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GaAsHBT直接耦合微波单片集成电路

曾庆明 , , 刘伟吉 , 李献杰 , 敖金平 , 王全树 , 郭建魁 , 赵永林 , 揭俊锋

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.018

叙述了基于GaAsHBT的直接耦合级联形式,设计制造的几种微波单片集成电路,包括2.5Gb/s跨阻放大器、3GHz可级联放大器和10Gb/s跨阻放大器的设计、制造和测试结果.

关键词: GaAs , HBT , 微波单片集成电路

AlGaN/GaNHEMT器件研究

曾庆明 , 吕长志 , 刘伟吉 , 李献杰 , 赵永林 , 敖金平 ,

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.010

叙述了AlGaN/GaNHEMT的特点及制造工艺,给出其测试结果,最大跨导~157ms/mm,由S参数测量推出器件的截止频率fT和最高振荡频率fmax分别为12GHz和24GHz.

关键词: GaN , HEMT

WN/W难熔栅自对准增强型n沟道HFET

刘伟吉 , 曾庆明 , 李献杰 , 敖金平 , 赵永林 , 郭建魁 ,

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.015

发展了WN/W难熔栅自对准工艺.WN/W栅在850oC下退火,保持了较好的形貌.在此工艺基础上研制出了适用于互补逻辑电路的增强型n沟道异质结场效应晶体管.在1×50μm的HFET中,实现了最大跨导约为56mS/mm,阈值电压为3.5V.与p型HFET的-3V的阈值基本对称.反向击穿电压为4~5V.

关键词: WN/W , 难熔栅 , CHFET , HIGFET

苏皖四处凹凸棒石粘土矿床稀土元素地球化学研究

陈天虎 , , 岳书仓 , 汪家权 , 彭书传

中国稀土学报

研究了苏皖四处凹凸棒石粘土矿床不同类型矿石的稀土元素组成及其变化特征. 研究表明玄武岩首先风化形成蒙皂石族粘土矿物, 在此过程中稀土元素没有明显的分馏作用, 强风化的玄武岩重稀土元素强烈亏损; 如果玄武岩在地表进一步风化形成红土型蒙脱石粘土, 则发生明显的铈正异常, 中稀土亏损而轻稀土和重稀土又重新富集, 这反映了当时大陆地表特殊的氧化条件和盆地湖水溶液的胶体吸附作用. 玄武岩在原地进行水-岩作用, 发生递进化学风化, 其稀土元素地球化学特征与玄武岩及其风化产物的稀土元素地球化学特征基本一致, 总量略低, 显示REE没有大量迁移流失. 沉积型凹凸棒石粘土的稀土元素地球化学特征也与玄武岩及其风化产物的稀土元素地球化学特征相似, 但同时表现出轻重稀土比值增大, 铕正异常, 表明沉积型凹凸棒石粘土的物源基本上是来源于玄武岩的风化产物, 但REE配分模型受玄武岩风化残积物的制约.

关键词: 稀土 , 凹凸棒石 , 玄武岩 , 地球化学

高温浸矿微生物的选育探索

, 孙雪南 , 阮仁满 , 车小奎

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2002.03.013

以从(50~60 ℃)酸性温泉中采集的菌为选育对象,研究确定浸矿高温菌初筛、复筛的方法后,用该方法获得高温浸矿菌 retech-Y .通过生理生化的研究鉴定 retech-Y 为兼性异养菌,此高温菌的最适生长条件为:FeTSB0 培养基,pH 1.60,Fe2+ 含量 90 mmol/L,最适温度为 60 ℃, 最适生长周期为24 h, Fe2+ 氧化率为 100%,菌数为7×107个/ml.

关键词: 生物浸出 , 高温菌 , 筛选模型

铜陵狮子山矿田岩浆岩及金矿床的稀土元素地球化学

, 陆三明 , 谢巧勤 , 储国正 , 熊亚平

中国稀土学报

研究了铜陵狮子山矿田岩浆岩及金矿床矿石和蚀变岩石的稀土元素地球化学特征.矿田内3种代表性的岩浆岩稀土元素含量及Eu异常特征相似,轻重稀土元素比值有规律地变化,反映其具有相同的来源,是同源岩浆演化的结果,稀土元素特征显示岩浆的形成机制为分离结晶作用.金矿床矿石和蚀变岩石的稀土元素球粒陨石配分模式呈右倾斜型式,与矿区岩浆岩基本一致;稀土元素含量界于岩浆岩和围岩大理岩之间,显示成矿流体对岩浆岩的淋滤迁移和对围岩灰岩的叠加改造,反映成矿物质主要来源于岩浆作用;矿石Eu异常特征表明成矿热液为地壳浅部低压下岩浆分异的还原性富Cl-的流体;从成矿早期矽卡岩化到晚期块状硫化物矿石的形成,轻重稀土元素分异和Eu异常特征均显示岩浆热液演化的特征.

关键词: 稀土元素 , 地球化学 , 岩浆岩 , 金矿床 , 狮子山矿田 , 铜陵

InP/InGaAsHBT湿法化学选择腐蚀技术

李献杰 , 曾庆明 , , 敖金平 , 刘伟吉 , 广

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.012

用H3PO4:H2O2系和HCl系腐蚀液实现了InP对InGaAs、InGaAs对InP的湿法化学选择腐蚀,并将其应用于InP/InGaAsHBT制作,发射极面积为10μm×20μm的单管共发射极直流增益β为70,截止频率Ft和最大振荡频率Fmax分别为11GHz和12GHz.

关键词: InP , InGaAs , 选择腐蚀 , HBT

蒙脱石和凹凸棒石纳米复合材料制备、表征和潜在应用

陈天虎 , 惠芳 , 鲁安怀 , 彭书传 , , 汪家权

硅酸盐通报 doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2004.01.009

由于晶体结构的制约,蒙脱石和凹凸棒石具有不同的形态和物理化学性质,在水悬浮体系中必定存在蒙脱石和凹凸棒石的互相作用.但这种互相作用的形式和材料科学意义未曾被人认知.本文通过对蒙脱石样品化学剥片和对凹凸棒石样品的分散处理,悬浮液混合和蒙脱石-凹凸棒石颗粒之间的互相作用,实现凹凸棒石和蒙脱石矿物纳米复合,X射线粉末衍射分析、高分辨透射电镜以及比表面积分析证实这种互相作用的存在和颗粒之间的缔合形式.剥片后的蒙脱石纳米晶片和分散的凹凸棒石纳米纤维发生面-面互相作用.2种矿物复合的结果,使得固体产物产生特殊纳米孔结构.此种材料在催化剂制备、吸附脱色、废水废气处理等方面具有潜在的应用价值.

关键词: 蒙脱石 , 凹凸棒石 , 纳米材料 , 纳米复合

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