田宗民
,
陈旭
,
谢振宇
,
张金中
,
张文余
,
崔子巍
,
郭建
,
闵泰烨
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20132806.0849
对低速沉积的栅极绝缘层和低速沉积的有源层的薄膜沉积条件进行了优化,设定4个实验条件,考察了不同条件下膜层的均匀性,TFT产品的开路电流(I.n)的整体分布规律以及均匀性,Ion的提升比例以及产品的阈值电压,确定条件二为最优条件.对比优化前后产品的栅极偏应力下TFT的转移曲线和高频信号下电容-电压曲线,进一步分析了产品的电学稳定性.研究发现I.n提升了42％,开关比(I.n/I..)提升了约70％,优化后的TFT的稳定性优于优化之前,达到了改善TFT特性的目的.
关键词:
栅极绝缘层
,
有源层
,
沉积条件优化
,
电学特性
,
改善
李婧
,
张金中
,
谢振宇
,
阎长江
,
陈旭
,
闵泰烨
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20132804.0547
利用等离子化学气相沉积法连续制备SiNx∶H和a-Si∶H薄膜.通过电学、光学、力学测试研究了SiNx∶H薄膜沉积条件对其界面性能的影响.研究结果表明,过度的富硅化将显著增大体系的界面态,严重影响器件的TFT特性.当SiH4和NH3气体流量比值为7∶15时,开关比(Ion/Ioff)可达3.24×10 7.适当增加功率同样可以提高Ion,但高于31.5 W/cm2后,只会严重地增大薄膜的应力.优化SiNx∶H的沉积参数,开关比可以提高5.5倍.
关键词:
SiNx∶H界面态
,
Si/N
,
开关比
,
TFT特性
马丽军
,
李正旭
,
钟英楠
,
阚春海
,
肖千鹏
,
赵可迪
黄金
doi:10.11792/hj20170419
研究了杂质元素对火试金重量法测定粗金中金量的影响,并通过一系列实验分别确定了粗金中铜、铁、锌、镍、铂、钯、硒、碲、锑、铋、钛、钨12种杂质元素适用于该方法的上限量值,及杂质元素超上限量值时所采取的措施,保证了方法的适用性,对指导黄金冶炼企业准确测定粗金中金量具有重要的意义.
关键词:
粗金
,
火试金
,
重量法
,
杂质
,
增量
王若民
,
王夫成
,
詹马骥
,
陈国宏
,
杜晓东
表面技术
doi:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2016.03.024
目的：研究高压输电耐张线夹用铝在0.1 mol/L的中性Na2 SO4溶液中的交流腐蚀行为。方法在耐张线夹端部截取块状腐蚀试样并包覆、打磨、清洗,利用自制设备测量试样在交变电流腐蚀作用下的Tafel曲线、交流阻抗谱和腐蚀速率,采用扫描电子显微镜分析微观腐蚀形貌,采用X射线衍射仪、能谱仪和X射线光电子能谱仪对腐蚀区元素及物相进行分析。结果交变电流密度为0~40 A/m2时,Tafel曲线负向移动；50 A/m2时,发生逆转,曲线正向移动；随交变电流密度增加,交流阻抗谱Nyquist图由单弧逐渐变为双弧,出现Warburg阻抗,Bode-Phaze 图由单峰逐渐变为双峰；表面出现较多的点蚀坑和层状脱落痕迹；腐蚀产物为Al( OH)3和Al2 O3。结论交变电流作用下试样的腐蚀倾向加深,腐蚀表面具有较多的空洞,垂直腐蚀和平行腐蚀交替进行,呈现层状脱落方式向基体演进,腐蚀产物与一般铝腐蚀产物相同,均为Al(OH)3和Al2O3,腐蚀速率在交变电流密度低于50 A/m2时相对较低,高于50 A/m2时大幅提高。
关键词:
中性溶液
,
交流腐蚀
,
铝
,
腐蚀形貌
,
电化学腐蚀
,
腐蚀产物
宋裕华
黄金
doi:10.11792/hj20130520
氯化金中金量的测定通常采用还原沉淀法,一般使用草酸作为还原剂,但在草酸还原金的过程中存在着还原不完全、试液外溢等问题.在借鉴国内同行的分析工作经验基础上,提出了以亚硫酸钠替代草酸还原测定氯化金中的金量.该方法与草酸还原沉淀法相比,具有准确、易操作的优点,测定结果令人满意.
关键词:
氯化金
,
测定方法
,
还原剂
马丽军
,
陈永红
,
腾飞
,
芦新根
黄金
doi:10.11792/hj20131118
建立了样品焙烧处理—火试金重量法测定载金炭中的金量;经过了一系列条件实验,分别确定了称样量范围、焙烧温度、配料、熔样温度、分金时间、分金酸度及金银质量比例等最佳实验条件.在最佳实验条件下,该方法加入标准物质的回收率为99.85 ％～100.1％,与原子吸收光谱法对比,体现了更好的重复性和再现性.在载金炭交易中,该方法被推荐为仲裁分析方法.
关键词:
载金炭
,
金
,
火试金
,
重量法
