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研究了镁合金表面化学镀Ni-B合金的电化学行为,采用电化学动电位扫描极化曲线和交流阻抗研究了Ni-B镀层的腐蚀电化学行为,结果表明,Ni-B镀层在3.5%NaCl溶液中具有优良的耐蚀性能.所得Ni-B镀层的自腐蚀电位在-400 mV左右,相对于基体-1460 mV提高了1000 mV,自腐蚀电流密度小于0.7 μA/cm2,相对于基体28.5 μA/cm2降低了近两个数量级,说明Ni-B镀层能够有效地提高AZ91D镁合金的耐腐蚀性能,使AZ91 D镁合金在3.5%NaCl溶液腐蚀介质中的腐蚀速度明显降低.电化学交流阻抗测试结果符合极化曲线的测量结果,化学镀Ni-B镀层后的AZ91D镁合金在3.5%NaCl溶液中的阻抗值相对于基体提高两个数量级,表现为自腐蚀电流降低,阻抗值相应提高.

关键词: 镁合金 , 化学镀 , Ni-B镀层 , 腐蚀电化学行为

低碳醇氧化电极表面pH值的测量及应用

蒋利民 , 王汉丹 , 杨永生 , 李维 , 彭淑合 , 田昭武

应用化学 doi:10.3969/j.issn.1000-0518.2009.11.021

研究了Ir/IrO_2微平面电极在低碳醇氧化电极表面的pH-E_(ocp)(pH-开路电位)关系,测量了几种低碳醇在电化学氧化过程中距离电极表面50 μm以内的不同距离处的pH值,对不同低碳醇电化学氧化产生的酸强度进行了比较与分析;Ir/IrO_2微平面电极的pH-E_(ocp)关系曲线与"醇-羧酸"体系种类有关;乙二醇在电化学氧化过程中产生的pH值最低,甲醇次之,乙醇产生的pH值最高,在500 nm处的稳态pH值分别为0.191、1.13和2.99. 通过向电解液中加入NaF,考察了生成的H~+和F~-结合对金属钛选择性微区刻蚀作用,在乙二醇为前驱体的体系中微孔刻蚀加工速率约为30 nm/min.

关键词: 低碳醇 , 电化学氧化 , pH测量 , Ir/IrO_2微平面电极 , 刻蚀

兰州彭宁阱核心电极的最优电压幅值计算

孙宇梁 , 王永生 , 田玉林 , 王均英 , 黄文学

原子核物理评论 doi:10.11804/NuclPhysRev.32.03.341

彭宁阱是用于直接测量原子核质量的精确设备.为了保证彭宁阱的测量精度,需在阱中心产生精准的四极静电场,而四极静电场是通过对彭宁阱的核心电极施加合适的电压产生的.采用公式推导法和最小二乘法两种方法计算得到了LPT核心电极需加电压幅值.对于公式推导法,电压值完全从理论出发,经公式推导后计算得到;最小二乘法的出发点是使取样偏差的平方和最小,且通过仿真模拟考虑了电极的实际几何形状.由这两种方法得到的非四极项系数C4和C6,可用于估算因偏离理想四极电场所产生的实验误差.虽然这两种方法的出发点不同,但都可以在阱中心产生需要的四极电场.

关键词: 彭宁阱 , 质量测量 , 四极电场 , 电极电压

硅片的直接键合

王敬 , 屠海令 , 刘安生 , 张椿 , 周旗钢 , 朱悟新

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1998.05.013

介绍了硅片的直接键合工艺、键合机理、键合质量评价方法以及键合技术目前的研究和应用状况等.

关键词: 硅片 , 硅片键合 , 直接键合

高定形聚乙二醇/剑麻纤维素/彭胀石墨相变储能材料的研制及热性能

贾仕奎 , 王忠 , 陈立贵 , 李雷权 , 付蕾 , 包维维

高分子材料科学与工程 doi:10.16865/j.cnki.1000-7555.2017.01.025

以聚乙二醇(PEG)作为相变组分,以高导热的膨胀石墨(EG)和富合羟基的剑麻纤维素(CSF)作为相变支撑组分,分别利用自制的超声辅助真空设备进行动态灌注或机械搅拌进行熔融共混制备了不同PEG用量的定形相变储能材料(PCMs).采用扫描电子显微镜、高分辨率光学相机、差示扫描量热仪、Hot disk-导热仪、热重分析仪等技术测试了PEG基复合PCMs的微观形貌、定形性、储热性能、导热率及稳定性.结果表明,新颖的动态灌注法制备的PEG基复合相变材料呈现出更致密的微观形态,更好的储热性能和更高的导热率及热稳定性.同时,实验发现由于CSF大量的极性羟基和多孔隙结构,当CSF质量分数为30％,EG质量分数为1％时,复合材料表现出极好的定形效果.

关键词: 剑麻纤维素 , 聚乙二醇 , 膨胀石墨 , 动态灌注法

铜线性能及键合参数对键合质量的影响

曹军 , 丁雨田 , 郭廷彪

材料科学与工艺

为了提高铜线性能及其键合质量,采用拉力-剪切力测试仪、扫描电镜等研究了不同力学性能铜线及相应的键合参数对其键合质量的影响,分析了不同伸长率和拉断力、铜线表面缺陷、超声功率和键合压力对铜线键合质量的作用机制.结果表明：伸长率过小和拉断力过大会造成焊点颈部产生微裂纹,从而导致焊点的拉力和球剪切力偏低;表面存在缺陷的铜线其颈部经过反复塑性大变形会造成铜线表面晶粒和污染物脱落而出现短路和球颈部断裂;键合过程中键合压力过大能够引起的焊盘变形,同时较大的接触应力引起铝层溢出;过大的超声功率使键合区域变形严重产生明显的裂纹和引起键合附近区域严重的应力集中,致使器件使用过程中产生微裂纹而降低器件的使用寿命.

关键词: 伸长率 , 拉断力 , 表面 , 超声功率 , 键合压力

硅/硅键合新方法的研究

刘玉岭 , 王新 , 张文智 , 徐晓辉 , 张德臣 , 张志花

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2000.01.004

研究成功用Ⅳ族元素锗进行硅/硅键合的一整套新技术(代替通用的亲水法);实现了键合层无孔洞,边沿键合率达98%以上,键合强度达2156Pa以上,并通过在锗中掺入与低阻同型号的杂质,实现了应力补偿.

关键词: 硅 , 锗 , 键合 , 机理

Cu/Sn等温凝固芯片键合工艺研究

杜茂华 , 蒋玉齐 , 罗乐

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.04.015

研究了 Cu/Sn等温凝固芯片键合工艺,对等离子体处理、键合气氛、压力以及 Sn层厚度等因素对焊层的键合强度的影响进行了分析和优化.实验表明,等离子体处理过程的引入是保证键合质量的重要因素,在功率 500W、时间 200s的处理条件下,得到了最大的键合强度;而键合气氛对键合质量有显著的影响,在真空环境下,能得到最佳的键合质量;压力对键合质量的影响较小,施加较小的压力( 0.05MPa)即能得到较大的剪切强度;而 Sn层厚度对键合质量的影响极小,而较薄的厚度能够缩短键合时间.在最优化条件下,得到的键合强度值全部达到了美军标规定的 6.25MPa的强度要求(对于 2mm× 2mm芯片).