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D+离子束和自成型钛靶的作用特性研究

王博宇 , 向伟 , 戴晶怡 , 谈效华 , 程亮 , 陈磊 , 徐进章 , 陈熙萌 , 姚泽恩 , 郭志强

利用ZF-300 keV中子发生器,采用伴随粒子法研究D<'+>离子束和自成型钛靶的中子产额随束流轰击时间的变化特性;利用X射线衍射分析和扫描电镜分别研究束流对靶物相结构和表面形貌的影响.结果表明,随D<'+>离子束的轰击和注入,中子产额随轰击时间的变化逐渐变大,中子产额达到最大值后又随轰击时间的变化逐渐变小;束流轰击前后靶表面无熔坑出现,随D<'+>离子束流的增大,靶表面的条纹状痕迹逐渐消失;D<'+>离子束的轰击未改变自成型钛靶的物相结构.基于离子与固体相互作用的数值模拟,分析讨论了D<'+>离子束和自成型钛靶的作用机制.

关键词: 中子发生器 , 自成型钛靶 , 中子产额 , 伴随粒子法

TiNiCu形状记忆合金双向记忆效应研究

王治国 , 祖小涛 , 傅平 , 戴晶怡 , 封向东

功能材料

研究了热机械训练温度及定型处理温度对TiNiCu形状记忆舍金弹簧双向记忆效应的影响.研究结果表明:在纯马氏体状态进行训练时,双向记忆恢复率随训练次数的增加而增加,并在一定的训练次数后达到饱和;在纯奥氏体状态进行训练,双向记忆恢复率随训练次数迅速增加到某一最大值后随训练次数的增加而减小;在马氏体和奥氏体混合相进行训练时,双向记忆恢复率随训练次数先增加而后减小.经过400～550℃×1h/AC定型处理及热机械训练后最大形状记忆恢复率随定型处理温度升高先增大然后减小.由于马氏体再取向时引入的位错有利于双向记忆效应,热诱发和应力诱发的马氏体变体数量不同,引起了在不同状态训练诱发的双向记忆效应随训练次数变化的差异.

关键词: TiNiCu合金 , 双向记忆效应弹簧 , 定型处理 , 热机械训练温度

TiNiCu形状记忆合金热机械训练诱发双向记忆效应的DSC曲线特征

王治国 , 祖小涛 , 封向东 , 邓炯 , 戴晶怡 , 傅平

航空材料学报 doi:10.3969/j.issn.1005-5053.2004.03.001

利用示差扫描量热法(DSC)研究了TiNiCu双向记忆弹簧训练过程中热机械训练及退火对合金相变特征的影响.结果表明,训练前升温时,DSC曲线表现出的吸热峰由多个小峰组成,随着训练次数的增加,峰的个数减少,具有稳定双向记忆效应的试样中,升温时只出现一个锐利的峰.这是因为在训练过程中引入特定取向的位错,产生一定的应力场,使得马氏体变体的取向比较一致,相变点基本相同所致.由于位错的引入,引起相变点As和Af下降.训练不同次数的样品400℃退火后,由多个小峰组成的吸热峰合并为一个峰,这是由退火导致热机械训练诱发特定取向的位错恢复引起的.

关键词: TiNiCu形状记忆合金 , 热机械训练 , 双向记忆效应 , DSC

热机械训练影响TiNiCu记忆合金DSC曲线特征的研究

王治国 , 祖小涛 , 吴继红 , 戴晶怡 , 傅平 , 杨树正

稀有金属材料与工程

利用示差扫描量热法(DSC)研究了加热伸长、冷却收缩和加热收缩、冷却伸长2种TiNiCu双向记忆效应弹簧训练过程中相变特征.研究结果表明,训练前升温时,DSC曲线表现出吸热峰由多个小峰组成,随着训练次数的增加,峰的个数减少,具有稳定双向记忆效应的试样中,升温时只出现1个锐利的峰.这是因为在训练过程中引入特定取向的位错,产生一定的应力场,使得马氏体变体的取向比较一致,相变点基本相同所导致.并由于位错的引入,引起相变点As和Af下降.

关键词: TiNiCu形状记忆合金 , 热机械训练 , 双向记忆效应 , DSC

N+离子注入TiNi形状记忆合金的微观表面分析

封向东 , 王治国 , 祖小涛 , 戴晶怡

稀有金属材料与工程

对TiNi形状记忆合金N+离子注入后进行了XRD分析以及XPS分析.N+离子注入的能量为75keV,束流为16.3μA/cm2,注量分别为3×1017N+cm-2和8×1017N+cm-2,注入过程中温度低于200℃.XRD和XPS分析结果都表明:N+离子注入试样后以TiN的形式存在;且由于离子注入时的真空度较低,在注入层的表面也形成了少量的TiO2;由于Ni的溅射系数比Ti的大,在试样XPS宽程扫描图中,没有出现Ni的信号.

关键词: TiNi形状记忆合金 , N+离子注入 , TiN

D+离子束辐照对Ti膜的影响

王博宇 , 向伟 , 谈效华 , 戴晶怡 , 程亮 , 秦秀波

金属学报 doi:10.3724/SP.J.1037.2010.00017

在加速器上,利用不同能量的D+离子束对Ti膜进行连续辐照,利用慢正电子湮没技术和SEM对束流辐照前后Ti膜进行表征.结果表明,D+离子束对Ti膜造成辐照损伤,随D+离子束能量增大,辐照损伤的程度加重;辐照损伤最大值在0.3μm处;D+离子束对Ti膜表面造成不同程度的烧蚀,随D+离子束能量增加,膜表面烧蚀程度增加,膜表面几何不均匀性导致膜表面出现选择性烧蚀.数值计算表明,随能量增加,D+离子在Ti膜中的能量沉积增大,这与SEM观测结果相符.

关键词: D+ , Ti膜 , 慢正电子湮没技术