区内主干断裂为前孙家—洼孙家断裂,发育似斑状郭家岭型花岗闪长岩和玲珑型片麻状黑云母花岗岩. 本次地表构造地球化学测量范围约15 km2 ,采集构造地球化学样品共858件,测试元素包括Au、Ni、Pb、Co、Mo、Sn、Zn、Ti、Cr、As、Sb、Hg、Ag、Cu、Ba、Bi、B、Mn、V等19种. Au元素异常沿前孙家—洼孙家断裂带及次级断裂分布特征明显. 分形分维统计表明,Au具有多阶段成矿的特征. 结合多元统计分析,厘定本测区构造地球化学异常找矿标志为Au-Pb-Bi元素组合异常及因子得分Y(i,2)和Y(i,3)异常. 结合地质分析,圈定找矿靶区5处.
关键词:
找矿预测
,
构造地球化学
,
多元统计分析
,
前孙家—洼孙家断裂带
曹军
,
丁雨田
,
郭廷彪
材料科学与工艺
为了提高铜线性能及其键合质量,采用拉力-剪切力测试仪、扫描电镜等研究了不同力学性能铜线及相应的键合参数对其键合质量的影响,分析了不同伸长率和拉断力、铜线表面缺陷、超声功率和键合压力对铜线键合质量的作用机制.结果表明:伸长率过小和拉断力过大会造成焊点颈部产生微裂纹,从而导致焊点的拉力和球剪切力偏低;表面存在缺陷的铜线其颈部经过反复塑性大变形会造成铜线表面晶粒和污染物脱落而出现短路和球颈部断裂;键合过程中键合压力过大能够引起的焊盘变形,同时较大的接触应力引起铝层溢出;过大的超声功率使键合区域变形严重产生明显的裂纹和引起键合附近区域严重的应力集中,致使器件使用过程中产生微裂纹而降低器件的使用寿命.
关键词:
伸长率
,
拉断力
,
表面
,
超声功率
,
键合压力
刘玉岭
,
王新
,
张文智
,
徐晓辉
,
张德臣
,
张志花
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2000.01.004
研究成功用Ⅳ族元素锗进行硅/硅键合的一整套新技术(代替通用的亲水法);实现了键合层无孔洞,边沿键合率达98%以上,键合强度达2156Pa以上,并通过在锗中掺入与低阻同型号的杂质,实现了应力补偿.
关键词:
硅
,
锗
,
键合
,
机理
杜茂华
,
蒋玉齐
,
罗乐
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.04.015
研究了 Cu/Sn等温凝固芯片键合工艺,对等离子体处理、键合气氛、压力以及 Sn层厚度等因 素对焊层的键合强度的影响进行了分析和优化.实验表明,等离子体处理过程的引入是保证键合 质量的重要因素,在功率 500W、时间 200s的处理条件下,得到了最大的键合强度;而键合气氛对键 合质量有显著的影响,在真空环境下,能得到最佳的键合质量;压力对键合质量的影响较小,施加较 小的压力( 0.05MPa)即能得到较大的剪切强度;而 Sn层厚度对键合质量的影响极小,而较薄的厚度 能够缩短键合时间.在最优化条件下,得到的键合强度值全部达到了美军标规定的 6.25MPa的强 度要求(对于 2mm× 2mm芯片).
关键词:
芯片键合
,
等温凝固
,
Cu/Sn体系
,
微结构
丁晓静
,
牟世芬
色谱
doi:10.3321/j.issn:1000-8713.2001.05.007
讨论了近10年来发展较为活跃的螯合离子色谱(CIC)的原理及其系统组成和分析流程,高效螯合离子色谱(HPCIC)的原理,高效螯合固定相的类型、应用范围及优缺点等,其中包括化学键合、永久涂敷或动态涂敷的高效螯合固定相,引用文献53篇.
关键词:
螯合离子色谱
,
高效螯合离子色谱
,
进展
,
金属离子
,
永久涂敷
,
动态涂敷
王敬
,
屠海令
,
刘安生
,
周旗钢
,
朱悟新
,
张椿
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1998.04.008
用横断面透射电子显微术 (TEM) 研究了用键合方法获得的SOI材料的界面结构.绝缘层二氧化硅和硅膜的厚度非常均匀, Si膜/SiO2以及SiO2/Si基体的界面平直且结合紧密,在界面上没有观察到缺陷和孔洞.
关键词:
硅片键合
,
SOI
,
界面
,
微结构