高秀华
,
庞波
,
邱春林
,
齐克敏
,
田彦文
,
袁立忠
,
吴水龙
机械工程材料
doi:10.3969/j.issn.1000-3738.2006.12.021
采用Gleeble-3800型热模拟试验机和单道次压缩试验对ML40Cr冷镦钢金属塑性变形抗力进行了研究.结果表明:在一定的变形程度下,塑性变形的ML40Cr冷镦钢仍存在强化,变形抗力随变形程度的增加而增加,在低应变速率下,温度大于1 000 ℃时发生动态再结晶;变形抗力随着变形速率的增加而增大;多数情况下,变形温度增高,变形抗力降低,只有在两相区低应变速率下出现相反的情况.同时建立了ML40Cr冷镦钢变形抗力数学模型,为冷镦钢低温轧制计算轧制力提供了理论依据.
关键词:
冷镦钢
,
热模拟
,
变形抗力
于帆
,
薛坤
,
孙继荣
,
隋浩华
工程热物理学报
基于低频方波脉冲加热一冷却非稳态连续测量原理,应用PPMS多物性测量系统在温区150~360 K和外磁场O~9 T下对典型的庞磁电阻材料La2/3Cal/3MnO3的热导率进行了实验研究.结果表明,在外磁场作用下庞磁材料在居里温度附近会发生明显的热导率增大(或热阻率减小)的磁致热阻现象,但磁热阻效应的程度在数值上要明显低于庞磁电阻效应.
关键词:
热导率
,
磁致热阻效应
,
庞磁电阻材料
高国棉
,
陈长乐
,
王建元
,
韩立安
,
王永仓
,
宋宙模
稀有金属材料与工程
用脉冲激光沉积(PLD)法在LaAlO3单晶衬底上制备了VIA族非金属元素Te掺杂的La0.82Te0.18MnO3(LTMO)薄膜.X射线衍射分析表明,薄膜具有钙钛矿赝立方结构,且沿(012)方向择优生长;电阻-温度关系显示,该材料存在金属-绝缘体转变特性和庞磁电阻(CMR)效应;在0.7 T的磁场作用下,薄膜的磁电阻最大值为30.6%,对应的温度在263 K.而室温(303 K)磁电阻值为4.8%;拟合分析表明,薄膜在低温区是单磁子散射,在高温区满足小极化子输运模型.在波长为532 nm的绿激光作用下,在253 K,光致电阻变化率达到最大值33.6%;分析认为这可能是由于光激发会改变材料中的磁有序,减弱双交换作用,进而改变电子的输运性质.
关键词:
LTMO薄膜
,
电子掺杂
,
CMR效应
,
光诱导效应
李冠欣
,
李合琴
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2006.05.012
研究了钙钛矿型锰氧化物La1-xNaxMnO3(x=0.1, 0.2)多晶块材的电磁输运性能和庞磁电阻(CMR)效应以及低温下的团簇玻璃态行为. 研究表明该材料具有菱形(R3C)结构, 材料的居里温度TC均在室温或室温以上, 样品的电阻率随温度变化的ρ-T曲线出现3个峰, 定义中间最高电阻峰温度为TP1, 低温电阻峰温度为TP2, 高温电阻峰温度为TP3. 综合磁化强度测量的结果, 认为TP1与居里温度TC相对应, 来源于顺磁绝缘体向铁磁金属的转变, 同时在此附近出现较大的低场室温磁电阻(LFMR)效应, TP2峰出现的原因是在此温度附近出现了相分离. 另外, 磁化强度测量观察到La0.8Na0.2MnO3低温下的团簇玻璃态行为, 其出现原因认为是随着Na+离子掺杂量的升高, 样品中的Mn4+离子数量增加并且Mn3+和Mn4+离子不均匀分布.
关键词:
庞磁电阻效应
,
相分离
,
团簇玻璃态
于名讯
,
丁文皓
,
李云南
,
何华辉
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2007.07.003
以电磁理论为基础,对两层结构的毫米波/厘米波兼容吸收涂层的设计方法进行了分析,并根据理论分析的结果进行了系列吸波涂层的实验.理论分析和实验结果表明,先分别以电损耗和磁损耗为主,采用单层结构分别对毫米波和厘米波实现较好的吸收,然后以厘米波吸收层作为内层,以毫米波吸收层作为外层,并进一步改善内外层之间的阻抗匹配,利用两层结构可以对毫米波和厘米波实现较好的兼容吸收.
关键词:
兼容吸波涂层
,
毫米波
,
厘米波
王海泉
,
陈秀琴
材料导报
综述了目前国内外吸波材料的研究动态,介绍了传统吸波材料以及新型吸波材料,如铁氧体吸波材料、碳纤维结构吸波材料、纳米吸波材料、手性吸波材料,多晶铁纤维吸波材料,导电高聚物吸波材料,雷达红外兼容吸波材料的研究状况.
关键词:
吸波材料
,
隐身技术
,
吸收剂
,
纳米材料
罗发
,
周万城
,
焦桓
,
赵东林
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2003.03.011
研究了由SiC(N)纳米吸收剂制备的SiC(N)/LAS吸波材料的介电性能,对影响介电性能的吸收剂的含量、吸波材料烧结温度和碳界面层等因素进行了较为全面的研究.结果表明,在1080℃以下烧结温度对陶瓷致密度的影响较大而对陶瓷介电常数的影响较小;在1080℃以上烧结温度对烧结致密度的影响较小,对陶瓷介电常数的影响较大.吸波材料介电常数的实测值与计算值之间存在很大的差异.这种差异是吸波材料制备过程中纳米级的SiC(N)促进了碳界面层形成,导致了在较高温度烧结时吸波材料介电常数对温度的敏感性,使吸波材料介电常数的实测值与计算值之间出现了很大的差异.形成的碳界面层复介电常数的虚部较高,使吸波材料对电磁波的损耗进一步升高,从而使吸波材料的吸波性能得到增强.
关键词:
纳米SiC(N)
,
LAS玻璃陶瓷
,
介电常数
,
界面层
,
吸波材料