周剑平
,
李华飚
,
乔祎
,
张永平
,
顾有松
,
常香荣
,
赵春生
,
田中卓
金属功能材料
doi:10.3969/j.issn.1005-8192.2000.03.007
本文研究了在不同温度的基片上进行磁控溅射,氮流量对Fe-N薄膜的磁性和结构的影响.实验表明,基片温度为200℃有助于提高Fe-N薄膜的软磁性能.基片为室温和100℃,氮流量在0～2sccm范围内变化时,未发现γ＇-Fe4N和α″-Fe16N2,薄膜中只有N在α-Fe中的固溶体.基片温度200℃,氮流...
关键词:
饱和磁化强度
,
矫顽力
,
磁控溅射
,
Fe-N膜
张永平
,
顾有松
,
常香荣
,
田中卓
,
时东霞
,
张秀芳
,
袁磊
功能材料
本文采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法,用高纯氮气(99.999%)和甲烷(99.9%)作反应气体,在单晶硅和多晶铂基片上沉积βC3N4薄膜.X射线能谱(EDX)分析了这种晶态C-N膜的化学成分,对不同样品的分析结果表明,N/C原子比在1.1～2.0范围内.X射线衍射结构分析结果与计导的α...
关键词:
β-C3N4
,
超硬薄膜
,
磁波等离子体化学气相沉积
张永平
,
顾有松
,
常香荣
,
田中卓
,
时东霞
,
张秀芳
,
袁磊
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2000.03.016
采用微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD),使用高纯N2(99.999%)和CH4(99.9%)作反应气体,在多晶Pt(99.99%)基片上沉积C3N4薄膜X射线能谱(EDX)分析结果表明N/C原子比为1.0～1.4,接近C3N4的化学比;X射线衍射谱(XRD)说明薄膜主要由β和α-C3N4组成;...
关键词:
微波等离子体化学气相沉积
,
β-C3N4
,
薄膜
,
超硬材料
李世鸿
,
叶忠信
,
张永平
,
汪岛军
,
黄柏仁
新型炭材料
doi:10.1016/S1872-5805(08)60049-9
以化学气相沉积法成长多晶金刚石薄膜时,薄膜的品质会受到成长时间、成长压力、反应气体比例、偏压与否及成核的机制等因素影响.研究采用微波电浆辅助化学气相沉积(MPECVD)法,以甲烷(CH4)和氢气(H2)作为反应气体原料,在P型(111)硅基板沉积多晶金刚石薄膜.典型沉积多晶金刚石薄膜的制程可分为四个...
关键词:
多晶金刚石薄膜
,
微波电浆辅助化学气相沉积(MPECVD)
,
两段成长
,
偏压增强成核(BEN)
谈嘉慧
,
陈之战
,
张永平
,
何鸿
功能材料与器件学报
本文利用电化学刻蚀的方法在n型Si衬底上制备了不同形貌的多孔硅.扫描电子显微镜观察发现不同刻蚀条件制备的样品呈现腐蚀程度不同但腐蚀方向相同的侧向腐蚀.实验和理论分析表明适当电注入的空穴浓度是形成光滑孔壁的关键,过量注入的空穴在侧壁形成耗尽层,促使体硅少子漂移是侧向腐蚀的主要原因.
关键词:
多孔硅
,
侧蚀分析
,
控制方法
张永平
,
雷华志
,
周娴
,
李雨耕
,
杨筱筱
有色金属工程
doi:10.3969/j.issn.2095-1744.2017.03.011
针对含铜转炉渣中含铜硫化物较多、回收困难的现状,采用硫酸加压浸出回收其中的铜,重点研究了浸出气氛、硫酸初始浓度、浸出温度和浸出时间等工艺参数对铜浸出率的影响.结果表明,在硫酸初始浓度150 g/L,液固比3,通入压缩空气流量0.2 Nm3/h,反应时间4 h,浸出温度70 ℃,浸出压力0.4 MPa...
关键词:
含铜转炉渣
,
铜回收
,
加压浸出
,
硫酸
李世鸿
,
张永平
,
李丽英
新型炭材料
采用铬酸溶液对碳纳米管进行后处理,旨在修饰碳纳米管的表面形态及改变碳纳米管的表面结构,进一步增强碳纳米管的场发射特性.铬酸溶液后处理与传统以硝酸后处理的厅法不同之处在于,铬酸溶液可以更有效率地与非品质碳及碳纳米管发生化学反应.可以预期碳纳米管经过铬酸溶液处理后,碳纳米管的表而形态、化学组成及场发射特...
关键词:
碳纳米管
,
场发射
李世鸿
,
张永平
,
李丽英
新型炭材料
研究在N2O/N2/NH3氛围中对Ni催化剂进行退火处理,旨在探讨退火处理对所生成碳纳米管的表面结构及其发射特性的影响.从表面结构及表面元素分析结果发现:Ni催化剂在N2O/N2/NH3氛围中退火处理之后,Ni催化剂的颗粒大小及催化剂的化学成分发生改变,进而影响所合成的碳纳米管的表面结构及场发射特性...
关键词:
退火
,
碳纳米管
,
场发射
