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钛合金化学镀镍工艺

赵林 , 杨中东 , 薛向欣 , , 张春刚

电镀与涂饰 doi:10.3969/j.issn.1004-227X.2006.04.013

采用一种含有氢氟酸的酸性溶液作为活化溶液,对钛合金表面进行化学镀镍.讨论了活化液、络合剂、Ni 2+及H 2PO 2 -浓度、缓冲剂及温度的确定.分别介绍了除膜、活化、预镀镍及化学镀镍工艺规范.对该镀镍层的耐蚀性及含磷量进行了测定,并对该镀层热处理前后的硬度、厚度、结合力、氢含量、耐磨损性及表面微观...

关键词: 钛合金 , 化学镀镍 , 活化溶液 , 氢氟酸 , 氢含量

梯度NiCoCrAlYSi涂层的循环氧化及热腐蚀行为*

, 姜肃猛 , 孙旭东 , 宫骏 , 孙超

金属学报 doi:10.11900/0412.1961.2016.00013

采用电弧离子镀技术制备了普通NiCoCrAlYSi涂层和梯度NiCoCrAlYSi涂层, 分析了2种涂层的组织及结构, 对比研究了2种涂层分别在1000 ℃到室温的循环氧化行为和900 ℃的高温热腐蚀行为. 结果表明, 普通涂层由γ/γ′相、β相和α-Cr相组成, 梯度涂层外层富Al, 内层富Cr, Al和Cr在涂层中呈梯度分布. 循环氧化过程中梯度涂层外层充足的Al源维持表面Al2O3膜的形成和修复, 界面处富Cr(W, Re)相抑制涂层与基体的互扩散, 表现出良好的抗循环氧化性能. 热腐蚀过程中, NaCl的存在加速了腐蚀的进程, 2种涂层出现不同程度的内氧化和硫化, 普通涂层表面形成了非保护性的NiAl2O4尖晶石和NiO, 梯度涂层中外部富Al内部富Cr的梯度分布, 减缓了热腐蚀进程.

关键词: 梯度涂层 , 电弧离子镀 , 循环氧化 , 热腐蚀

(MCrAlY+AISiY)复合涂层的高温氧化行为

, 姜肃猛 , 段绪海 , 宫骏 , 孙超

金属学报 doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2009.03.021

采用电弧离子镀技术在镍基高温合金K465上制备了(MCrAlY+AlSiY)复合涂层,分析了复合涂层的组织及结构,对比研究了NiCoCrAlYSiB单一涂层及(NiCoCrAlYSiB+AlSiY)复合涂层分别在1000及1100℃时的恒温氧化行为和从1000℃到室温的循环氧化行为.结果表明:退火后...

关键词: NiCoCrAlYSiB , AlSiY , 复合涂层 , 电弧离子镀 , 高温氧化

梯度NiCoCrAlYSi涂层的循环氧化及热腐蚀行为

, 姜肃猛 , 孙旭东 , 宫骏 , 孙超

金属学报 doi:10.11900/0412.1961.2016.00013

采用电弧离子镀技术制备了普通NiCoCrAlYSi涂层和梯度NiCoCrAlYSi涂层,分析了2种涂层的组织及结构,对比研究了2种涂层分别在1000℃到室温的循环氧化行为和900℃的高温热腐蚀行为.结果表明,普通涂层由γ/γ′相、β相和α-Cr 相组成,梯度涂层外层富Al,内层富Cr,Al和Cr在涂...

关键词: 梯度涂层 , 电弧离子镀 , 循环氧化 , 热腐蚀

兰州宁阱核心电极的最优电压幅值计算

孙宇梁 , 王永生 , 田玉林 , 王均英 , 黄文学

原子核物理评论 doi:10.11804/NuclPhysRev.32.03.341

宁阱是用于直接测量原子核质量的精确设备.为了保证宁阱的测量精度,需在阱中心产生精准的四极静电场,而四极静电场是通过对

关键词: 宁阱 , 质量测量 , 四极电场 , 电极电压

磁性材料的应用

薛福连

材料开发与应用 doi:10.3969/j.issn.1003-1545.2001.01.011

介绍了磁性材料的性能、效应和应用,并指出了今后研究和开发的重点。

关键词: 磁性材料应用性能

金刚石的研究现状

温斌 , 李廷举 , 董闯 , 金俊泽

材料导报

金刚石是具有面心立方(fcc)结构的金属性碳,是一种的碳同素异形体.为了更好地研究金刚石的性能和应用,介绍了...

关键词: 金刚石 , 碳素材料 , 金刚石 , 同素异形体

大线同沟敷设热力分析

凌霄 , 王艺 , 宇波 , 张劲军 , 王凯 , 达鑫

工程热物理学报

针对大线同沟敷设管道,采用非结构化有限容积法,分析了不同的物性条件下,常温输送原油对加热输送原油的热力影响.

关键词: 同沟敷设 , 大线 , 热力分析 , 数值模拟 , 有限容积法

气相法制白炭黑

王钧 , 施善友

硅酸盐通报 doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2002.03.015

打破了传统气相法制白炭黑的工艺原理,创造性地提出一种的原理和制备方法,并在实验室初试阶段取得成功.

关键词: 气相法白炭黑 , 粉煤灰 , 浓硫酸 , 氟化钙

纳米 MOSFET/SOI器件结构

张正选 , 林成鲁

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.02.024

重点介绍器件进入纳米尺度后出现的 MOSFET/SOI器件的结构,如超薄 SOI器件、双栅 MOSFET、 FinFET和应变沟道等 SOI器件,并对它们的性能进行了分析.

关键词: 纳米 MOSFET , SOI , 双栅 MOSFET , FinFET , SiGe/Si

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