张曼曼
,
李炜
玻璃钢/复合材料
测试并分析了VARI用不饱和聚酯树脂DS326PT-1在动态升温及恒温条件下的粘度变化,建立了工程粘度模型,并通过该模型来预测适用于VARI(真空辅助成型工艺)的低粘度工艺窗口.实验数据表明,该粘度模型与实验结果吻合良好,可为VARI工艺过程的模拟与参数优化提供有效的参考数据.
关键词:
VARI
,
流变特性
,
工程粘度模型
,
工艺窗口预测
张曼曼
,
袁福根
,
徐闻雅
,
顾章海
中国稀土学报
doi:10.11785/S1000-4343.20130604
研究了双组分体系Cp3 Ln/HSCH2 CH2 NEt2 (Ln=Sm,Yb)催化ε-己内酯聚合反应性能,并与Cp3 Ln/HOCH2 CH2 NMe2和Cp3 Ln(Ln=Sm,Yb)催化结果进行了比较,发现催化活性:Cp3 Yb/HOCH2 CH2 NMe2> Cp3Sm/HOCH2CH2NMe2> Cp3 Yb/HSCH2CH2NEt2> Cp3Sn/HSCH2CH2NEt2> Cp3Sm> Cp3Yb.发现Cp3Ln(Ln =Sm,Yb)和HSCH2CH2NEt2是通过可逆平衡反应生成相应茂基稀土硫化物的,硫醇的加入可提高Cp3Ln的催化活性.Cp3Ln (Ln =Sm,Yb)和HOCH2CH2NMe2反应则立即完全生成茂基稀土烷氧化合物.测定了[Cp2Sm(μ-OCH2CH2NMe2)]2的晶体结构.
关键词:
己内酯
,
催化
,
烷氧化合物
,
硫化物
,
稀土
陈练辉
,
范广涵
,
孟耀勇
,
刘桂强
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2004.06.029
利用LP-MOCVD生长了不同周期的AIGaInP/GaInP MQW样品,并测量了它们的拉曼光谱.由于样品包括了掺杂的电流扩展层和欧姆接触层以及上、下限制层,拉曼光谱中观察到了与掺杂有关的耦合电子(空穴)气-纵光学声子模.根据喇曼光谱的选择定则,结合光致发光谱,发现A1P-LO/TO的相对强度比可以评定晶体AlGaInP MQW的生长质量.
关键词:
光电子学
,
AlGaInP/GaInP MQW
,
拉曼光谱
,
耦合电子(空穴)气-纵光学声子模
郝晨生
,
王锐
材料科学与工艺
doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2004.02.025
为研究LiNbO3晶体中Zn2+浓度对拉曼光谱的影响,以及Zn2+在LiNbO3晶体中的占位和Zn:LiNbO3晶体的结构,分别在LiNbO3中掺进摩尔分数为0.02、0.04、0.06、0.08 ZnO的Zn:LiNbO3晶体,进行其A1(To)和E(To)模的拉曼光谱测试.结果表明,当掺杂ZnO的摩尔分数小于0.06时,拉曼光谱变化不大,当掺杂ZnO的摩尔分数大干8%时,晶体拉曼光谱的274 cm-1峰变得模糊,E(To)模也混入A1(To)模中,晶体峰值变化较大.
关键词:
Zn:LiNbO3晶体
,
结构
,
掺杂
,
浓度
,
拉曼光谱
欧阳顺利
,
吴楠楠
低温物理学报
采用变温装置,在-30℃至-190℃温度范围内我们对冰行进了原位低温拉曼光谱测量.并利用光谱分析软件对冰的拉曼光谱带行进了分析,得到O-H键振动的三个拉曼峰随温度的变化规律.应用氢键理论对实验结果进行了分析,结果表明O-H键的v3(Eg)反对称伸缩振动和v1(B1g)不同向对称伸缩振动受氢键影响较大,并且v3(E)的拉曼峰位与温度成很好的线性关系有潜在的应用价值.
关键词:
拉曼光谱
,
冰
,
低温
,
氢键
李克华
,
陈洁
,
王任芳
,
贾聪
腐蚀与防护
曼尼希碱是一类重要的金属缓蚀剂。以肉桂醛、环己酮、水合肼为原料合成曼尼希碱缓蚀剂CJ,采用正交试验优化得出最佳合成条件,同时采用极化曲线和电化学阻抗谱等电化学方法研究了曼尼希碱缓蚀剂CJ的缓蚀机理。结果表明:当肉桂醛/水合肼摩尔比为3∶1、环己酮/水合肼摩尔比为1∶1、反应温度为45℃、pH为4、反应时间为8 h时,CJ具有最好的缓蚀性能。在15%盐酸中,当缓蚀剂加量为1.0%时,N80钢片的腐蚀速率为0.2991 g/(m2·h),远低于SY/T 5405-1996中的一级标准。曼尼希碱缓蚀剂CJ在钢铁表面的吸附符合Langmuir吸附等温方程;曼尼希碱缓蚀剂CJ是以抑制阳极腐蚀过程为主的混合型缓蚀剂。
关键词:
曼尼希碱
,
缓蚀性能
,
缓蚀剂
黄焱球
,
刘梅冬
,
李珍
,
曾亦可
功能材料
利用拉曼光谱结合X射线衍射分析对未掺杂和掺杂的ZnO薄膜、陶瓷薄膜进行了研究.ZnO薄膜及ZnO陶瓷薄膜均由sol-gel法制备,掺杂组份有Bi2O3、Sb2O3、MnO和Cr2O3等.结果表明,未掺杂的薄膜的ZnO主晶相均表现出显著的定向生长特征,其拉曼光谱特征谱峰为437cm-1,谱峰强度随薄膜退火温度的提高略有增强.掺杂后ZnO的拉曼谱峰发生了红移.掺Bi2O3后ZnO的拉曼谱峰由347cm-1移质移至434cm-1,掺Sb2O3后ZnO的拉曼谱峰移至435cm-1,而掺杂Bi2Os、Sb2O3、MnO和Cr2O3等组份的ZnO陶瓷薄膜的ZnO拉曼谱峰则移至434cm-1,说明掺杂元素进入了ZnO晶格,引起了晶格的变化.ZnO薄膜性能不仅受次晶相组成的影响,而且受因掺杂元素进入而引起的ZnO晶格畸变的影响.
关键词:
ZnO薄膜
,
晶体结构
,
拉曼光谱