张玉妥
,
庞维诚
金属学报
采用相场模型模拟了纯物质过程的等轴枝晶演化, 并针对各向异性模数为４的金属镍进行了二维数值模拟, 计算了正方形区域过冷熔液中的等轴枝昌基相场方程中采用３均匀网格的一般显示有限差分方法求解, 通过数值计算显示了等轴枝晶的形态.
关键词:
相场方法
,
null
,
null
张玉妥
,
李殿中
,
庞维诚
,
李依依
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2002.05.017
采用相场模型,计算了纯镍的过冷熔液在凝固过程中的枝晶生长.在相场方程中,采用均匀网格的一般显示有限差分方法求解,通过数值模拟显示了枝晶的形貌,包括一次臂、二次臂,以及在枝晶生长过程中出现的"缩颈"现象.
关键词:
相场方法
,
枝晶生长
,
数值模拟
于帆
,
薛坤
,
孙继荣
,
隋浩华
工程热物理学报
基于低频方波脉冲加热一冷却非稳态连续测量原理,应用PPMS多物性测量系统在温区150～360 K和外磁场O~9 T下对典型的庞磁电阻材料La2/3Cal/3MnO3的热导率进行了实验研究.结果表明,在外磁场作用下庞磁材料在居里温度附近会发生明显的热导率增大(或热阻率减小)的磁致热阻现象,但磁热阻效应的程度在数值上要明显低于庞磁电阻效应.
关键词:
热导率
,
磁致热阻效应
,
庞磁电阻材料
高国棉
,
陈长乐
,
王建元
,
韩立安
,
王永仓
,
宋宙模
稀有金属材料与工程
用脉冲激光沉积(PLD)法在LaAlO3单晶衬底上制备了VIA族非金属元素Te掺杂的La0.82Te0.18MnO3(LTMO)薄膜.X射线衍射分析表明,薄膜具有钙钛矿赝立方结构,且沿(012)方向择优生长;电阻-温度关系显示,该材料存在金属-绝缘体转变特性和庞磁电阻(CMR)效应;在0.7 T的磁场作用下,薄膜的磁电阻最大值为30.6%,对应的温度在263 K.而室温(303 K)磁电阻值为4.8%;拟合分析表明,薄膜在低温区是单磁子散射,在高温区满足小极化子输运模型.在波长为532 nm的绿激光作用下,在253 K,光致电阻变化率达到最大值33.6%;分析认为这可能是由于光激发会改变材料中的磁有序,减弱双交换作用,进而改变电子的输运性质.
关键词:
LTMO薄膜
,
电子掺杂
,
CMR效应
,
光诱导效应
李冠欣
,
李合琴
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2006.05.012
研究了钙钛矿型锰氧化物La1-xNaxMnO3(x=0.1, 0.2)多晶块材的电磁输运性能和庞磁电阻(CMR)效应以及低温下的团簇玻璃态行为. 研究表明该材料具有菱形(R3C)结构, 材料的居里温度TC均在室温或室温以上, 样品的电阻率随温度变化的ρ-T曲线出现3个峰, 定义中间最高电阻峰温度为TP1, 低温电阻峰温度为TP2, 高温电阻峰温度为TP3. 综合磁化强度测量的结果, 认为TP1与居里温度TC相对应, 来源于顺磁绝缘体向铁磁金属的转变, 同时在此附近出现较大的低场室温磁电阻(LFMR)效应, TP2峰出现的原因是在此温度附近出现了相分离. 另外, 磁化强度测量观察到La0.8Na0.2MnO3低温下的团簇玻璃态行为, 其出现原因认为是随着Na+离子掺杂量的升高, 样品中的Mn4+离子数量增加并且Mn3+和Mn4+离子不均匀分布.
关键词:
庞磁电阻效应
,
相分离
,
团簇玻璃态
李合琴
,
何晓雄
,
方前锋
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.02.011
用磁控溅射法在(001)取向的LaAlO3单晶基片上制备了La0.67Sr0.33MnO3/La0.75MnO3/La0.67Sr0.33MnO3外延三层膜.结果表明, 与La0.67Sr0.33MnO3单层膜相比较, 外延三层膜的X射线衍射图上出现3级衍射峰, 每级衍射峰由3个峰组成:其中强度最高的衍射峰代表衬底的衍射;次强的代表上下两层La0.67Sr0.33MnO3膜;最弱的代表中间La0.75MnO3层.三层膜的二维原子力表面形貌为均匀的小颗粒状, 表明其三维形貌为外延岛状柱状晶.这种三层膜的巨磁电阻效应与中间层La0.75MnO3的厚度有关, 当中间层厚度为70 nm时, 其最大磁电阻值可达到32%, 这个结果优于La0.67Sr0.33MnO3 单层膜的巨磁电阻效应.其可能的原因是电子在界面上的散射、层间的交互作用, 以及点阵错配导致的内应力的综合结果.
关键词:
材料工程
,
三层膜
,
X射线衍射
,
原子力显微镜
,
庞磁电阻
,
磁控溅射
胡卫兵
,
史伯安
,
但悠梦
,
谭志斗
,
吴少尉
,
朱艳秋
,
徐文光
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.03.011
在 Ar气氛中,SiC粉末分别在 Fe、 Co、 Fe:Co(1:1)的催化下,经一步反应制备了一维、二维和三维 Si基纳米线. SEM、 HRTEM、 EDX分析表明一维线状和二维网状 Si基纳米线由 C、 Si、 O组成,存在两类纳米线,一类是 SiOx包裹的 Si纳米线;另一类是 SiOx包裹的 SiC纳米线.三维Si基纳米线组成象花一样的结构,仅由 SiOx组成. SiOx和 Si是无定形结构,SiC是β-SiC单晶.
关键词:
一维
,
二维
,
三维
,
Si基纳米线
,
制备
