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  • 论文(235)

硅基光电集成材料及器件的研究进展

韦文生 , , 周克足 , 王天民

材料导报

以硅基光电集成回路为主线,综述了不同的硅基光波导材料的制备技术和硅基光波导的制作工艺及其对光传输损耗的影响.分析了硅基光波导与锗硅光探测器集成用两种不同的耦合方式,阐明了波导与探测器集成的机理及设计理论基础.归纳出硅基键合激光器的四种技术方案,指出其共同优点是克服材料异质外延引起的晶格失配和热膨胀非...

关键词: , 光波导材料 , 硅基集成光学器件

nc-Si:H薄膜的内应力特性研究

韦文生 , 王天民 , , 李国华 , 韩和相 , 丁琨

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.03.010

测试了采用 PECVD生长的氢化纳米硅(nc-Si:H)薄膜的内应力.利用 XRD、 Raman、AFM、HRTEM研究了nc-Si:H薄膜的微结构,用全场薄膜应力测试仪测量了 nc-Si:H薄膜的内应力.结果表明: nc-Si:H薄膜的内应力与薄膜的微结构密切相关,强烈依赖于制备工艺.压应力随掺杂...

关键词: nc-Si:H薄膜 , 微结构 , 内应力

Nc-Si:H薄膜器件的研究

韦文生 , 徐刚毅 , 王天民 ,

材料导报

介绍了氢化纳米硅(nc-Si:H)薄膜在电子学器件和光电转换器件(如隧道二极管、异质结二极管、变容二极管、单电子晶体管、太阳能电池、发光二极管)等方面的研究进展,分析了这些器件的性能与nc-Si:H薄膜结构之间的关系,阐述了新型器件的优点.

关键词: nc-Si:H薄膜 , 隧道二极管 , 异质结二极管 , 变容二极管 , 太阳能电池 , 单电子晶体管 , 发光二极管

掺硼nc-Si:H薄膜中纳米硅晶粒的择优生长

韦文生 , 王天民 , , 李国华 , 韩和相 , 丁琨

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.01.006

利用等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)生长的系列掺硼氢化纳米硅 (nc- Si:H)薄膜中纳 米硅晶粒( nanocrystalline silicon,简称 nc- Si)有择优生长的趋势.用 HRTEM、 XRD、 Raman等方 法研究掺硼 nc- Si:H薄膜的微观结构时发现: 掺硼 ...

关键词: nc-Si:H薄膜 , 掺硼 , 纳米硅晶粒 , 择优生长 , 电场

高碘酸钾氧化丽红G催化光度法测定铱

侯能邦 , 李祖碧 , 李崇宁 , 王加林 , 曹秋娥

冶金分析 doi:10.3969/j.issn.1000-7571.2002.05.006

利用铱催化高碘酸钾氧化丽红G(PG)的褪色反应,建立了测定痕量铱的催化动力学光度法.在硫酸介质和90℃加热15min的条件下,于500nm波长处,采用固定时间法测定丽红G吸...

关键词: , 红G , 高碘酸钾 , 催化光度法

减温降计算模型

付国忠 , 刘建平 , 赵晓峰 , 刘建明 , 吕庆功 , 彭龙洲

钢铁

在对轧制时钢管的温降原因进行分析的基础上,给出一种定减温降计算模型,该模型考虑了辐射、接触传导、内部传导对温度的影响.通过对轧制实验测定得到钢管的温降数据与此模型实例计算的结果进行对比分析,表明该模型比较准确,能够满足生产实际的要求,可...

关键词: , 温降 , 模型

高压输电用耐线夹失效的原因

王若民 , 詹马骥 , 季坤 , 严波 , 王夫成 , 杜晓东

机械工程材料 doi:10.11973/jxgccl201703023

通过对高压输电用耐线夹及夹持导线的宏观形貌、化学成分、腐蚀产物进行分析,探讨了该线夹腐蚀失效的原因.结果表明:该线夹在压接时即存在铝线断股现象,服役过程中使酸性雨水更易进入到压接管内部,对线夹与钢芯铝绞线结合面进行腐蚀生成腐蚀产物,导致...

关键词: 线夹 , 腐蚀 , 热击穿 , 钢芯铝绞线

红S褪色光度法测定锡-钴合金镀液中的钴

郭振良 , 唐清华 , 牟起娜 , 孙言志

电镀与涂饰 doi:10.3969/j.issn.1004-227X.2005.12.018

在90 ℃水浴中,Co2+ 能催化铋酸钠氧化丽红S褪色,据此建立了一种褪色光度法测定Co2+ 的新方法.Co2+在0~50 μg/mL范围内遵守比尔定律,表观摩尔吸光系数为1.814×103 L/(mol*cm),最大吸收波长为520 ...

关键词: 红S , 褪色光度法 , 合金镀液 ,

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