冯媛媛
,
杨晓红
,
左佳奇
,
王长远
,
王维
,
马勇
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.04.019
采用水热法制备了不同掺杂浓度的 WO 3∶Ti 纳米晶粒,并在350℃下退火1 h.采用 SEM、XRD 表征了材料的形貌与结构,并测试了用退火前后合成材料制成的薄膜气敏传感器件在200℃下对NO 2的气敏性能.结果表明,Ti 掺杂可以有效抑制WO 3晶粒的生长,减小晶粒尺寸；退火处理使材料的晶相发生了改变,晶粒尺寸进一步减小,晶粒分散性变好.薄膜传感器件的测试结果显示,适量 Ti 掺杂和退火处理均可提高器件对 NO 2的灵敏度,退火后 Ti 掺杂2％样品制成的器件的灵敏度最大,其值达到了15．38,响应恢复时间分别为2．2和1．5 min,且具有良好的可重复性和稳定性.
关键词:
Ti 掺杂
,
WO 3
,
退火
,
气敏
,
水热法
孙雪花
,
马红燕
,
齐广才
,
田锐
,
杨阳
,
樊江鹏
稀土
doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2011.02.013
在HAc-NaAc介质中,铕(Ⅲ)与盐酸左氧氟沙星形成络合物使盐酸左氧氟沙星的荧光显著猝灭,由此建立了测定铕(Ⅲ)的新方法.该体系的最大激发波长λex=365nm,最大发射波长λem=500nm.实验结果表明,铕(Ⅲ)的浓度在2.00×10-7 mol·L-1～2.80×10-5 mol·L-1范围内与△F=F-F0形成良好的线性关系,最低检出限为8.80×10-8 mol·L-1,回收率在96.0%～101.5%之间,本法灵敏度高、选择性好,结果满意.
关键词:
荧光光度法
,
盐酸左氧氟沙星
,
铕
程长征
,
程香
,
牛忠荣
,
周焕林
复合材料学报
利用一种数值方法分析压电材料切口尖端包括奇异应力场和奇异电位移场在内的双重奇异性.基于切口尖端的位移场按幂级数渐近展开假设,从应力平衡方程和Maxwell方程出发,推导出关于压电材料切口奇性指数的特征方程组,同时将切口的力学和电学边界条件转化为奇性指数和特征函数的组合表达,从而将压电材料双重奇性分析问题转化为在相应边界条件下微分方程组的特征值求解问题,采用插值矩阵法,可以一次性地计算出压电材料切口的各阶奇性指数.裂纹作为切口的特例,其尖端的电弹性奇性指数亦可以根据本法求出.
关键词:
压电材料
,
切口
,
裂纹
,
奇性指数
,
渐近展开
周厚兵
,
周小红
,
张玉虎
,
郑勇
,
李广顺
,
M.Oshima
,
Y.Toh
,
M.Koizumi
,
A.Osa
,
Y.Hatsukawa
原子核物理评论
应用E-GOS(E-Gamma Over Spin)曲线方法研究了A≈110质量区奇A核结构随角动量增加的演化,发现随着角动量的增加原子核的激发特性从振动逐渐演化为转动.
关键词:
E-GOS曲线
,
相变
,
形状演化
陈芬芬
,
高闽光
,
徐亮
连铸
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2015.01.001
当前市场上的药品种类繁多,因此对不同厂商的同类药品进行识别分析对规范医药市场及保障人民用药安全有重要现实意义.实验采用基于傅里叶变换近红外漫反射光谱的光谱判别分析方法,结合矢量归一化方法和导数方法对光谱进行预处理,对不同品牌的盐酸左西替利嗪片建立定性识别模型,并用验证集样品对模型进行验证.验证结果表明,通过光谱库判别分析法建立识别模型不能正确识别同一厂家的两种样品,但对不同厂家盐酸左西替利嗪片的识别正确率为100％,该方法可以用于不同企业同类药品的快速定性识别和质量控制.
关键词:
傅里叶光学
,
近红外光谱
,
盐酸左西替利嗪片
,
判别分析
,
快速鉴别
张玉平
兵器材料科学与工程
根据某车型左/右车门内板的工艺特点，制定不同的工艺补充面模型，采用冲压模拟分析软件AUTOFORM对其拉延成形进行数值模拟，通过对零件可成形性分析图和零件变薄量图的分析、比较及工艺补充部分的调整，得到优化的拉延件型面，最终生产出合格产品。实践证明，该模拟分析结果可靠、准确，为同类型产品零件的生产起到指导作用。
关键词:
左/右车门内板
,
工艺补充面
,
数值模拟
,
可成形性分析图
,
零件变薄量图
李国强
,
谷智
,
介万奇
功能材料
采用传统垂直布里奇曼法和Cd补偿垂直布里奇曼法,分别生长出两根尺寸为 30mm×130mm的Ccd0.9Zn0.1Te晶锭.测试了晶体的结晶质量、成分分布、位错腐蚀坑密度(EPD)、红外透过率及电阻率.结果表明,Cd补偿垂直布里奇曼法生长的晶体结晶质量好、成分分布均匀、EPD低、红外透过性能好且电阻率高.这说明Cd补偿垂直布里奇曼法是一种生长高阻值CZT晶体的优良方法.
关键词:
Cd0.9Zn0.1Te
,
Cd补偿垂直布里奇曼法
,
EPD
,
红外透过率
,
电阻率
