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总结了近年来超高密度磁记录介质的研究概况,着重介绍了垂直磁记录介质中L10相FePt薄膜的研究方法,并认为L10相FePt薄膜将会成为高密度磁盘记录介质的主流.倾斜磁记录、热辅助磁记录、图案记录等存储技术,目前处于实验室研究阶段,但是有望突破垂直磁记录的超顺磁极限,实现超高密度磁记录.

关键词: Co合金薄膜 , L10相FePt薄膜 , 倾斜磁记录 , 热辅助磁记录 , 图案记录

新疆西昆仑地区库斯拉甫金矿成矿作用新认识

匡文龙 , 刘继顺 , 朱自强 , 刘石华

黄金 doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2002.11.001

库斯拉甫金矿,在大地构造位置上,处于西昆仑造山带与塔里木板块交接部位的晚古生代奥依塔格-库尔良裂陷槽的北段,属于西昆仑地区库斯拉甫-他龙成矿带的一部分.笔者通过详实的野外考察和综合室内测试、岩矿鉴定等研究资料分析,认为该区中泥盆世开始拉张形成的碎屑岩-碳酸盐岩建造,是金的原始矿源层,深部隐伏岩体的活动为区内金的成矿作用提供了成矿物质运移所需的热源,韧性剪切带是区内沟通深部含金热液上升的主要通道.因此,在库斯拉甫地区,应注重寻找韧性剪切带型金矿和构造蚀变岩型金矿.

关键词: 西昆仑 , 矿源层 , 韧性剪切带 , 库斯拉甫金矿

有机波导制备工艺对乐甫波传感器性能的影响

胡佳 , 杜晓松 , 杨邦朝 , 谢光忠 , 应智花 , 蒋亚东 , 王涛 , 袁凯

功能材料

研究了基于PMMA波导的乐甫波传感器,研究了器件的插损以及质量灵敏度随波导层厚度变化的关系.采用低浓度、低粘度的前驱溶液,多步旋涂工艺制备了PMMA波导薄膜,降低了器件的插损,实现了2.18/μm的"有效厚度",器件的质量灵敏度达705cm2/g,与前人相比提高了1倍.

关键词: 乐甫波传感器 , PMMA波导 , 插损 , 质量灵敏度

新疆东准噶尔小哈甫提克山一带金铜矿床找矿前景分析

窦隆洋 , 弓小平 , 韩琼 , 张燕波 , 谢磊

黄金 doi:10.11792/hj20150406

研究区位于准噶尔盆地东北缘，西起中蒙边境小哈甫提克山一带，东至红星一牧场，属于西伯利亚板块南缘之库普成矿带。研究区断裂构造复杂，岩浆活动频繁，金成矿地质条件非常优越。通过对该研究区的地层、构造及岩浆岩等地质特征进行总结，结合矿脉特征开展分析研究；运用区域地球物理、地球化学等研究方法，综合找矿信息，进行找矿前景分析。研究认为，上泥盆统苏海图组和下石炭统南明水组为研究区的赋矿地层，华力西中期的岩浆活动为成矿提供了热源。化探数据显示Au的成矿与酸度有明显的关系，并且随岩石酸度的增高， Au含量增高。综合多元成矿信息，认为东准噶尔小哈甫提克山一带金铜矿床（点）找矿潜力巨大，具有进一步开展地质工作的价值。

关键词: 地质特征 , 找矿标志 , 找矿前景 , 小哈甫提克山一带 , 新疆东准噶尔

历代洪州窑古瓷的元素组成特征的中子活化分析研究

冯向前 , 冯松林 , 张文江 , 樊昌生 , 权奎山

原子核物理评论 doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2005.01.043

对江西洪州窑从东汉晚期至晚唐五代8期400个瓷胎样品进行了中子活化分析, 分析结果显示碱金属元素Na和Rb、碱土金属元素Ba及Fe等作为胎的助熔剂元素随年代的变化趋势相似, 都呈现出两头高中间低的U字形变化规律, 其中Fe作为呈色元素, 其含量的高低与瓷胎颜色的深浅是一致的.分析结果还揭示洪州窑的发展与衰落以及窑址的不断变迁可能都与制瓷原料的发现与消耗有关.对分析数据进行主成分分析, 可以将不同时期烧制的瓷胎样品大致分为5组: (1)东汉晚期东吴时期; (2)两晋和南朝时期; (3)隋代; (4)初唐和盛唐时期; (5)晚唐五代时期.

关键词: 核分析技术 , 洪州窑古瓷 , 元素特征

十八胺高温成膜特性及成膜形态

谢建丽 , 邓佳杰 , 胡家元

材料保护

十八胺（ODA）高温成膜特性可为燃气机组停机保养过程的防护提供科学依据。采用高压釜模拟350-560℃水汽环境，对燃气机组管材受热面ODA成膜进行研究，探讨了各条件对成膜耐蚀性的影响。结果表明：ODA最佳成膜条件：80mg／L ODA，温度480℃，pH值9．5，恒温时间2h；560℃时形成的膜层也具有很好的保护性，表明不降温加入ODA进行停机保养也是可行的；所成膜为含ODA的氧化铁层，ODA中N与Fe发生化学吸附形成保护膜。

关键词: 十八胺(ODA) , 成膜特性 , 成膜形态 , 耐蚀性

乳液涂料成膜过程中成膜助剂的挥发

殷耀兵 , 李国强 , 管文超

涂料工业 doi:10.3969/j.issn.0253-4312.2007.08.006

成膜助剂的水溶性、相对挥发速度影响其在涂膜干燥过程中的挥发.热失质量和激光粒度分析发现,成膜助剂挥发过程分两个阶段.在第一阶段,成膜助剂一方面挥发,另一方面因浓度提高而向聚合物粒子内部渗透,油溶性成膜助剂挥发速度比较快;在第二阶段,成膜助剂的挥发受到成膜助剂分子由聚合物内部向外扩散的控制,油溶性成膜助剂挥发速度比较慢.由于成膜助剂水溶性的这种差异,导致油溶性成膜助剂容易出现缩边现象.这对于成膜助剂的选用和减量增效,以及提高成膜性能具有重要意义.

关键词: 成膜助剂 , 水溶性 , 挥发 , 缩边

机械镀锌成膜机理探讨

王兆华 , 杨瑞嵩 , 张鹏 , 刘元洪

材料保护

分析了目前对机械镀锌原理认识的合理性,提出了机械镀锌的成膜机理是在腐蚀微电池的作用下,镀液中的金属离子在阴极区电沉积,溶液中的金属粉末在阳极区发生溶解,电沉积的金属成膜助剂使金属粉末在基材上沉积.冲击作用在于搅拌溶液以减少浓差极化,使凝聚粉团变形利于成膜,破碎枝晶,方便堆砌.机械镀的成膜是化学电池产生的金属粉末的部分阳极自溶解和镀覆金属阴极电沉积的结果,从而将金属粉末和基体结合在一起.

关键词: 机械镀锌 , 成膜机理 , 腐蚀电池

电子元件与成膜技术

李青 , 李刚

电镀与精饰 doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2000.01.006

成膜技术在电子技术的发展进程中起着重要的作用,尤其是电子元件与电镀技术的密切关系可称之为源远流长.近年来,随着对电子元件小型、高性能及多功能要求的日趋迫切,成膜技术的重要性显得更为突出.就半导体元件制作中的引线框架及凸台的形成、印刷线路板制作中的导体层的形成及多功能导体层的处理、线圈、电容器及电阻等无源元件中电阻薄膜及外部电极端子制作等各种电子元件制造有关的成膜技术作评述.

关键词: 电子元件 , 成膜技术 , 电镀