陈海龙
,
方国东
,
李林杰
,
时圣波
,
梁军
复合材料学报
基于高硅氧/酚醛复合材料体积烧蚀条件下的三维多物理场耦合控制方程,通过有限元方法预报了高硅氧/酚醛复合材料在酚醛树脂热解反应过程中的温度场、位移场、孔隙压力以及树脂残留率等热力学响应.计算结果表明:数值计算模型预报的温度场和位移场与高硅氧/酚醛复合材料高温变形实验的测量值吻合.材料热解过程中固体材料孔隙压力的峰值点出现在材料热解反应刚开始发生的区域,而弹性应力的峰值点出现在靠近材料热解层的原始材料层.
关键词:
高硅氧/酚醛
,
体积烧蚀
,
多物理场
,
高温力学性能
,
有限元法
王勇
,
任平弟
,
刘家浚
,
周仲荣
功能材料
采用液压高精度材料试验机考察了GCr15钢平面-球面接触摩擦副在机油和摩圣机油2种介质润滑下的摩擦磨损性能.用激光扫描显微镜(LSM)观察了磨痕表面形貌并测量了磨损体积.结果表明:摩圣具有较好的抗摩擦磨损性能,缩短了磨损过渡阶段的持续时间,减轻了表面粘着磨损、剥落损伤,减弱了磨粒磨损,降低了金属磨损体积损失;载荷与位移幅值增加,摩圣的抗摩擦磨损能力增强.
关键词:
"摩圣"技术
,
摩擦磨损
,
油润滑
程晓斌
,
陈静宜
工程热物理学报
本文采用连续小波变换的方法,对跨音离心压气机机壳壁面动态压力及叶片应变信号进行了时频分析.结果表明,在失速前的先兆阶段存在着两种特征截然不同的先兆成分,即连续增强成分和间断扰动成分.间断扰动成分和间断失速段的失速团具有相近的特性.压力信号中间断失速段的失速团频率比在连续失速段的失速团频率高,而叶片应力信号中则相反,并计算得出连续失速段的失速团比间断失速段的夫速团数目少.在间断失速段,压力信号的频率阶跃以及叶片应变信号的频率衰减现象,对应于扰动能量聚集而使失速团数目减少的过程.
关键词:
旋转失速先兆
,
小波变换
,
时频分析
,
离心压气机
张成强
,
姬长建
,
刘萌
,
谭霞
,
李华
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2011.06.010
采用非旋波近似,讨论了热库中二态量子系统在外加驱动场作用下的退相干性.利用系统的演化酉算符,计算出了二态量子系统的约化密度矩阵非对角矩阵元.结果表明:二态量子系统的量子相干性与其初始状态、热库和外加驱动场的频率、二态量子系统与热库和驱动场的耦合强度等因素有关.确定了外加驱动场与退相干性之间的关系,并得到了外加驱动场的时间演化满足特定条件时,可保持系统的相干性.
关键词:
量子光学
,
退相干
,
非旋波近似
,
二态量子系统
,
外加驱动场
赵云丽
,
马铭研
,
高晓霞
,
刘涛
,
于治国
,
毕开顺
色谱
doi:10.3321/j.issn:1000-8713.2006.05.012
对槲寄生中的有效成分高圣草素-7-O-β-D-葡萄糖苷进行了分离和结构鉴定,并对其含量进行了分析.色谱条件:C18柱(200 mm×4.6 mm i.d., 5 μm),流动相为乙腈-0.5%冰醋酸水溶液(体积比为18∶82),流速为1.0 mL/min,柱温为30 ℃,检测波长为284 nm,进样量为10 μL.结果表明,高圣草素-7-O-β-D-葡萄糖苷的峰面积与其质量浓度有良好的线性关系,相关系数r为0.999 7;方法的加标回收率为96.0%～100.1%.该方法简便、快速、准确,精密度好,可作为槲寄生质量控制的一个有效方法.
关键词:
反相高效液相色谱法
,
高圣草素-7-O-β-D-葡萄糖苷
,
槲寄生
张思进
,
陆启韶
,
傅衣铭
复合材料学报
采用碰撞力分段模型和--阶剪切理论分析了给定初始速度的铁球与四边简支的复合材料叠层板中心发生碰撞的动力学行为,包括碰撞力及接触时间的变化规律、叠层板的振动响应、应力波传、表面沉陷等.并根据忽略厚度的界面模型假设及简化的Tsai-Wu张量理论对复合材料叠层板的解层破坏进行了计算和分析,并给出了破坏区大小与铁球初始速度的关系.研究表明:碰撞力与铁球的初始速度成正比;复合材料叠层板中应力波传沿固定方向的相速度在各层内相同,拉伸应力波传速度沿纤维总体占优的方向大于其垂直的方向,而剪切应力波传速度则相反.即使在较低的初始碰撞速度下,复合材料叠层板的解层破坏也很明显,并且破坏区域随初始碰撞速度的增大而不断扩展,其形状也会发生改变.
关键词:
复合材料
,
叠层板
,
应力波传
,
界面
,
解层
罗发
,
周万城
,
焦桓
,
赵东林
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2003.03.011
研究了由SiC(N)纳米吸收剂制备的SiC(N)/LAS吸波材料的介电性能,对影响介电性能的吸收剂的含量、吸波材料烧结温度和碳界面层等因素进行了较为全面的研究.结果表明,在1080℃以下烧结温度对陶瓷致密度的影响较大而对陶瓷介电常数的影响较小;在1080℃以上烧结温度对烧结致密度的影响较小,对陶瓷介电常数的影响较大.吸波材料介电常数的实测值与计算值之间存在很大的差异.这种差异是吸波材料制备过程中纳米级的SiC(N)促进了碳界面层形成,导致了在较高温度烧结时吸波材料介电常数对温度的敏感性,使吸波材料介电常数的实测值与计算值之间出现了很大的差异.形成的碳界面层复介电常数的虚部较高,使吸波材料对电磁波的损耗进一步升高,从而使吸波材料的吸波性能得到增强.
关键词:
纳米SiC(N)
,
LAS玻璃陶瓷
,
介电常数
,
界面层
,
吸波材料
