欢迎登录材料期刊网

材料期刊网

高级检索

  • 论文(4946)
  • 图书()
  • 专利()
  • 新闻()

锡掺杂对ITO膜阻和结构的影响

马颖 , 吕庆莉 , , 袁桃利 , 麦丽

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.05.012

以铟、锡氯化物为前驱物,采用溶胶-凝胶法在玻璃基体上制备不同锡掺杂的ITO膜,在热处理温度为450 ℃条件下制备不同锡掺杂(质量分数11 %~33 %)的ITO膜,研究锡掺杂对ITO膜阻和结构特性的影响.用四探针法测量ITO膜的阻并对样品进行X射线衍射分析,结果表明:锡掺杂量在20 %时ITO膜的阻最小,不同锡掺杂的ITO膜均为立方铁锰矿结构,锡掺杂会影响ITO膜晶粒尺寸、晶格常数和晶面取向等结构特性,ITO膜的晶粒较大、晶格畸变小、择优取向小时薄膜阻较小.

关键词: ITO膜 , 溶胶-凝胶法 , Sn掺杂 , X射线衍射分析

ITO透明导电薄膜的制备及光电特性研究

马颖 , , 靳宝安 , 牟强 , 袁桃利

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2004.05.011

以氯化铟和氯化锡为前驱物,采用溶胶-凝胶法在玻璃基片上制备了ITO薄膜.研究了掺锡浓度、热处理温度和热处理时间等工艺条件对ITO薄膜光电特性的影响.制备的ITO薄膜的阻为300Ω/□,可见光平均透过率为80%,电阻率为4×10-3Ω·cm,其光电特性已达到了TN-LCD透明电极的要求.

关键词: ITO薄膜 , 溶胶-凝胶法 , , 透光率 , 液晶显示器

等离子增强型化学气相沉积条件对氮化硅薄膜性能的影响

李新贝 , , 牟强

材料保护 doi:10.3969/j.issn.1001-1560.2006.07.004

等离子增强型化学气相沉积(PECVD)氮化硅技术是目前半导体器件在合金化后低温生长氮化硅的唯一法.研究了由进口PECVD设备制备的氮化硅薄膜性质与沉积条件的关系,测定了生成膜的各种物理化学性能,详细探讨了各种沉积参数对薄膜性能的影响,提出了沉积优质氮化硅薄膜的工艺条件.

关键词: 等离子增强型化学气相沉积 , 氮化硅 , 薄膜性能

新型高效红色磷光O LED器件

黄晋 , ,

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.17.006

使用R-4B新型红色磷光染料作为掺杂剂,制作了结构为 ITO/MoO3(10)/NPB (40)/TCTA (10)/CBP∶R-4B(x)/BCP(10)/Alq3(40)/LiF/Al 的红色磷光器件,结合 TCTA 和 BCP (电子和空穴阻挡材料),通过调节R-4B的掺杂比例,对器件的发光性能和发光机理进行了研究。结果表明,掺杂比例为6%时,得到光效和颜色稳定性较好的器件。在电压为4V时,电流密度为0.045mA/cm2,亮度为3.57cd/m2,最大电流效率为19.48cd/A;在电压分别为5、10和15V时,色坐标分别为(0.60,0.35)、(0.64,0.34)、(0.64,0.35)。分析认为,一面,R-4B的发光机理主要有主体材料CBP 对 R-4 B 的能量传递及载流子直接注入R-4B形成激子;另一面,TCTA 和 BCP 的作用为对发光层内载流子、激子的阻挡及使空穴、电子更有效注入发光层。

关键词: 红色磷光 , 高效 , OLED

多层氧化物复合阴极透明OLED器件

梁田静 , , 丁磊

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20122701.0043

制备了一种采用多层氧化物复合阴极的透明OLED,器件结构为:ITO/ MoO3( 10 nm) /NPB( 60nm)/Alq3(65 nm)/ Al(1 nm)/ MoO3(1 nm)/Al(X nm) /MoO3(30 nm).所采用的复合阴极结构为MoO3/Al/ MoO3 (MAM),同时在复合阴极(MAM)与电子传输层(Alq3)中间插入一层厚度为1 nm的Al中间层,该薄Al层一面提高了电极与有机层间界面的平整度,同时增强了电极的导电性;另一面,在电子传输层与中间层Al薄膜之间形成了良好的欧姆接触,提高了电子的注入能力.改变MAM结构中Al的厚度,获得该透明OLEDs的最佳性能,在Al的厚度为18 nm时器件亮度最高,为2 297 cd/cm2.

关键词: 有机电致发光器件 , 复合阴极 , 透明OLED , 欧姆指触

X射线衍射分析热处理温度对透明导电膜结构与导电性能的影响

马颖 , 韩薇 ,

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2005.04.010

采用溶胶-凝胶法以铟、锡氯化物为前驱物制备不同热处理温度下的ITO膜,对制备的ITO膜样品进行X射线衍射分析.研究表明热处理温度对ITO膜的衍射峰相对强度、晶粒尺寸和晶格常数有较大的影响,随着热处理温度的增加,ITO膜随机取向增加,晶粒增大,晶格常数在400 ℃时畸变最小.热处理温度为450 ℃时ITO膜的择优取向较弱,晶粒较大,晶格畸变较小,ITO膜的阻最小.

关键词: ITO膜 , 热处理温度 , X射线衍射分析 , 溶胶-凝胶法

碲化锡材料的制备及其特性研究

刘倩 , , 李亚利 , 孟永春

材料导报

用Bridgman法合成SnTe晶体,并用X射线衍射仪测试其显微结构,发现其晶格常数比标准值略小.以制备的晶体为原料用真空蒸镀法制备了银灰色SnTe多晶薄膜,并对薄膜的显微结构、伏安特性及表面形貌进行了研究.结果发现,薄膜上晶粒的生长有一定择优取向,其伏安特性曲线有突变点,通电后薄膜表面的原子形成了团簇.

关键词: SnTe , 晶体 , 多晶薄膜 , 显微结构 , 伏安特性 , 表面形貌

LED绝缘铝基板的制备与散热性能研究

李艳菲 , , 梁田静 , 杜红兵

功能材料

采用硬质阳极氧化工艺制备LED封装用铝基板绝缘层,通过实验分析了制备铝基板过程中氧化时间、草酸浓度、硫酸浓度和电流密度等因素对其氧化膜厚度、击穿电压的影响,得到了制备低热阻铝基板的最佳工艺参数:电流密度3A/dm2,草酸浓度为10g/L,H2SO4浓度150g/L,氧化时间45min。利用原子力显微镜(AFM)观察热冲击后裂纹萌生的情况,结果表明铝基板有微小裂纹,但仍满足绝缘要求,通过对氧化铝膜热阻的测试发现,铝基板与氧化膜的复合热阻在1~3℃/W之间。结果表明用阳极氧化法制备的铝氧化膜满足LED基板对散热及绝缘性的要求。

关键词: LED , 铝基板 , 阳极氧化 , 热阻

高效稳定性有机黄光电致发光器件

, , 黄晋 , 思璐

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.13.028

主要通过红绿磷光材料R-4B和GIr1掺杂的方法,制备了黄光OLED器件,器件结构为ITO/MoO3(X)/NPB (40nm)/TCTA(10nm)/CBP:GIr1 14%:R-4B2% (30nm)/BCP(10nm)/Alq3 (40nm)/LiF(1 nm)/ Al(100nm),TCTA和BCP分别为电子和空穴阻挡材料,同时结合TCTA和BCP对载流子的高效阻挡作用,研究了MoO3对器件效率和稳定性的影响.发现当增加MoO3的厚度为90nm时,在较大的电压范围内,器件都具有较高的效率和色坐标稳定性.在电流密度为7.13mA/cm2时,器件达到最高电流效率29.2cd/A,亮度为2081cd/m2;电流密度为151.7mA/cm2时,获得最高亮度为24430cd/m2,电流效率为16.0cd/A;器件色坐标稳定性较好,当电压为5、10、15V时,色坐标分别为(0.5020,0.4812)、(0.4862,0.4962)、(0.4786,0.5027).器件性能的改善主要归因于载流子注入与传输的平衡以及阻挡层对发光区域的有效限定.

关键词: 有机电致发光器件 , 磷光 , 色稳定性 , 氧化钼

高显色白光LED的制备与研究分析

胡长奇 ,

功能材料

通过在LED芯片上涂敷有机材料MPPV粉胶层,然后用点YAG粉胶层的方法来研究白光LED的发光光谱,并提高其显色指数,其中MPPV与YAG的质量分数分别为0、1%、4%和6%.结果表明,随着MPPV质量分数的增加,光谱中红光区域峰值逐渐增加,当其质量分数为4%时,出现了明显的红光区域峰值,显色指数高达88,而且通过显色指数的标准计算方法、对照8个标准试验色及其对应的特殊显色指数,分析研究了MPPV能够大幅度提高白光LED显色指数的原因.

关键词: 有机材料 , 显色指数 , 光谱 , 荧光粉

  • 首页
  • 上一页
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
  • 下一页
  • 末页
  • 共495页
  • 跳转 Go

出版年份

刊物分类

相关作者

相关热词