姚博
,
方泽波
,
朱燕艳
,
陈圣
,
李海蓉
功能材料
采用分子束外延（MBE）方法在Si（001）衬底上生长了Er2O3薄膜。高分辨率透射电子显微镜（HRTEM）测试显示Er2O3薄膜保持了在衬底上完好的外延,样品为均匀的单晶结构。将单晶Er2O3薄膜制备成MOS结构并对其做电容-电压（C-V）测试时,发现样品在高频时积累端电容出现了很大程度的频率色散现象。为了解释这种现象,提出了样品中存在缺氧层的结构模型。对该模型等效电路阻抗表达式推导得到了电容-频率方程,并将此方程与实验数据进行拟合,得到的图形、变量参数表明,未完全氧化的插入层是高频MOS C-V测试出现频率色散现象的主要原因。因此认为要消除Er2O3栅介质积累端的频率色散效应,需要尽量减少或避免缺氧层的形成。
关键词:
Er2O3
,
高频C-V测试
,
高k栅介质
,
频率色散
方泽波
,
谭永胜
,
朱燕艳
,
陈圣
,
蒋最敏
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00357
采用高真空反应蒸发法在未加热的p型Si(100)衬底上实现了非晶Er2O3高k栅介质薄膜的生长. 俄歇电子能谱证实薄膜组分符合化学剂量比. X射线衍射、反射式高能电子衍射和高分辨透射电子显微镜测量表明, 不但原位沉积的薄膜是非晶结构, 而且高真空700℃退火30min后样品仍保持了良好的非晶稳定性. 原子力显微镜检测显示高真空退火有利于改善薄膜的表面形貌. 退火后, Er2O3薄膜获得了平整的表面. 电容-电压测试得到薄膜的有效介电常数为12.6, EOT为1.4nm, 在1MV/cm时漏电流密度为8×10-4A/cm2. 这些特征表明非晶Er2O3薄膜是一种较好的高k栅介质候选材料.
关键词:
高k栅介质
,
Er2O3
,
reactive evaporation
方泽波
,
谭永胜
,
朱燕艳
,
陈圣
,
蒋最敏
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2008.02.031
采用高真空反应蒸发法在未加热的P型Si(100)衬底上实现了非晶Er2O3高k栅介质薄膜的生长.俄歇电子能谱证实薄膜组分符合化学剂量比. X射线衍射、反射式高能电子衍射和高分辨透射电子显微镜测量表明,不但原位沉积的薄膜足非晶结构,而且高真空700℃退火30min后样品仍保持了良好的非晶稳定性.原子力显微镜检测显示高真空退火有利于改善薄膜的表面形貌.退火后,Er2O3薄膜获得了平整的表面.电容.电压测试得到薄膜的有效介电常数为12.6,EOT为1.4nm,在1MV/cm时漏电流密度为8×10-4A/cm2.这些特征表明非晶Er2O3薄膜是一种较好的高k栅介质候选材料.
关键词:
高k栅介质
,
Er2O3薄膜
,
反应蒸发
周佩德
中国腐蚀与防护学报
本文用表面光反射,电化学库仑还原、扫描和透射电子显微镜研究了经Cr、Ta和惰性气体离子注入后的高纯铜,暴露在含H_2S大气中的失泽行为。暴露试验是在H_2S浓度为0.006—6VPM,25℃和100％RH条件下进行的。结果表明,Cr、Ta离子注入显著地提高了铜的抗失泽能力,Xe离子注入效果较小,而Ar离子注入无改进效果。阴极还原曲线显示经Cr、Ta离子注入的试样上形成的失泽膜,比未经离子注入铜上形成的膜薄,其结构组成亦不同。电子衍射结构分析和扫描电镜(附WDAX)分析进一步证明,Cr离子注入抑制了铜表面膜中金属硫化物的形成。
关键词:
刘沙沙
,
高正平
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2015.22.029
根据实际的多层频率选择表面吸波结构建立传输线模型,并分别给出了单方环、双方环和栅格方环结构的等效电路模型以及等效阻抗,通过等效电路法研究了3种不同结构的电磁波传输特性,并将计算结果与HFSS仿真结果作对比,验证了该方法的有效性.此外,在单方环结构的基础上,又讨论了不同参数对其传输特性的影响,结果表明,吸收峰个数随着介质层数不同而不同,介质厚度、介质相对介电常数以及方环尺寸的增加使吸收峰向低频方向移动.
关键词:
频率选择表面
,
等效电路
,
传输系数
魏健文
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2007.03.007
以方势垒描述N-I-d波超导体结中绝缘层对准粒子输运的影响,通过求解Bogoliubov-de Gennes(BdG)方程,利用Blonder-Tinkham-Klapwijk(BTK)理论,计算了N-I-d波超导体结的隧道谱.研究表明:(1)绝缘层厚度在不同纳米量级下的隧道谱形状各异,即便其厚度处在同一纳米量级上,彼此间仅相差零点几个纳米,电会导致微分电导随偏压的变化关系迥异,这为解释高Tc氧化物超导体的相关实验现象提供了更多的可能性;(2)粒子的入射角和绝缘层的势垒值对零偏压电导峰有显著影响.
关键词:
方势垒
,
绝缘层厚度
,
N-I-d波超导体结
,
隧道谱
吉跃仁
低温物理学报
以方势垒描述正常金属/绝缘层/自旋三重态p波超导结中绝缘层对准粒子输运的影响,通过求解Bogoliubov-de Gennes(BdG)方程,利用Blonder-Tinkham-Klapwijk(BTK)理论,计算了p波超导结的隧道谱.研究表明:(1)绝缘层厚度的增加,可导致自旋三重态p波超导结隧道谱中出现亚能隙共振峰,粗糙界面散射和杂质散射均对亚能隙共振产生影响;(2)对于px波结,粗糙界面散射和杂质散射均能使零偏电导峰变成凹陷,杂质散射能引起零偏电导峰的劈裂;(3)对于px波结,绝缘层厚度和杂质散射的变化均能在能隙内产生阶梯状的谱形,粗糙界面散射和杂质散射均能使谱线中的零偏电导凹陷上升为峰;(4)对于px+ipy波结,绝缘层厚度和粗糙界面散射均可导致双凹陷结构的消失和小的能隙峰的出现,它们的变化对零偏压处是峰还是凹陷产生直接影响;杂质散射能使零偏电导峰出现劈裂,并使零能凹陷和能隙处的双凹陷加深.
关键词:
方势垒
,
N/I/p波超导结
,
隧道谱
