贾秀军
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张崇宏
,
张丽卿
,
杨义涛
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张勇
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韩录会
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徐超亮
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张利民
原子核物理评论
分别进行了2.3 MeV20Ne8+离子和5.0 MeV84Kr19+离子辐照GaN样品的实验,并对实验样品进行了HRXRD的分析。结果发现,随着这两种离子辐照剂量的增大,GaN的HRXRD谱(0002)衍射峰的峰位出现了向小角侧有规律的移动,并在较高剂量时衍射峰发生分裂。同时,对衍射峰的峰位的移动和峰形的变化等现象反映的辐照损伤机制进行了研究,并探讨了电子能损与核能损各自在晶格损伤中的作用。
关键词:
GaN
,
HRXRD
,
辐照损伤
可祥伟
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张蓉
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杨春燕
,
刘骞
,
张利民
人工晶体学报
采用基于密度泛函理论的第一性原理方法对ZnAl2O4的能带结构、态密度、布居分布及光学性质进行了理论计算.结果表明:ZnAl2O4为直接带隙半导体,能带宽度为3.91 eV;价带主要由O2p态和Zn3d态构成,导带主要由Al3s,3p态构成;ZnAl2O4为离子和共价兼有的化合物;并利用计算的能带结构和态密度分析了ZnAl2O4材料的复介电函数,光电导率,折射率以及消光系数等光学性质.且静态介电函数ε1(0)=3.35,静态折射率n0 =1.83.
关键词:
ZnAl2O4
,
电子结构
,
布居分布
,
光学性质
张利民
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张波萍
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李敬锋
,
张海龙
,
王轲
稀有金属材料与工程
由于Na,K在高温下容易挥发,因而采用普通陶瓷烧结工艺难以得到致密的碱金属铌酸盐系陶瓷,只能通过热压烧结制备高密度的铌酸钾钠(NaNbO3-KNbO3)系无铅压电陶瓷.本研究采用放电等离子烧结(SparkPlasma Sintering,SPS)技术,通过配料、研磨混料、焙烧、SPS烧结、退火工艺后,制备出白色略带黄色的Na0.5K0.5NbO3压电陶瓷试样.在烧结过程中,没有观察到明显的碱挥发,试样密度随烧结温度的增加而增大,860℃以上温度烧结时,试样的密度达到4.22g/cm3(为理论密度的92%).采用分步极化方法对试样进行极化,即先在高温下用低电压极化,再在低温下用高电压极化,极化后样品的压电常数d33为37pC/N~49pC/N.
关键词:
Na0.5K0.5NbO3
,
无铅压电陶瓷
,
放电等离子烧结(SPS)
张利民
,
张波萍
,
李敬锋
,
丁晓年
,
张海龙
稀有金属材料与工程
铅基压电陶瓷在制备、使用及废弃处理过程中都会造成环境污染,随着环保意识的增强,无铅压电陶瓷必将逐步替代铅基压电陶瓷.Na0.5K0.5NbO3是一种很有潜力的无铅压电陶瓷,掺杂各种元素提升Na0.5K0.5NbO3陶瓷的压电性能成为当今研究热点之一.本研究以Ag2O、Na2CO3、K2CO3、Nb2O5为原料,经750 ℃焙烧分别合成了Na0.5K0.5NbO3和AgNbO3粉料,再经配料、混料与成型,在1060 ℃埋粉烧结,制备出Ag+掺杂的Na0.5K0.5NbO3无铅压电陶瓷(xAgNbO3-(1-x)Na0.5K0.5NbO3,ANKN),并在较宽成分范围内(Ag+含量,x=0~50 at%)系统研究了Ag+掺杂对ANKN陶瓷性能的影响.XRD结果表明,ANKN陶瓷的主相为钙钛矿型结构,当x>16 at%,开始出现K5.75Nb10.85O30杂相,随着Ag掺杂量的增加,杂相的衍射峰增强.电学性能测试结果表明,当x<20 at%,随Ag掺杂量的增加ANKN陶瓷的压电常数、介电常数等略有升高;当x>20 at%,ANKN陶瓷的各项性能均开始降低;Ag掺加量为x=16 at%时ANKN陶瓷性能最佳,压电常数d33达到110 pC/N,平面机电耦合系数kp为30%,相对介电常数εr为358,居里温度Tc为300 ℃.
关键词:
无铅压电陶瓷
,
Na0.5K0.5NbO3
,
Ag+掺杂
,
压电性能
张利民
电镀与涂饰
doi:10.3969/j.issn.1004-227X.2004.05.013
以往采用目视比浊法和沉淀滴定法测定酸性光亮镀铜溶液中Cl-含量,测定结果不够精确,或滴定终点不明显使测定误差较大.采用电位分析方法在弱硝酸酸性介质中,Cl-与Ag+反应生成AgCl沉淀,以银电极为指示电极,双盐桥型饱和甘汞电极为参比电极,用AgNO3标准溶液进行电位滴定,通过被测试样电位滴定曲线突跃确定终点,可以准确测定酸性光亮镀铜溶液中Cl-含量.该方法新颖,操作简便,测定结果准确.
关键词:
酸性镀铜液
,
电位分析法
,
Cl-含量
张利民
,
耿兴国
,
李金山
,
傅恒志
,
苏克和
,
周廉
稀有金属材料与工程
用电子密度泛函方法(DFT)对YBa2Cu3O7晶胞39个原子模型系统计算了其能隙随温度的变化规律,并在能隙计算基础上,应用电子比热的双极化和热激发的极化子模型计算了电子比热及其系数随温度的变化关系.计算结果表明:超导能隙在超导临界温度点93 K附近有不为零的极小值;能隙曲线中的几个转折温度点依次分别与Tc,T*和T0相对应;在Tc~T*温度范围,超导态消失,但有反铁磁自旋相干引起的自旋能隙的存在;在T*~T0温度范围,有周期性条纹相产生的电子密度波引起的能隙的存在;在T=T0,电子比热系数发生了从增大到减小的转折变化.
关键词:
YBa2Cu3O7
,
超导能隙
,
赝能隙
,
电子比热容
,
电子比热系数
,
电子密度泛函