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本文采用两种化学氧化法制备氧化石墨烯(graphene oxide GO),在偏光显微镜下GOA有液晶性为各向异性相,GO B无液晶性呈现各向同性相.正交偏光片下GO A有光学变化而GO B没有光学变化.借助X射线衍射和拉曼光谱比较两种GO的结构,利用傅里叶红外光谱比较GO的表面官能团,利用旋转流变仪比较GO的流变性能,在扫描电镜下比较GO的形貌.研究结果表明,有液晶性的GO A质量更优异.

关键词: 氧化石墨烯 , 液晶性 , 各向异性相

硅铝比及固体反应物浓度对合成Mn-Kaolinite的影响

陈明风 , 成正东 , 陈颖 , 李华伟 , 施增楷 , 刘琢玮

硅酸盐通报

本文以硅酸、Al(NO3)3·9H2O、MnCO3、KOH为原料,采用水热法合成了具有良好晶格结构的含Mn高岭石.利用XRD、SEM以及EDS等测试方法对所合成的高岭石进行了表征,研究了在碱性环境中及硅铝比分别为1/3(富铝)、1/1、3/1(富硅)条件下固体反应物浓度对合成高岭石产量、结构和形态的影响,并探讨了Mn离子在Mn-Kaolinite形成过程中的作用机理.结果表明,在硅铝比为1/1、固体反应物浓度为0.3/50条件下合成的Mn-Kaolinite品质最优,呈薄片状.随着固体反应物浓度升高,所得产物的产率降低,同时出现针状Mn-Kaolinite.此外,还在反应时间为3小时条件下成功合成了高岭石,补充完善了合成方法.

关键词: 合成高岭石 , 水热法 , 含锰高岭石 , 固液比 , 硅铝比

TiO2-H2O混合纳米流体的稳定性

邵雪峰 , 陈颖 , 莫松平 , 成正东 , 殷陶 , 贾莉斯

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2016.02.048

采用水热合成法制备TiO2纳米管(TiNTs)和纳米片(TiNSs),以不同浓度比将两种纳米颗粒分散在水中形成水基混合纳米流体,研究了纳米流体总浓度和两种纳米颗粒浓度比对混合纳米流体稳定性的影响.通过纳米颗粒沉降高度随时间的变化计算了纳米颗粒的相对沉降速率,并用沉降速率评价了纳米流体的稳定性.结果显示,纳米流体总浓度越大,纳米颗粒沉降速率越小,纳米流体越稳定;总浓度相同时,在TiNTs浓度高的情况下,混合纳米流体的稳定性较好且优于单组份TiNTs和TiNSs纳米流体,但在TiNSs浓度高的情况下,混合纳米流体的稳定性较差.测试了不同剪切速率下纳米流体的粘度;从粘度变化的角度解释了纳米流体总浓度与TiNTs和TiNSs浓度比影响纳米颗粒沉降速率的原因.

关键词: TiO2 , 纳米管 , 纳米片 , 混合纳米流体 , 稳定性 , 粘度

十八胺高温成膜特性及成膜形态

谢建丽 , 邓佳杰 , 胡家元

材料保护

十八胺（ODA）高温成膜特性可为燃气机组停机保养过程的防护提供科学依据。采用高压釜模拟350-560℃水汽环境，对燃气机组管材受热面ODA成膜进行研究，探讨了各条件对成膜耐蚀性的影响。结果表明：ODA最佳成膜条件：80mg／L ODA，温度480℃，pH值9．5，恒温时间2h；560℃时形成的膜层也具有很好的保护性，表明不降温加入ODA进行停机保养也是可行的；所成膜为含ODA的氧化铁层，ODA中N与Fe发生化学吸附形成保护膜。

关键词: 十八胺(ODA) , 成膜特性 , 成膜形态 , 耐蚀性

乳液涂料成膜过程中成膜助剂的挥发

殷耀兵 , 李国强 , 管文超

涂料工业 doi:10.3969/j.issn.0253-4312.2007.08.006

成膜助剂的水溶性、相对挥发速度影响其在涂膜干燥过程中的挥发.热失质量和激光粒度分析发现,成膜助剂挥发过程分两个阶段.在第一阶段,成膜助剂一方面挥发,另一方面因浓度提高而向聚合物粒子内部渗透,油溶性成膜助剂挥发速度比较快;在第二阶段,成膜助剂的挥发受到成膜助剂分子由聚合物内部向外扩散的控制,油溶性成膜助剂挥发速度比较慢.由于成膜助剂水溶性的这种差异,导致油溶性成膜助剂容易出现缩边现象.这对于成膜助剂的选用和减量增效,以及提高成膜性能具有重要意义.

关键词: 成膜助剂 , 水溶性 , 挥发 , 缩边

机械镀锌成膜机理探讨

王兆华 , 杨瑞嵩 , 张鹏 , 刘元洪

材料保护

分析了目前对机械镀锌原理认识的合理性,提出了机械镀锌的成膜机理是在腐蚀微电池的作用下,镀液中的金属离子在阴极区电沉积,溶液中的金属粉末在阳极区发生溶解,电沉积的金属成膜助剂使金属粉末在基材上沉积.冲击作用在于搅拌溶液以减少浓差极化,使凝聚粉团变形利于成膜,破碎枝晶,方便堆砌.机械镀的成膜是化学电池产生的金属粉末的部分阳极自溶解和镀覆金属阴极电沉积的结果,从而将金属粉末和基体结合在一起.

关键词: 机械镀锌 , 成膜机理 , 腐蚀电池

电子元件与成膜技术

李青 , 李刚

电镀与精饰 doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2000.01.006

成膜技术在电子技术的发展进程中起着重要的作用,尤其是电子元件与电镀技术的密切关系可称之为源远流长.近年来,随着对电子元件小型、高性能及多功能要求的日趋迫切,成膜技术的重要性显得更为突出.就半导体元件制作中的引线框架及凸台的形成、印刷线路板制作中的导体层的形成及多功能导体层的处理、线圈、电容器及电阻等无源元件中电阻薄膜及外部电极端子制作等各种电子元件制造有关的成膜技术作评述.

关键词: 电子元件 , 成膜技术 , 电镀