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在推导一个等效沟道厚度模型的基础上,对SiC隐埋沟道MOSFET亚阈特性进行了研究.首先利用泊松方程的解对等效沟道厚度的计算式进行了推导,计算结果表明,在N+D/N-A≤43的情况下,等效沟道厚度与栅压和沟道深度无关,亚阈区峰值电势随栅压线性变化,推出了一个简化的亚阈电流表达式,并在计算中计入了界面态的影响.该表达式可用来对沟道载流子浓度进行提取.

关键词: 等效沟道厚度 , SiC , 隐埋沟道 , MOSFET , 亚阈特性

Mn离子注入Mg掺杂Ga N的微结构和光学特性研究?

徐大庆 , 张义门 , 李培咸 , 娄永乐 , 刘树林 , 童军

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.14.003

通过Mn离子注入 Mg 掺杂 GaN 外延层制备了铁磁性 GaN∶Mn 薄膜,利用拉曼散射和光致发光谱研究了退火温度对薄膜微结构和光学特性的影响。拉曼谱测试显示由离子注入相关缺陷引起了新的声子模,分析认为Mn离子相关的局域振动(LVM)紧邻 Ehigh2峰。光致发光谱观察到位于1．69,2．54和2．96 eV的3个新的发光峰,分析认为2．96 eV 的发光峰来自MgGa-VN 复合体深施主能级和 Mg 的浅受主能级之间的辐射复合跃迁,2．54 eV的发光峰来自浅施主能级和深受主能级之间的辐射复合跃迁,对于位于1．69 eV的新发光峰不排除来自MgGa-VN 复合体深施主能级和Mn相关深受主能级之间辐射复合跃迁的贡献。

关键词: GaN , 离子注入 , 拉曼散射 , 光致发光

4H-SiC晶体中Vsi本征缺陷研究

程萍 , 张玉明 , 张义门

人工晶体学报

采用平面波展开和第一原理赝势法对4H-SiC理想晶体及与Vsi有关的电中性微观本征缺陷(Vsi、Vc-Vsi 、Vc-C、Vsi-Si)的超晶胞进行计算.结果发现:0 K且忽略原子驰豫时,电中性本征缺陷VC-C和Vsi的形成能相差为4.472eV,在此基础上分析了亚稳定型本征缺陷Vsi向稳定型本征缺陷Vc-C转化的理论依据及转化方式,首先发生转移的是h晶格位置上的Si原子,与非故意掺杂4H-SiC外延材料在氙光激励作用下的ESR结果吻合较好.

关键词: 本征缺陷 , 第一性原理 , 形成能 , 4H-SiC

高温Ti/4H-SiC肖特基势垒二极管的特性

张义门 , 常远程 , 张玉明

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.04.012

在研究高温下串联电阻Ron对肖特基势垒二极管正向特性的影响,以及各种反向电流密度分量对其反向特性的影响基础上,测量并理论计算了300-528K范围内Ti/4H-SiC肖特基势垒二极管的伏安特性.分别得到了理想因子、肖特基势垒高度和串联电阻在395K和528K温度下的数值.理论和实验的比较说明,高温下,热电子发射是正向电流的主要输运机理,反向电流除了以隧道效应为主外,热电子发射电流和耗尽层中复合中心产生电流都随温度的升高而大大增加,必须加以考虑.

关键词: 碳化硅 , 肖特基势垒二极管 , 高温

用基本两位量子逻辑门实现n位量子逻辑门的研究

吕洪君 , 郭俊旺 , 彭斐 , 吴天昊 , 解光军

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2010.01.005

量子电路是实现量子态幺正演化的手段,一位和两位门是构成量子电路的基础.Barenco用基本的两位量子逻辑门实现n位量子逻辑门功能,张登玉在Barenco的工作基础上对用基本的两位量子逻辑门实现n位量子逻辑门功能进行了改进.通过对Barenco方案和张登玉方案的分析和研究,提出了一个用基本的两位量子逻辑门实现n位量子逻辑门功能的新方案,该方案结构更简单,且所用的两位门更易于实现,同时指出和改正了张文的不太准确的结论.

关键词: 量子信息 , 量子逻辑电路 , 量子逻辑门 , 幺正变换 , Toffoli门

涨落对几何量子门的影响

周明 , 胡连

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2007.04.014

研究了几何量子门抵抗控制外场随机涨落的能力.在用周期微扰近似代替随机涨落下的研究表明:无论是绝热的Berry几何相还是非绝热的Aharonov-Anandan(A-A)几何相,其抗涨落的能力都和其对应的动力学相位的抗涨落能力相当.而Berry相位(几何相位,动力学相位)的抗涨落能力要远强于A-A位相,可视为由绝热近似导致这种差别.此外验证了利用正交态方案构造的量子门具有很强的抗涨落能力.

关键词: 量子信息 , 几何量子计算 , 涨落 , 正交态方法

非可逆逻辑门的量子可逆实现研究

吕洪君 , 彭斐 , 吴天昊 , 解光军

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2009.06.006

经典的逻辑关系可以使用逻辑函数加以表示,通过类比可以定义量子逻辑函数.然而量子逻辑门实现的都是幺正变换,从而是可逆变换,非可逆变换不能直接实现.通过添加辅助量子位可以增添量子输出信号的区分位,完成对非可逆逻辑门的改造,使得非可逆逻辑门在量子逻辑电路中得到可逆实现.具体研究了或门、与非门以及或非门等常见的逻辑门的改造方法.以丢失部分量子信息为代价来改造量子逻辑电路,并给出了可以实现的优化后的量子逻辑电路.

关键词: 量子信息 , 量子逻辑电路 , 非可逆逻辑门 , 量子逻辑函数 , 冗余量子位

微型磁通门式磁敏感器(MEMSMag)

杨建中 , 尤政 , 刘刚 , 康春磊 , 田扬超

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.02.007

基于MEMS技术的微型磁通门式磁敏感器是磁场测量技术和微机电系统(MEMS)技术交叉研究领域的一个热点,在航空航天领域特别是在纳型/皮型卫星技术中有着重要的应用.本文介绍了该类磁敏感器所运用的磁通门效应的原理.从磁芯、线圈和整体结构布局等方面分析了现有的各种微型磁通门式磁敏感器的结构特征.并依据磁通门原理和各种微型磁通门式磁敏感器的结构特点,设计了一种两轴微型磁通门式磁敏感器.这种新型的磁敏感器具有对称结构、闭合磁路、差动形式、柔性连接等显著特点.

关键词: 微机电系统(MEMS) , 磁通门 , 磁传感器 , 传感器设计