王华林
,
史铁钧
,
李学良
,
宋继法
,
王长友
高分子材料科学与工程
以甲基三乙氧基硅烷(MTES)、氯化铁为原料,采用溶胶-凝胶工艺,制备聚甲基三乙氧基硅烷/三氧化二铁(PMTES/Fe2O3)有机-元机杂化材料.研究溶胶-凝胶体系的电化学性能.探索MTES与Fe2O3杂化机理,并对该材料进行IR、SEM、TG、DTA、XRD测试,结果表明,PMTES/Fe2O3杂化材料耐温性能优良,并具有一定的疏水性能.
关键词:
甲基三乙氧基硅烷
,
氯化铁
,
有机-无机杂化材料
,
制备
,
测试
张义
,
宁建新
,
王洪伟
,
孙晓岗
硅酸盐通报
宋钧官瓷作为中国钧瓷领域中的最高水平,它不仅仅是唐钧瓷釉和早期宋钧瓷釉的扩展和延续,更是一个时代的创造.在给世人留下宝贵财富的同时,也留下一些需待解决的问题.诸如,菟丝纹、蚯蚓走泥纹的产生原因,乳光、分相、窑变的形成机理等等,是本文探讨的主要问题.本文在研究唐钧花釉、宋代天青、天蓝釉的基础上,采用了当地及周边地域原料,并分别采用了现代及传统的制作工艺以及柴烧、煤烧和气烧的烧成方法最终成功烧制出完美的宋钧官瓷艺术效果.实验结果表明,利用当地及周边地域原料和不同的制作工艺,采用不同的烧成方式恢复钧官瓷釉的艺术效果是切实可行的,通过实验证实了钧官瓷釉不同特征的形成原因与工艺过程的相应关系,为钧官瓷的进一步研究提供了可借鉴的科学依据,并从不同角度论述了钧官瓷菟丝纹、蚯蚓走泥纹的形成原理及其乳光、分相、窑变的形成原因及相关问题.
关键词:
钧官瓷
,
菟丝纹
,
蚯蚓走泥纹
,
分相
,
乳光
孙瑜珉
,
王艳滨
,
翟文杰
材料开发与应用
doi:10.3969/j.issn.1003-1545.2003.02.008
用电化学测试手段分别测定了20钢、2Cr13、QAl 9-2、QAl 10-3-1.5和QAl 10-4-4等5种材料在NaCl溶液中的腐蚀电位及与QAl 9-2偶接时的电偶腐蚀电流的变化,并对测试后各试样的腐蚀状态进行了观察.结果表明,铝青铜材料的抗腐蚀性比钢好.其中QAl 10-4-4的腐蚀电位最为偏正,但它与QAl 9-2配副会对QAl 9-2产生较大的阳极电偶腐蚀;QAl 9-2和QAl 10-3-1.5材料与QAl 9-2配副均有较好的耐电偶腐蚀性能.研究结果对继动器壳体材料的选择具有指导意义.
关键词:
电化学
,
腐蚀电位
,
腐蚀电流
王铎融
,
王力
,
陈扬
黄金
doi:10.11792/hj20150506
宋家沟金矿床位于胶莱盆地东北缘,牟平—即墨断裂带内,控矿构造为陡倾断裂和裂隙密集带,赋矿围岩为莱阳群的灰白色砾岩,共出露4个矿体. 对区内主成矿阶段石英中的流体包裹体进行了岩相学、显微测温及单个包裹体成分激光拉曼光谱分析. 研究表明,矿石中的包裹体主要有纯CO2包裹体、气液二相包裹体和含CO2三相包裹体3种类型;矿石中的包裹体普遍富含CO2 ,成矿流体为CO2 -NaCl -H2 O 体系,成矿流体具有低盐度(5.0 %~14.42 %)、低密度(0.64 ~0.96 g/cm3 )的特点. 主成矿温度集中在220~240 ℃,成矿压力范围为40~62 MPa,对应的成矿深度为5 .01~6 .34 km. 结合前人研究的流体包裹体氢氧同位素分析认为,宋家沟金矿床的成矿流体以幔源流体为主,后期有少量的岩浆流体参与. 确定其矿床成因类型为受陡倾断裂和裂隙密集带联合控制的中温热液脉型金矿床.
关键词:
流体包裹体
,
矿床成因
,
宋家沟金矿床
,
山东牟平
,
胶莱盆地
张竹如
,
唐波
,
聂爱国
,
李明琴
黄金
doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2001.07.001
宋家沟金矿床位于山东省牟平,为胶莱盆地中发现的颇具工业规模的金矿床.含矿地层为下白垩统莱阳群下段砾岩,矿床由多个矿体组成,矿石为含金砾岩.含矿地层富金(Au=100.2×10-9).围岩矿石稀土总量232.87×10-6~352.2×10-6,LREE/HREE=1.88~12.71,稀土元素分布模式相似、同步.含矿地层是矿源层,燕山晚期(110~125Ma)构造岩浆活动导致该矿床形成定位,该矿床为沉积改造层控矿床.南地口、大崮头是此类矿床的新的找矿地段.
关键词:
宋家沟金矿
,
胶莱盆地
,
含金砾岩
,
稀土配分
,
改造成矿
,
层控矿床
姜燕妮
,
陈启生
工程热物理学报
氮化镓晶体是继单晶硅之后的一种新型的半导体材料.本文利用有限体积法模拟了氨热法生长氮化镓晶体中流场的瞬态特性,研究了隔板开孔10%时流场结构、温度场、浓度场.发现对于隔板开孔率(10%)的情形,中心开孔及边缘间隙的平均速度表现为振荡的特性,中心开孔速度大多是正的,边缘开孔大多是负的.大的温度梯度发生在在高压釜壁面与液体的交界处与隔板周围.物质由多孔介质区向生长区输运.
关键词:
氨热法
,
氮化镓
,
开孔率
,
流场
,
平均流速
刘齐成
,
刘培英
,
陶冶
,
刘利
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2000.12.007
用等离子体增强化学气相沉积(PCVD)法和化学气相沉积(CVD)法分别制备TiN系薄膜.采用扫描电镜、X射线衍射仪和连续加载压入仪研究分析薄膜的微观结构、相结构和薄膜的力学性能,并采用电极电位法测定了薄膜的耐腐蚀性能.研究表明:PCVD法TiN系薄膜的微观组织形态明显优于同类的CVD法薄膜,PCVD法薄膜晶粒尺寸细小、均匀,形态圆整,组织致密;CVD法薄膜晶粒形态为多边形,尺寸较粗大、不均匀,组织致密性差;PCVD法TiN系薄膜的韧性和结合力等力学性能可达到或优于同类CVD法薄膜;虽然PCVD法薄膜的氯含量(约为2%)远高于CVD法薄膜(约为0.5%),但PCVD法薄膜的耐蚀性能却明显优于CVD法薄膜.还研究分析了PCVD法和CVD法成膜模式对薄膜微观结构和性能的影响机理.
关键词:
CVD法
,
PCVD法
,
薄膜
王向阳
,
何莉
,
田鸿昌
,
东艳萍
,
蔡以超
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.05.037
阐述了CVT(化学气相输运)法生长GaP的基本反应和输运速度,采用CVT法生长出了GaP多晶.设计了石英管的结构以制造出一个局部的低温区域,防止了GaP在管壁的生长.生长出的GaP多晶相对密度为98%,红外透过率达到30%,努普硬度为611kg/mm2.散射颗粒测试表明主要的光散射颗粒为多晶中存在的孔隙.
关键词:
CVT(化学气相输运)
,
GaP多晶
,
红外窗口材料