王根水
,
于剑
,
赖珍荃
,
孟祥建
,
孙兰
,
郭少令
,
褚君浩
,
李刚
,
路庆华
功能材料
采用改进的溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了PZT50/50铁电薄膜-用X射线衍射表征了薄膜的物相,用原子力显微镜(AFM)表征薄膜的微观形貌,用RT-66A测量了薄膜的铁电特性,获得了具有优良的铁电性能的晶粒尺寸为100nm的PZT50/50铁电薄膜,在20V电压下,P,=31.83μC/Cm2.
关键词:
溶胶-凝胶法
,
前驱体
,
PZT50/50
,
铁电薄膜
马建华
,
孟祥建
,
孙璟兰
,
褚君浩
无机材料学报
采用金属有机分解法(MOD)在(111)Pt／Ti／SiO2／Si衬底上制备了含(117)成分的 c轴择优取向和a轴择优取向的Bi3.25Nd0.75Ti3O12(BNT)薄膜.实验发现, BNT薄膜的晶 型结构主要依赖于预退火条件.电学性能测试表明,a轴择优取向的BNT薄膜具有高的剩余 极化和矫顽场,较高的介电常数和介电损耗,以及较大的电容调谐率;而c轴择优取向的则相 反. BNT薄膜具有同Bi4Ti3O12(BIT)薄膜相似的铁电各向异性行为.
关键词:
BNT薄膜
,
crystallinity
,
ferroelectricity
,
anisotropy
马建华
,
孟祥建
,
孙兰璟
,
褚君浩
无机材料学报
采用金属有机分解法(MOD)在LNO(100)/Si衬底上制备了Pb0.985La0.01(Zr0.4Ti0.6)O3(PLZT)铁电薄膜. 在薄膜的快速退火过程中, 增加了一个中间温度预退火过程, 并研究了该过
程对薄膜晶型结构和铁电性能的影响. 结果发现, 中间温度预退火过程可以影响薄膜对晶型结构的选择. 没有中间温度预退火过程的薄膜, 显示出(100)择优取向; 而经中间温度预退火的
薄膜则表现为随机取向. 对薄膜铁电性能的研究表明, 没有中间温度预退火过程的薄膜的铁电性能较差, 经380℃预退火的薄膜显示出最佳的铁电性能. 晶型结构取向和缺陷是影
响PLZT薄膜铁电性能的两个主要因素.
关键词:
PLZT薄膜
,
intermediate pre-annealing process
,
crystallinity
,
ferroelectricity
陈代荣
,
孟祥建
,
李博
,
孙思修
无机材料学报
考察了偏钛酸作前驱体水热合成TiO2微粉过程中偏钛酸、正钛酸及水溶液中阴、阳离子，如PO3-4、Ac-、Zn2+、NH+4够等与TiO2物相的关系，并探讨了阴、阳离子对TiO2颗粒形貌的影响.结果表明，TiO2物相与前驱体偏钛酸的微结构有关，HN+4、Zn2+、正钛酸及小的、低价阴离子能促进金红石物相的形成，而大的、高价阴离子则利于锐钛矿物相的形成，且影响TiO2颗粒的生长.
关键词:
偏钛酸
,
hydrothermal method
,
TiO2 particles
王根水
,
石富文
,
孙璟兰
,
孟祥建
,
戴宁
,
褚君浩
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.03.004
采用化学溶液法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了PbZr0.4Ti0.6O3/LaNiO3(PZT/LNO)多层薄膜.X射线衍射测量表明LNO缓冲层的引入使PZT薄膜(111)择优取向度减小,(100)取向增加.原子力显微镜测量表明引入LNO缓冲层使得PZT薄膜表面更加平整、致密.在LNO缓冲层上制备的PZT薄膜具有优良的铁电特性和介电特性:LNO缓冲层厚度为40nm时,500 kV/cm的外加电场下,剩余极化(Pr)为37.6μC/cm2,矫顽电场(Ec)为65 kV/cm;100 kHz时,介电常数达到822,并且发现LNO缓冲层的厚度为40nm,PZT的铁电、介电特性改进最为显著.
关键词:
LaNiO3
,
PbZr0.4Ti0.6O3
,
铁电薄膜
,
剩余极化
,
介电特性
孟祥建
,
崔月芝
,
乔从德
,
许静
,
李天铎
高分子材料科学与工程
研究了由1,2-乙二胺和1,4-丁二胺制备的二元季铵盐与明胶的相互作用.结果表明,在明胶的稀溶液(1％,质量分数,下同)中,加入二元季铵盐只引起无规线团内部的交联而导致黏度下降;而在较高质量分数的明胶溶液中(5％～7％),二元季铵盐则引起明胶分子间交联,导致明胶溶液的黏度大幅度上升.在30℃及弱碱性条件(pH=8)下有利于离子键交联作用的产生.对明胶干凝胶的玻璃化温度及其在水溶液中的溶胀比进行研究,发现加入二元季铵盐后干凝胶的溶胀比明显下降,玻璃化温度明显上升,说明二元季铵盐与明胶的交联作用提高了干凝胶的耐水性及热稳定性.
关键词:
二元季铵盐
,
明胶
,
黏度
,
交联
,
热稳定性
马建华
,
孟祥建
,
孙璟兰
,
褚君浩
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2005.01.025
采用金属有机分解法(MOD)在LNO(100)/Si衬底上制备了Pb0.985La0.01(Zr0.4Ti0.6)O3(PLZT)铁电薄膜.在薄膜的快速退火过程中,增加了一个中间温度预退火过程,并研究了该过程对薄膜晶型结构和铁电性能的影响.结果发现,中间温度预退火过程可以影响薄膜对晶型结构的选择.没有中间温度预退火过程的薄膜,显示出(100)择优取向;而经中间温度预退火的薄膜则表现为随机取向.对薄膜铁电性能的研究表明,没有中间温度预退火过程的薄膜的铁电性能较差,经380℃预退火的薄膜显示出最佳的铁电性能.晶型结构取向和缺陷是影响PLZT薄膜铁电性能的两个主要因素.
关键词:
PLZT薄膜
,
中间温度预退火
,
晶型结构
,
铁电性能
马建华
,
孟祥建
,
孙璟兰
,
褚君浩
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2005.02.027
采用金属有机分解法(MOD)在(111)Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了含(117)成分的c轴择优取向和a轴择优取向的Bi3 25Ndo 75Ti3O 12(BNT)薄膜.实验发现,BNT薄膜的晶型结构主要依赖于预退火条件.电学性能测试表明,a轴择优取向的BNT薄膜具有高的剩余极化和矫顽场,较高的介电常数和介电损耗,以及较大的电容调谐率;而c轴择优取向的则相反.BNT薄膜具有同Bi4Ti3O12(BIT)薄膜相似的铁电各向异性行为.
关键词:
BNT薄膜
,
晶型结构
,
铁电性能
,
各向异性
