曹坚
,
吕振兴
,
单雪娇
,
朱红妹
,
张义邴
低温物理学报
以廉价的B4C粉和Mg粉为原料,用真空固相反应法成功制备了复相MgB2-B4C超导材料,通过X-射线和扫描电子显微镜分析了样品的成相和织构,除MgB2、B4C和MgB2C2外样品中未明显检测到其它杂相,其中MgB2相含量高达87.7%.电阻-温度特性测量表明,所制备的样品零电阻温度Tc(0)=31.5 K,转变宽度(Tc=1.5K.零场10K下临界电流密度Jc＞0.5×106A/cm2,在10K-5T下,Jc也可达到104A/cm2.实验表明较高含量的B4C不会严重削弱MgB2的超导电性,临界温度和载流能力仍然很高预示复相MgB2-B4C材料可作为一种廉价的实用超导材料.
关键词:
B4C
,
MgB2
,
超导体
,
固相反应
柯一青
,
周迪帆
,
刘珏
,
曾敏
,
朱红妹
,
张义邴
低温物理学报
利用两步原位电子束蒸发技术,在Si(111)衬底上制备了MgB2-B-MgB2超导SNS约瑟夫森夹心结.夹心硼(B)层厚度从10nm到80nm范围内MgB2-B-MgB2/Si(111)薄膜表现出明显的SNS约瑟夫森结特性,而在5nm和100nm处薄膜分别是整体超导和正常金属特性.在同一温度下,随着硼层厚度的增加,临界结电流减小,对同一厚度下,临界结电流随着温度的增加而减小.同时,实验指出,夹心硼SNS超导MgB2约瑟夫森结的电流-电压(I-V)曲线具有回滞现象,符合SM模型.
关键词:
约瑟夫森结
,
MgB2
,
超导薄膜
,
电子束蒸发
,
Si衬底
吕振兴
,
曹坚
,
单雪娇
,
朱红妹
,
张义邴
低温物理学报
以B4C粉末与Mg粉为原料,采用真空同相反应法成功制备了复相MgB2超导块材,研究了不同制备工艺下MgB2的成相,测量分析了材料的X射线衍射谱、扫描电镜图像、低温电输运特性等.结果显示,合成的复相超导材料含MgB2超导相、B4C绝缘相和少量MgB2C2杂相,MgB2超导相含量与B4C粒径、合成温度、反应时间等有关,并在30%～85%范围内分布.以粒径牌号W3.5(＜5(m)的B4C与200目粒径Mg粉为原料、烧结温度800℃、保温时间1小时下制备的样品,MAUD(Material Analysis Using Diffraction)软件测得样品中MgB2的含量高达83.2%,其临界转变温度Tc0为31.5 K,起始转变温度Tc+on达34.0 K.零场10K下临界电流密度Jc高于0.5×106A/cm2.本文给出的原位合成不同超导相含量的MgB2复相超导材料对研究MgB2晶粒间弱连接特性具有重要意义,合成的超导材料晶粒尺度大,临界电流密度高,合成成本低廉,可应用于液氦温区和制冷机提供的20K温区的超导强电领域.
关键词:
MgB2
,
B4C
,
复相超导体
,
掺杂
张义邴
,
肖胜
,
徐克西
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2003.01.007
本文从二维Josephson弱连接网络模型出发,讨论了单个磁通涡旋的势能分布,并利用数值分析,得出势能分布表达式,其分布呈余弦曲线,在此基础上,进一步研究了外磁场下的磁通涡旋势能分布,从分布图可以看出,在磁场作用下,势能将增加,并随着最小网格单元内的磁通量子数f的不同,能量变化也不一样,但也呈现周期性.
关键词:
Josephson阵列体系
,
磁通涡旋
,
势能分布
孙杏蕾
,
张义邴
,
周世平
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2007.02.004
本文研究了MgB2颗粒超导体电流-电压(Ⅰ～Ⅴ)特性曲线上的回滞现象并用电阻分路结(RSJ)模型进行了初步解释.实验结果表明,这种材料的Ⅰ～Ⅴ特性及其回滞现象与超导欠阻尼结相似.在10 K、扫描最大电流30 mA、电流步径0.1mA的条件下所获得的Ⅰ～Ⅴ特性曲线表明:材料的回滞参数βc≈2.34,能隙为2.29 meV,这一数值与MgB2超导体π能带上的能隙值～2 meV吻合.随着测量温度的升高,Ⅰ～Ⅴ曲线回滞的形状及临界电流Ⅰco的位置会发生变化,Ⅰco在逐渐减小.当温度高于12 K时实验检测到Ⅰ～Ⅴ曲线上存在小突起,这一奇特现象有待于进一步的研究.
关键词:
MgB2
,
颗粒超导体
,
Ⅰ～Ⅴ特性曲线
,
回滞
