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MoSi2/SiC配对副在不同载荷下的高温磨损性能研究

张厚安 , 时存 , 胡小平 , 张翠娟

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2008.04.007

在XP-5型高温摩擦磨损试验机上考察了MoSi2/SiC配对副在1000 ℃不同载荷下的摩擦磨损性能, 并用SEM扫描电镜对MoSi2和SiC的磨损表面进行了观察, 用X射线分析了MoSi2的磨损表面相组成.结果表明: MoSi2/SiC摩擦副在1000 ℃高温滑动

关键词: 二硅化钼 , 磨损率机制 , 高温磨损 , 碳化硅

温度对MoSi2/SiC配对副高温摩擦磨损性能的影响

胡小平 , 时存 , 张厚安 , 黄之初

在XP-5型高温摩擦磨损试验机上考察了MoSi2/SiC配对副在700～1100℃时的高温摩擦磨损性能,并用SEM扫描电镜和X射线衍射仪观察和分析了MOSi2/SiC磨损面的形貌与相组成.结果表明,MoSi2/SiC摩擦副在700～110...

关键词: 二硅化钼 , 高温磨损性能 , 磨损机理 , SiC

骨组织工程用多孔HA生物材料的制备

张厚安 , 李敏 , 唐思文 , 张翠娟 , 时存

用PVB、NH4HCO3和(NH4)2CO3粒子作造孔剂,制备了骨组织工程用多孔HA生物材料.讨论了烧结工艺和造孔剂含量等对材料结构的影响.研究表明,较佳的烧结工艺为1200℃烧结4h,烧结后样品主要是HA相.造孔剂PVB、(NH4)2CO3、NH4HCO3含量分别为10vol%、15vol%和20...

关键词: 生物材料 , 多孔 , 羟基磷灰石 , 制备

LED显示控制系统移存频率加速方法研究

郝亚茹 , 邓招奇 , 邓春健

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20163105.0470

针对LED显示控制系统中移存频率受限于SDRAM的有效读取频率的问题,提出一种加速移存频率的方法.以LED显示控制系统的硬件逻辑为基础,建立扫描频率、移

关键词: 移存频率 , SDRAM , 扫描频率 , 拆分重组

采空区存窿铜矿石室内可浸性试验研究

王玉山 , 王燕

黄金 doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2002.07.004

针对寿王坟铜矿的空区存窿矿石进行了室内摇瓶浸出试验和柱浸试验.试验表明寿王坟铜矿的矿石仅采用化学浸出,铜的浸出率较低,为46%左右,采用细菌浸出可将铜的浸出率提高26%,达72%.铜的浸出率与矿石的粒度成反比,即矿石的粒度越大,铜的浸出率...

关键词: 溶浸 , 采矿 , 资源利用

凝固时的扩散效应

无机材料学报

具有明确边界条件的多组元体系在凝固时, 溶液内的热量和质量输运方程的严格求解非常困难, 因此简化方程是十分必要的. 本文在普适流体力学方程的基础上, 采用表征流体特征的无量纲参数和适当的边界条件, 简化了扩散方程. 证实了简化后的质量扩散...

关键词: 质量扩散方程 , solidification , mass microconvection

凝固时的扩散效应

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2005.01.006

具有明确边界条件的多组元体系在凝固时,溶液内的热量和质量输运方程的严格求解非常困难,因此简化方程是十分必要的.本文在普适流体力学方程的基础上,采用表征流体特征的无量纲参数和适当的边界条件,简化了扩散方程.证实了简化后的质量扩散模型在凝固现...

关键词: 质量扩散方程 , 凝固 , 质量微对流

马氏体相变时原子的位移

刘宗昌 , 计云萍 , 任慧平

理论地综合分析了奥氏体转变为马氏体过程中原子的移动方式.奥氏体转变为马氏体时,在相变驱动力的作用下,原子主要是按照K-S位向关系从奥氏体晶格中直接转移到马氏体晶格上去的.当γ→α马氏体时

关键词: 马氏体相变 , 无扩散 , 晶格参数 , 应变能 , 集体协同位移

时变效应导致的混凝土损伤研究进展

刘国军 , 杨永清 , 魏召兰

介绍了混凝土的疲劳、徐变、收缩和温度等时变效应,深入阐述了各种时变效应对混凝土材料和结构产生损伤的机理与研究进展.介绍了国内外广泛使用的混凝土强度破坏准则,提出混凝土强度破坏准...

关键词: 混凝土 , 时变效应 , 损伤 , 强度破坏准则

钛酸钡 BaTiO₃低温时的自发极化

蔡玉平 , 宁如云 , 韩代朝

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2007.00089

考虑到序参量的量子饱和, 从调整后的标准朗道势形式出发, 讨论了钛酸钡低温时的压强-温度相图. 低温时相边界是非线性的, 应考虑量子效应的影响. 饱和温度θ_s

关键词: Landau potential , spontaneous polarization , BaTiO3

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