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氟羟基磷灰石在明胶凝胶中的制备与表征

岳雪涛 , 孙康宁 , 冯立明 , 田清波 ,

人工晶体学报

以明胶形成的凝胶为媒介物,通过为含有PO43-、F-的明胶凝胶提供钙源,调节氟羟基磷灰石生成的环境pH值,生成条带状氟羟基磷灰石晶体,并利用XRD、EDX、SEM及FT-IR对生成的粉体进行分析测试.研究表明,在pH值为7.0~5.0环境下生成的氟羟基磷灰石具有相同的微观形貌,均为条带状晶体.能谱分析结果表明生成的为Ca/P比小于其化学计量比的缺钙羟基磷灰石,其XRD图谱与FAP一致性较好,在pH值较低时有杂质导致的弱峰产生.

关键词: 氟羟基磷灰石 , 明胶凝胶 , 条带状晶体

铋过量对CaBi4Ti4O15铁电薄膜性能的影响

范素华 , 徐静 , 王培吉 , 胡广达 ,

功能材料

利用溶胶凝胶法制备CaBi4+xTi4O15(CBT-x)铁电薄膜,探索了不同铋含量对CBT-x铁电薄膜样品的相结构、微观形貌和电学性能的影响,研究表明,当x为0.3时,样品的剩余极化强度达到最大值,2Pr= 8.7μC/cm2,矫顽场强2Ec=7.6kV/mm,相对介电常数的大小在(160±6)%范围内,损耗因子在0.05~0.08之间,适量的铋含量可以较好地抑制过多的氧空位、焦虑石相和其它杂相的产生.

关键词: 铁电薄膜 , 铁电性能 , 介电性能

退火工艺对CaBi4.3Ti4O15铁电薄膜性能影响

范素华 , 徐静 , 王培吉 ,

材料热处理学报

利用溶胶凝胶法制备了CaBi4.3Ti4O15 铁电薄膜材料,研究表明,退火工艺对CaBi4.3Ti4O15,铁电薄膜的结构、微观形貌、晶粒取向以及铁电性能影响较大,随着退火温度的提高,晶粒的取向为a轴择优取向,有利于样品的铁电性;气氛对薄膜的电学性能影响也较大,氧气气氛可以很好的抑制氧空位的产生,提高样品的铁电性.在氧气气氛下退火所得到样品的剩余极化强度(2P)和矫顽场(2Ec)分别为21.4μC/cm2和27.7kV/mm,介电常数在250±4%范围内,介电损耗在0.005~0.01之间,测试频率为1~1MHz,显示出较好的频率稳定性.

关键词: CaBi4.3 Ti4O15 , 退火工艺 , 铁电薄膜 , 铁电性能

CaxSr1-xBi4Ti4O15铁电陶瓷的制备及性能研究

范素华 , , 胡广达 , 徐静 , 岳雪涛 , 张伟

稀有金属材料与工程

用溶胶凝胶法制备了CaxSr1-xBi4Ti4O15(CxS1-xBT)铁电陶瓷前躯体粉体,利用差热分析、X射线衍射分析,确定了该体系的烧结温度和样品的相结构,测试了电学性能.较系统地研究了不同组分对居里温度、铁电性能的影响及相关机理,结果表明,当x=0.6时,CxS1-xBT铁电陶瓷的铁电性良好,剩余极化强度Pr=8.2 μC/cm2,矫顽场强Ec=57 kV/cm,居里温度为670 ℃,样品性能的改善与离子极化率、晶格畸变等因素有密切关系.

关键词: 溶胶凝胶法 , CxS1-xBT , 居里温度 , 铁电性能

烧结温度对SBTi铁电陶瓷电性能的影响

范素华 , , 胡广达 , 岳雪涛 , 徐静 , 张伟

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.05.026

用溶胶-凝胶法制备了钛酸锶铋层状钙钛矿结构(SBTi)铁电陶瓷,研究了不同烧结温度对其显微结构和电性能的影响,分析了相关机理,发现1100℃烧结样品的晶粒发育比较完全,居里温度为520℃;压电常数d33和剩余极化强度2Pr较大,分别为9×10-12C/N和2.1μC/cm2,矫顽场强2Ec为49.4kV/cm.

关键词: 溶胶凝胶法 , 居里温度 , 压电常数 , 剩余极化

烧结温度对Sr_2Bi_4Ti_5O_(18)铁电陶瓷性能的影响

范素华 , , 车全德 , 于冉 , 田清波

材料热处理学报

用固相合成方法制备了Sr_2Bi_4Ti_5O_(18)铁电陶瓷,研究了烧结温度对Sr_2Bi_4Ti_5O_(18)铁电陶瓷相结构、显微结构、铁电性能和介电性能的影响,分析了相关机理.结果表明,在1150C℃进行烧结,样品晶粒发育完全,晶粒α轴择优取向,铁电性能优良,剩余极化强度2P,达到15.3μC/cm2、矫顽场强2E_c为103kV/cm;在100kHz~1MHz频率范围内,介电常数为176~168,介电损耗为0.027~0.025,具有较好的频率稳定性.

关键词: Sr_2Bi_4Ti_5O_(18) , 铁电陶瓷 , 烧结温度 , 电学性能

烧结温度对Ca0.6Sr0.4Bi4Ti4O15铁电陶瓷性能影响

范素华 , 陈文 , , 徐静

稀有金属材料与工程

利用溶胶凝胶法制备了钙锶铋钛(Ca0.6Sr0.4Bi4Ti4O15简称CSBT-0.6)铁电陶瓷,研究了烧结温度对CSBT-0.6铁电陶瓷相结构、显微结构以及铁电性能的影响,分析了相关机理.发现在1150 ℃进行烧结,样品晶粒发育较完全,晶粒a轴取向较大,铁电性能优良,剩余极化强度Pr=8.2 μC/cm2、矫顽场强Ec=57 kV/cm、介电损耗tanδ=18×10-4.

关键词: 铁电陶瓷 , 溶胶凝胶法 , 剩余极化强度

铈掺杂对钙铋钛铁电陶瓷取向及性能的影响

范素华 , 桂舟 , , 田清波

稀有金属材料与工程

用固相烧结工艺,制备了不同Ce掺量CaBi_(4-x)CexTi_4O_(15)的陶瓷样品.用X射线衍射对其显微结构进行了分析,并测试了样品的介电、铁电性能,研究了烧结温度对样品晶粒取向和铁电性能的影响.结果发现Ce掺杂未改变CaBi_(4-x)CexTi_4O_(15)的晶体结构,1150 ℃烧结所得样品中a轴取向晶粒较多,有利于样品的铁电性能;x=0.2为最佳掺量,样品剩余极化强度最大,2P_r=18.4 mC/cm~2 ,对应的矫顽场强度2E_c=99 kV/cm,相对介电常数ε_r=165,介电损耗tanδ=2×10~(-3).

关键词: 钙铋钛铁电陶瓷 , 铁电性能 , 取向

镧、铈掺杂对钛酸钡基介电陶瓷性能的影响

范素华 , 胡广达 , , 岳雪涛 , 任艳霞 , 徐静

硅酸盐通报 doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2006.04.018

为了改善钛酸钡陶瓷的介电性能,采用溶胶凝胶法,制备了镧、铈掺杂的钛酸钡基介电陶瓷,研究了镧、铈2种稀土氧化物对其介电性能、耐压程度等性能的影响以及与显微结构的关系.实验表明:2种稀土元素对钛酸钡陶瓷的晶粒生长有较大的抑制作用,镧和铈的掺杂量在1.0%(物质的量分数)左右对钛酸钡陶瓷的介电性能有很好的改善作用.但镧离子和铈离子在钛酸钡中的离子取代情况有所不同,因而,改善性能的作用不同.镧掺杂钛酸钡陶瓷性能好于铈掺杂的钛酸钡陶瓷,掺杂物质的量分数为1.0%的镧掺杂钛酸钡陶瓷的相对介电常数大于4000,从室温到125℃温度范围内,介电常数的温度系数小于10%,击穿场强大于7.5kV/mm.

关键词: 介电陶瓷 , 钛酸钡 , La3+掺杂 , Ce3+掺杂 , 溶胶-凝胶法

Sm掺杂对Ca_0.4Sr_0.6Bi_4Ti_4O_(15)铁电薄膜性能的影响

车全德 , 范素华 , , 马建平 , 于冉 , 田清波

稀有金属材料与工程

利用溶胶凝胶工艺在Pt/TiO_2 /SiO_2 /Si衬底上制备了Ca_0.4Sr_0.6Sm_xBi_4-xTi_4O_(15)铁电薄膜.研究了不同钐掺量对薄膜的显微结构、晶粒取向及铁电性能的影响.结果表明:钐掺杂对钙锶铋钛铁电薄膜既有抑制氧空位所导致的畴钉扎作用,也有抑制晶粒生长发育的作用.当钐掺量x=0.05时薄膜样品晶粒发育较良好,沿a轴择优取向,I_((200))/I_((119))=0.869;样品铁电性能优良,剩余极化强度P_r=10.2 μC/cm~2,矫顽场强度E_c=120 kV/cm.

关键词: 铁电薄膜 , 钐掺杂 , 取向

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