李丹
,
孟继承
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张景鑫
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朱凤福
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周连科
人工晶体学报
本文介绍了一种用氧化铝陶瓷基片制作的绝缘片,应用在粉末工艺合成人造金刚石中.通过在六面顶压机上进行人造金刚石高温、超高压合成的对比实验,结果表明:绝缘片能有效地改善合成腔体内部的温度分布差异,为金刚石的成核生长提供良好的环境.具有绝缘片的粉末合成块在粉末合成工艺中较没有绝缘片粉末合成块合成工艺更稳定.同时由于合成腔体的温场均匀,合成的金刚石颜色、透明度、单产都有很大提高.为进一步提高金刚石的品位进行了实验摸索.
关键词:
绝缘片
,
合成腔体
,
粉末触媒
,
人造金刚石
彭淑静
,
王建中
,
杜慧玲
材料科学与工程学报
doi:10.14136/j.cnki.issn 1673-2812.2016.04.008
在脉冲电磁场(PEMF)作用下,以氯化钴为母液、草酸铵为沉淀剂,采用草酸盐沉淀法制备了草酸钴粉体.利用扫描电子显微镜(SEM)对反应物及产物的形貌进行了表征,研究了反应产物与反应物之间的形貌继承性,并初步探索了草酸钴制备中的形貌继承机制.结果表明,在草酸盐沉淀法制备草酸钴的过程中,沉淀剂(父相)草酸根所承载的遗传信息在产物的显性性状中表现相对较弱,产物更多地继承了其母液(母相)氯化钴的形貌特征.脉冲电磁场作用造成的反应物形貌的改变,可以通过反应将此信息传递给产物,并使母相的形貌遗传作用加倍凸显出来.
关键词:
草酸钴
,
沉淀法
,
形貌继承性
,
脉冲电磁场
李志超
,
陈银莉
,
左茂方
,
米振莉
材料热处理学报
利用EBSD技术对CGO硅钢热轧、中间退火、脱碳退火及二次再结晶退火组织及织构进行分析,研究了CGO硅钢各阶段加工制备过程中高斯{110} <001>晶粒的形状、尺寸及分布特点,分析了高斯取向晶粒在各工序过程中的遗传继承性特点.结果表明,CGO硅钢热轧板的次表层存在Goss取向晶粒,历经一次冷轧及中间退火后Goss取向晶粒基本消失,一次再结晶之后Goss织构仍不是主要织构,主要织构为{111} <110>和{111} <112>,说明Goss取向晶粒在二次再结晶退火前数量及尺寸上并不占优势,二次再结晶过程中Goss取向晶粒异常长大形成锋锐Goss织构.{111} <110>和{111} <112>织构组分的强度在一次冷轧中不断增加,{111} <112>织构组分的强度在二次冷轧后达到最大而{111} <110>织构组分是在初次再结晶后变强.
关键词:
CGO硅钢
,
EBSD
,
织构遗传
,
单个取向分析
孙强
,
李志超
,
米振莉
,
党宁
材料热处理学报
选取工业生产1.3% Si无取向硅钢连铸坯柱状晶区域铸锭,垂直于柱状晶的生长方向(〈100〉方向)进行热轧,利用金相及EBSD技术研究其热轧过程中柱状晶被破碎后的组织及微观织构,同时研究了其在后续冷轧和退火阶段的织构演变规律,为实际生产中的织构控制提供了参考.实验结果表明:经垂直于柱状晶生长方向热轧后,热轧板不同层次的主要织构类型和含量存在差异;热轧板次表层主要为铜型{110} 〈112〉织构和高斯{110} 〈001〉织构,高斯织构含量较高是〈100〉生长方向的柱状晶造成的;表面至心部1/2层主要为γ纤维织构和旋转立方{100} 〈110〉织构,立方{100} 〈001〉织构和高斯织构{110}〈001〉织构也较多;中心层织构主要为较强的旋转立方{100} 〈110〉织构和γ纤维织构;冷轧织构与热轧织构间有继承性,冷轧板织构主要为较强的旋转立方{100} 〈110〉织构γ织构,与热轧板心层织构分布相同,上述两类织构的含量都比热轧板中的高.退火织构中{111} 〈121〉织构占优势;立方{100} 〈001〉织构和{111} 〈110〉织构含量较高.
关键词:
无取向硅钢
,
微观取向
,
EBSD
,
织构继承性
宋蕾
,
沈明钢
,
杨利坡
,
刘军
,
王军生
,
陈雪波
钢铁
doi:10.13228/j.boyuan.issn0449-749x.20150083
基于高次勒让德正交多项式和调控功效函数,提出了降维功效调控模型及两级调控模型.首先,利用连续可导的高次曲线准确描述局部板形信息,同时降低影响系数矩阵的维数和功效函数的计算量,利用传统板形调控手段(倾辊、弯辊、横移)同步消除典型板形缺陷;然后,利用精细分段冷却实施剩余板形偏差的二级调控,改善局部浪形缺陷,提高成批钢卷的生产稳定性和板形质量.实例表明,当阶数为带钢覆盖检测通道数量的一半以上时,拟合曲线已包含所有的局部板形信息;对于相对较典型的板形问题(50 I左右),一级调控后剩余板形偏差在15 I以内,二级调控后剩余板形偏差在8I以内,综合调控效果比较理想.
关键词:
冷轧宽带钢
,
高次勒让德多项式
,
降维调控功效
,
两级继承调控
,
板形闭环控制