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非水热法制备CN-NiS催化剂及其产氢性能研究

于姗 , 欧阳博 , 李治军 , 孟庆元 , 冯科 , 陈彬 , 佟振合 , 吴骊珠

影像科学与光化学 doi:10.7517/j.issn.1674-0475.2015.02.117

本文通过将硫化聚苯胺纳米管和镍盐混合煅烧,制得CN-NiS催化剂.通过X射线固体粉末衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和光电子能谱(XPS)表征,证实了CN-NiS催化剂的组成、结构及形貌特征.使用荧光素和三乙胺分别作为光敏单元和电子牺牲体,最优条件下,基于CN-NiS的光催化体系产氢效率可达...

关键词: NiS , 光催化产氢 , 荧光素 , 三乙胺

新型多吡啶Pt(Ⅱ)配合物可见光催化的N-苯基四氢异喹啉交叉脱氢偶联反应

梁文静 , 高学旺 , 邢令宝 , 孟庆元 , 钟建基 , 雷涛 , 佟振合 , 吴骊珠

影像科学与光化学 doi:10.7517/j.issn.1674-0475.2014.05.0447

本文合成了一种在水中和有机相中均有良好溶解性的新型多吡啶Pt(Ⅱ)配合物[Pt],并利用[Pt]作光催化剂,研究了N-苯基四氢异喹啉的可见光催化交叉脱氢偶联反应.在空气和室温条件下,高效实现了N-苯基四氢异喹啉和硝基烷烃在纯水相和有机相中的交叉脱氢偶联:在水相中,偶联反应的产率在81％以上;在有机相...

关键词: 多吡啶Pt(Ⅱ)配合物 , N-苯基四氢异喹啉 , 可见光催化 , 交叉脱氢偶联

脆性材料微裂缝无序度与尺寸效应

张彤 , 孟庆元

材料科学与工艺 doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2004.03.023

假定在某些脆性无序材料内含有相同的微裂缝随机分布概率密度,但具有不同无序度的情况下,建立了模拟材料力学行为的二维不连续位移法边界元数值计算模型.实现了材料微裂缝生长、扩展到最终破坏的全过程数值仿真.根据分形几何理论确定了材料断裂表面几何形貌的分形维数.得到了材料的断裂强度随微裂缝长度随机分布无序度的...

关键词: 微裂缝无序度 , 分形几何 , 尺寸效应 , 断裂韧性 , 边界元

Si晶体中60°位错运动的分子动力学研究

杨立军 , 孟庆元 , 李根 , 李成祥 , 钟康游

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.03.005

在Si晶体中建立了60°位错偶极子模型并通过Parrinello-Rahman方法施加剪应力,使用分子动力学方法研究了60°位错在不同的温度和剪应力作用下的运动特性.观察到了位错速度与剪应力成正比关系;而温度对位错速度的影响,随着外加剪应力的不同呈现出三种趋势:(1) 低剪应力作用下,位错速度与温度...

关键词: 位错运动速度 , 分子动力学模拟 , 声子拖动效应

一维纳米材料导热性能的分子动力学模拟

高宇飞 , 孟庆元

金属学报 doi:10.3724/SP.J.1037.2010.00164

采用基于线性响应理论的非平衡分子动力学模拟方法,通过3体Tersoff势函数描述原子间的相互作用,模拟了C,BN和SiC纳米管的热传导过程.研究了轴向长度,温度和外加拉伸应变等因素对3种纳米管的轴向热导率的影响,并对3种纳米管的导热性能进行了比较.结果表明:纳米管的热导率κ随着轴向长度L的增加而增加...

关键词: 非平衡分子动力学 , 纳米管 , 热导率

硅中90度部分位错双周期结构的运动特性

王超营 , 王振清 , 孟庆元

人工晶体学报

利用基于紧束缚势(TB)的分子模拟方法研究了硅中90度部分位错双周期(DP)结构的运动特性.详尽描述了该结构的左弯结和右弯结在一个周期内的运动过程.利用共轭梯度(conjugate gradients:CG)法计算得到了DP结构中左、右弯结的形成能.另外,在弯结运动过程的基础上,利用NEB(nudg...

关键词: 硅 , 90度部分位错 , 运动特性 , 分子模拟

无序材料微裂缝分形几何与尺寸效应的微观机理

张彤 , 孟庆元 , 王富耻

材料研究学报 doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2004.05.016

针对一些含有相同的微裂缝随机分布概率密度但无序度不同的材料,建立了模拟材料断裂力学行为的二维不连续位移法边界元数值计算模型,实现了材料微裂缝的生长、扩展到最终破坏的全过程数值模拟.从分形几何的新视角深入地揭示了脆性或准脆性无序材料产生尺寸效应的微观机理.材料断裂力学行为的数值模拟结果与Bazant尺...

关键词: 材料科学基础学科 , 无序度 , 分形几何 , 微裂缝长度分布 , 尺寸效应 , 断裂强度

Si中30°部分位错和单空位相互作用的分子动力学模拟

王超营 , 孟庆元 , 王云涛

金属学报 doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2009.04.004

利用基于Stillinger-Weber(SW)势函数的分于动力学方法分析了Si中30°部分位错和单空位(V1)的相互作用.不同温度,剪应力作用下的计算结果表明,在温度恒定条件下,剪应力较小时,V1对位错有钉扎作用;当施加的剪应力达到临界剪应力时,位错脱离V1的钉扎继续运动,并且将V1遗留在晶体中;...

关键词: Si,30°部分位错 , 单空位 , 分子动力学 , 弯结