罗来马
,
谌景波
,
王昭程
,
卢泽龙
,
徐楠
,
黄龙
,
吴玉程
材料热处理学报
采用化学活化预处理对PC塑料基体进行化学镀前预处理,然后通过化学镀在预处理后的PC塑料基体上成功获得了铜镀层.通过场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)研究分析了PC塑料活化预处理前后表面形貌、化学镀过程中不同时间所获得的铜镀层、化学镀后的铜镀层的表面形貌,探讨了化学镀PC塑料表面镀铜层生长机理.结果表明:采用化学活化预处理对PC塑料基体进行活化处理,预处理后的塑料基体直接进行化学镀铜处理,铜镀层均匀致密良好;Cu颗粒的形核、长大和聚集过程为:化学镀溶液中的反应物在PC表面缺陷(台阶或凹坑)处吸附,发生氧化-还原反应沉积出Cu颗粒;先沉积的Cu粒子以线型方式长大,其长大过程为纳米级Cu粒子聚集过程,并不断重复,形成物理团聚的Cu胞;最后Cu胞与Cu胞之间融合,从而形成紧密结合、致密的铜镀层.
关键词:
化学活化预处理
,
化学镀铜
,
生长机理
冯连荣
,
胡丰田
,
刘成宝
,
陈丰
,
徐楠
,
刘守清
,
陈志刚
催化学报
doi:10.3724/SP.J.1088.2012.20348
以活性炭、NiSO4·6H2O和FeC13·6H2O为主要原料,在180℃水热反应10h制得了磁性纳米材料活性炭-铁酸镍(AC-NiFe2O4),采用X射线粉末衍射法、傅里叶变换红外光谱法、扫描电镜法、透射电镜法及振动样品磁强计对样品进行了表征.在可见光λ>400 nm照射下,以AC-NiFe2O4为异相芬顿催化剂,在草酸存在下研究了亚甲蓝、罗丹明B和孔雀石绿光催化降解反应.结果表明,未掺杂AC的NiFe2O4在可见光辐射下基本不催化降解有机物;而掺杂活性炭后反应10h内20.0 mg/L有机模拟污染物降解率达到90%以上.催化剂重复循环使用8次以上,其催化活性基本不变.可见AC-NiFe2O4有望用于光催化降解有机污染物中.
关键词:
活性炭
,
铁酸镍
,
异相芬顿催化剂
,
可见光
,
催化降解
陈松
,
刘亚康
,
鲁建民
,
徐楠
涂料工业
doi:10.3969/j.issn.0253-4312.2004.02.008
介绍了甲基丙烯酸缩水甘油酯(GMA)类丙烯酸粉末罩光清漆的制法.讨论了纳米TiO2用量、固化剂类型,以及交联度和支化结构对涂料性能的影响,并通过正交试验,制得了性能最佳的GMA类丙烯酸粉末罩光清漆.
关键词:
正交试验
,
丙烯酸粉末
,
罩光清漆
,
甲基丙烯酸缩水甘油酯
,
支化结构
徐楠
,
左然
,
何晓焜
,
于海群
人工晶体学报
对垂直转盘式MOCVD反应器生长GaN的气相化学反应路径进行研究.结合反应动力学模型,分别采用预混合进口但改变反应腔高度,以及采用环形分隔进口,对反应器的温场、流场和浓度场进行CFD数值模拟,由此确定反应器结构参数对化学反应路径的影响.通过观察主要含Ga粒子的浓度分布以及不同反应路径对生长速率的贡献,判断该反应器可能采取何种反应路径.研究发现,RDR反应器的主要反应路径是TMG热解为DMG,DMG为薄膜沉积的主要前体.反应腔高度变化对反应路径影响较小,但生长速率略有增大;当从预混合进口改为环形分隔进口时,生长更倾向于TMG热解路径,同时生长速率增大,但均匀性变差.
关键词:
生长速率
,
MOCVD
,
GaN
,
反应路径
谢永亮
,
王金华
,
张猛
,
卫之龙
,
徐楠
,
黄佐华
工程热物理学报
利用高速纹影摄像方法结合定容燃烧弹研究了CO2和H2O稀释对CO/H2/air混合气层流燃烧速度的影响,获得了不同当量比、稀释气和CO/H2比例下合成气的层流燃烧速度.结果表明,CO2与H2O对合成气层流燃烧速度的影响有显著差异.总体上来说,CO2具有更强的稀释效果.从化学反应的角度出发,CO2与H2O对合成气的燃烧化学反应有着截然相反的效果,CO2抑制燃烧化学反应,而H2O起到促进燃烧化学反应的作用.
关键词:
CO2
,
H2O
,
稀释
,
合成气
,
层流燃烧速度
于海群
,
左然
,
徐楠
,
何晓崐
人工晶体学报
从分子动力学理论出发,推导出垂直式MOCVD反应器中热泳力和热泳速度与温度、温度梯度、压强、粒子直径的关系式,以及热泳速度与扩散速度、动量速度平衡时的关系式.在典型的生长条件下,计算得到在温度T=605K时,热泳速度与扩散速度、动量速度动量平衡,TMGa浓度达到最大.然后在不考虑化学反应和考虑化学反应两种情况下,针对垂直式MOCVD反应器内的热泳力对粒子浓度分布和沉积的影响进行数值模拟,模拟给出反应粒子在反应器不同进口温度、衬底温度时的温度分布、浓度分布和反应速率.并与文献中的实验值进行对比,模拟结果与实验值有很好的吻合.
关键词:
MOCVD
,
GaN
,
热泳力
,
数值模拟
何晓崐
,
左然
,
徐楠
,
于海群
材料导报
介绍了用于外延生长Ⅲ-V族化合物薄膜的原子层外延(ALE)的国内外进展.以GaAs为例,讨论了ALE生长Ⅲ-V族化合物的表面反应机理.GaAs的ALE表面反应机理主要有两种:一种是吸附质阻挡机理,即Ga-(CH3)3在表面发生热解,最终Ga(CH3)x(x=1或2)在表面吸附,依靠Ga(CH3)x中CH3的空间位阻效应,表面反应自动停止;另一种是选择性吸附机理,即Ga(CH3)3在表面热解后形成的吸附物质是Ga原子,当表面完全覆盖一层Ga原子,即表面Ga原子饱和,表面反应自动停止.还介绍了ALE生长中的气相反应以及H原子对ALE生长过程的影响.
关键词:
原子层外延
,
GaAs
,
表面化学反应